高溫四探針測試儀可以實現(xiàn)高溫,、真空及惰性氣氛條件下測量硅、鍺單晶（棒料,、晶片）電阻率和外延層,、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃（ITO）和其他導(dǎo)電薄膜的方塊電阻,。

那么高溫四探針測試儀的測量原理是什么呢？

測量電阻率的方法很多,，如三探針法,、電容 -電壓法、擴展電阻法等,，四探針法則是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)方法,，高溫四探針測試儀采用經(jīng)典直排四探針原理，同時采用了雙電測組合四探針法,。

直排四探針法

經(jīng)典的直排四探針法測試電阻率,，要求使用等間距的探針,，如果針間距離不等或探針有游移，就會造成實驗誤差,。當(dāng)被測片較小或在大片邊緣附近測量時,，要求計入電場畸變的影響進行邊界修正。

采用雙電測組合四探針的出現(xiàn),，為提高薄膜電阻和體電阻率測量準(zhǔn)確度創(chuàng)造了有利條件,。

目前雙電測組合（亦稱雙位組合）四探針法有三種模式：模式（1），模式（2）,，模式（3）,，高溫四探針測試儀采用模式（2），通過用計算機對三種模式的理論進行比較研究的結(jié)果表明：對無窮大被測片三種模式都一樣,，可是測量小片或大片邊緣位置時,，模式（2）好，它能自動消除邊界影響,，略優(yōu)于模式（3）,，好于模式（1）。

那么高溫四探針測試儀采用雙電測組合四探針法有哪些優(yōu)勢呢,？

1,、采用雙電測組合四探針法進行測試，測試結(jié)果與探針間距無關(guān),，能夠消除間距不等及針尖機械游移變化的影響,，因此四探針測試臺允許使用不等距探針頭。

2,、采用雙電測組合四探針法具有自動修正邊界效應(yīng)的功能,，對小尺寸被測片或探針在較大樣品邊緣附近時，不需要對樣品做幾何測量,，也不必尋找修正因子,。

3、采用雙電測組合四探針法,，不移動四探針針頭,，同時使用三種模式測量，即可計算得到測試部位的電阻均勻性,。