日本沃康valcom壓力傳感器的工作原理

傳感器芯片結(jié)構(gòu)

在硅芯片受壓部（硅膜片）中，與通常的IC制造工序相同，通過雜質(zhì)擴(kuò)散形成硅量規(guī),。
當(dāng)壓力施加到硅芯片上時(shí),，表電阻根據(jù)撓度變化,，并轉(zhuǎn)換為電信號(hào),。（磁阻效應(yīng)）
該量規(guī)的特征在于大的量規(guī)比,。（金屬規(guī)格為2-3,，硅規(guī)格為10到100）,。
結(jié)果，可以獲得高輸出,，使得可以用厚的膜片來制造,，并且改善了壓力傳感器的耐壓性。

目標(biāo)模型

半導(dǎo)體壓力傳感器
VDP4,，VSW2（用于低壓）等

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器是與測量介質(zhì)直接接觸的具有高耐蝕性的金屬膜片（相當(dāng)于Hastelloy C-22,，SUS316L等），以及通過壓力傳感器檢測壓力的硅芯片（硅膜片）,。密封的硅油,。）用于雙隔膜方法。
SUS316L膜片（或等效的Hastelloy C-22）通過壓力入口與測量介質(zhì)直接接觸，并且可以穩(wěn)定地測量未浸入其中的介質(zhì)（空氣,，水,，油等）。 ）... [當(dāng)連接螺釘?shù)男螤顬镚3 / 8時(shí),，將使用O形圈（氟橡膠）來密封管道,。]

特征

• 可以制造可以測量正壓力，負(fù)壓力,，耦合壓力和絕dui壓力的各種傳感器元件,。
• 與介質(zhì)直接接觸的壓力接收元件等效于Hastelloy C-22，并且可以用SUS316L制造,，因此具有出色的耐腐蝕性,。
• 由于硅芯片的厚膜片可檢測壓力，因此具有出色的耐壓性?

目標(biāo)模型

半導(dǎo)體膜片式壓力傳感器
VESW,，VESX,，VESY，VESZ,，VHR3,，VHG3，VAR3,，VAG3,，VPRNP，VPNPR,，VPNPG,，VNF，HS1,，HV1,，AS1，AV1,，NS1,，NV1，VESI,，VESV,，VSW2，VST等,。

 應(yīng)變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

應(yīng)變片式壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

左側(cè)所示的電阻橋安裝在受壓部的金屬膜的背面,，將施加壓力時(shí)金屬膜的變形量檢測為電壓變化。
由于在金屬膜片表面上有一些應(yīng)變量大的地方和有應(yīng)變量小的地方,，所以安裝了四個(gè)電阻器,，即使應(yīng)變量有偏差,，也可以正確地檢測到。

特征

• 焊接和O形圈之間沒有接頭,，并且該結(jié)構(gòu)與膜片集成在一起,，使其堅(jiān)固耐用，使用壽命長,。
• 高精度和高溫（150℃）兼容的制造成為可能

目標(biāo)模型

應(yīng)變片式壓力傳感器
VSD4,，NSMS-A6VB，HSSC,，HSSC-A6V,，VHS，VHST,，HSMC2,，HSMC，VPE,，VPB，VPRT,，VPRTF,，VPRQ，VPRQF,，VPVT,，VPVTF，VPVQ,，VPVQF,，VPRF，VFM,，VF ,，VFS，VTRF,，VPRF2,，VPRH2等。

薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

薄膜壓力傳感器的結(jié)構(gòu)和操作說明

我們的薄膜壓力傳感器使用隔膜型,，并使用金屬規(guī)格的薄膜,。當(dāng)從壓力入口施加壓力時(shí)，膜片變形,，并且檢測到由在膜片上形成的金屬規(guī)格薄膜的變形引起的電阻變化,。
它具有比應(yīng)變儀型壓力傳感器更高的靈敏度輸出，并且比半導(dǎo)體型壓力傳感器具有更低的溫度系數(shù)的特性,。

特征

• 恒定的溫度系數(shù),，具有非常好的溫度特性
• 可以長時(shí)間獲得穩(wěn)定的輸出,，并且隨時(shí)間變化很小。
• 可以承受高溫（200°C）

目標(biāo)模型

VSW2

測量原理

當(dāng)在金屬量規(guī)薄膜上施加壓力并且在輸入端有電流流動(dòng)時(shí)發(fā)生變形時(shí),，它表現(xiàn)為輸出側(cè)電信號(hào)的變化,。