在復(fù)雜的芯片生產(chǎn)工藝中,硫酸也是*的試劑,。
硅圓片在加工過程中,常常會(huì)被不同的雜質(zhì)所沾污,,硅圓片上不溶性固體顆粒或金屬離子可能在微細(xì)電路之間導(dǎo)電,,使之短路,。鈉、鈣等堿金屬雜質(zhì)也會(huì)融進(jìn)氧化膜中,導(dǎo)致耐絕緣電壓下降,。硼,、磷、砷等雜質(zhì)離子會(huì)影響擴(kuò)散劑的擴(kuò)散效果,,塵埃顆粒會(huì)造成光刻缺陷,,氧化層不平整,影響制版質(zhì)量和等離子蝕刻工藝,。
為了獲得高質(zhì)量集成電路芯片,,必須除去各種沾污物,這就需要使用非常純凈的化學(xué)試劑來清洗硅圓片,。硫酸和過氧化氫可以按比例組成有強(qiáng)氧化性的SPM清洗液,,將有機(jī)物氧化成CO2和H2O。它還可用于光刻過程中的濕法蝕刻去膠,,借助于化學(xué)反應(yīng)從硅圓片的表面除去固體物質(zhì),,導(dǎo)致固體表面全部或局部溶解。
硫酸在此處的作用是消除晶圓上的各種雜質(zhì),,那么其本身就不能做為污染源再引入雜質(zhì),,因此該工藝對(duì)于硫酸本身純凈度的要求也相當(dāng)高。1975年,,美國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會(huì)(Semiconductor Equipment and Materials International,,SEMI)首先為微電子工業(yè)配套的電子級(jí)化學(xué)品制定了統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)(SEMI標(biāo)準(zhǔn));1978年,,德國的默克公司也制定了MOS標(biāo)準(zhǔn),。兩種標(biāo)準(zhǔn)對(duì)電子級(jí)化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和微粒(塵埃)的要求各有側(cè)重,分別適用于不同級(jí)別IC的制作要求,。
到目前為止,,中國還沒有電子級(jí)硫酸國家標(biāo)準(zhǔn),現(xiàn)行的硫酸標(biāo)準(zhǔn)有GB/T 534-2014《工業(yè)硫酸》,、HG/T 4559-2013《超凈高純硫酸》和HG/T 2692-2015《蓄電池用硫酸》均不適合電子級(jí)硫酸產(chǎn)品,中國的試劑企業(yè)一般將電子級(jí)硫酸劃分為低塵高純級(jí),、MOS級(jí)和BV-III級(jí),,其中BV-III級(jí)電子級(jí)硫酸的單項(xiàng)金屬雜質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)不超過1*10-8,相當(dāng)于SEMI-C7標(biāo)準(zhǔn),。
瑞士萬通智能離子色譜系統(tǒng)和伏安極譜儀可以針對(duì)電子級(jí)硫酸中多種雜質(zhì)進(jìn)行檢測(cè),,瑞士制造,瑞士品質(zhì),,滿足您的各種檢測(cè)需求,。
離子色譜法測(cè)定電子級(jí)硫酸中F-含量
有機(jī)酸排斥柱可以分離F-,還可以不受PH的影響,而其它常規(guī)陰離子在排斥柱上無保留,,,。
有機(jī)酸排斥柱,淋洗液:0.5mmol/L 稀硫酸,,流速:0.5ml/min,。進(jìn)樣體積20µL
離子色譜法測(cè)定電子級(jí)硫酸中陽離子含量
本實(shí)驗(yàn)用雙閥切換結(jié)合氫氧根離子固相萃取柱(IC-OH)技術(shù)中和濃硫酸待測(cè)液中的氫離子。
樣品與加標(biāo)疊加譜圖
分離柱:METROSEP C4-150,; 淋洗液:1.7mMHNO3+0.7mM吡啶二羧酸的超純水溶液,;六通閥A:定量環(huán)1.5 μL,六通閥B:定量環(huán)100μL,;流速0.9mL/min,。多思加液器(Dosino)加液速度1.0mL/min,把1.5μL樣品從閥A通過IC-OH柱轉(zhuǎn)移到閥B的體積為0.3mL,。
伏安極譜法測(cè)定電子級(jí)硫酸中重金屬含量
已知體積及質(zhì)量的樣品置于用硝酸浸泡過夜的燒杯中(樣品體積為4.7 mL,,質(zhì)量為8.5038 g),然后用優(yōu)級(jí)純的氨水調(diào)節(jié)pH至7,,所得樣品后用超純水定容至100 mL,。
采用pH 9.5 氨性緩沖液及丁二酮胍二鈉鹽溶液作為支持電解質(zhì)
采用C14H23N3O10,硝酸鈉,,醋酸鈉的混合溶液作為支持電解質(zhì)
采用溴酸鉀,,氫氧化鈉,三乙醇胺的混合溶液作為支持電解質(zhì)
電子級(jí)試劑中雜質(zhì)的檢測(cè)是一項(xiàng)十分重要又比較困難的工作,,瑞士萬通可以提供多種解決方案,,結(jié)果準(zhǔn)確,儀器穩(wěn)定,,自動(dòng)化程度高,。
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