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氫氣發(fā)生器在CVDMOCVD行業(yè)的運用
氫氣在半導體行業(yè)中的應用
半導體制造技術作為信息時代制造的基礎,，堪比工業(yè)時代的機床，是整個社會發(fā)展的基石和原動力,。在產(chǎn)業(yè)分工格局重塑的關鍵時期,，我國也提出了《中國制造2025》,，以通過智能制造實現(xiàn)由制造大國向制造強國的轉(zhuǎn)換。智能制造（工業(yè)4.0）的實現(xiàn),，以各種信息器件的使用為基礎,，半導體制造技術正是其制造的核心技術。
而氫氣作為半導體制造中的氣源,，在半導體材料及器件制備中起到至關重要的作用,。可在光電器件,、傳感器,、IC制造中應用。
目前半導體工藝中氫氣主要用于退火,、外延生長,、干法刻蝕等工藝。
退火是通過高溫加熱釋放材料內(nèi)部應力從而改善材料質(zhì)量的一種材料處理辦法,，氫氣作為保護氣可以起到防止氧化等作用,，多用于薄膜生長后釋放應力,。
氫氣也可以應用在化學氣相沉積（ChemicalVaporDepositon）薄膜生長?；瘜W氣相沉積是一種利用固態(tài)-氣態(tài)反應,、氣態(tài)-氣態(tài)反應生成薄膜的設備，如在CVD工藝中作為還原性氣體制備二維材料MOS2,、WS2等,；等離子增強化學氣相沉積（PECVD）工藝中作為還原性氣體制備石墨烯、單晶硅,、碳化硅等,；電子回旋共振化學氣相沉積（ECR-CVD）中作為反應氣體在單晶硅襯底上制備金剛石薄膜；金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）設備中作為載氣制備光電材料GaN,、AlGaN等,。同時氫氣也可以在原子層沉積（AtomicLayerDeposition）中使用。
氫氣在等離子體刻蝕（RIE/ICP）中作為反應氣體出現(xiàn),，等離子體刻蝕原理是利用反應氣體離化后與材料發(fā)生反應生成揮發(fā)性物質(zhì),，從而實現(xiàn)材料圖形化，是半導體器件制備的*工藝,。
普拉勒氫氣發(fā)生器目前已大量應用在以上工藝中,，為半導體材料及器件制備提供好的氣源。
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