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工作場所空氣中粉塵測定第4部分:游離二氧化硅含量測定

來源:天津諾雷信達科技有限公司   2020年01月19日 13:21  

中華人民共和國國家職業(yè)衛(wèi)生標準

GBZ/T 192.4—2007

 

  

工作場所空氣中粉塵測定

第4部分:游離二氧化硅含量

天津諾雷信達科技有限公司相關(guān)產(chǎn)品鏈接

Method for determination of dust in the air of workplace

Part 4: Content of free silica in dust

  2007年06月18日發(fā)布                  2007年12月30日實施

中華人民共和國衛(wèi)生部  發(fā) 布 

 

前     言

 

GBZ/T 192根據(jù)工作場所空氣中粉塵測定的特點,,分為以下五部分:

——第1部分:總粉塵濃度

——第2部分:呼吸性粉塵濃度

——第3部分:粉塵分散度

——第4部分:游離二氧化硅含量

——第5部分:石棉纖維濃度

本部分是GBZ/T192的第4部分,是在GB 5748-85《作業(yè)場所空氣中粉塵測定方法》,,GB16225-1996《車間空氣中呼吸性矽塵衛(wèi)生標準》附錄B《粉塵游離二氧化硅X線衍射測定法》,,GB16245-1996《作業(yè)場所呼吸性煤塵衛(wèi)生標準》附錄B《呼吸性煤塵中游離二氧化硅紅外光譜測定法》為基礎(chǔ)修訂而成的。

本部分由全國職業(yè)衛(wèi)生標準委員會提出,。

本部分由中華人民共和國衛(wèi)生部批準。

本部分起草單位:華中科技大學同濟醫(yī)學院公共衛(wèi)生學院,、武漢鋼鐵公司工業(yè)衛(wèi)生技術(shù)研究所,、東風汽車公司職業(yè)病防治研究所、武漢市職業(yè)病防治研究院,、湖北省疾病預防控制中心,、福建省疾病預防控制中心、遼寧省疾病預防控制中心,、武漢分析儀器廠,。

本部分主要起草人:楊磊、陳衛(wèi)紅,、劉占元,、陳鏡瓊、李濟超,、易桂林,、楊靜波、梅勇,、彭開良,、劉家發(fā)、葉丙杰,。

 

 

 GBZ/T 192.4—2007

工作場所空氣中粉塵測定

第4部分:游離二氧化硅含量

 

1 范圍

本部分規(guī)定了工作場所粉塵中游離二氧化硅含量的測定方法,。

本部分適用于工作場所粉塵中游離二氧化硅含量的測定。

2 規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款,,通過本標準的引用而成為本標準的條款,。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勘誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標準,,然而,,鼓勵根據(jù)本標準達成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的新版本。凡是不注日期的引用文件,,其新版本適用于本標準,。

GBZ 159  工作場所空氣中有害物質(zhì)監(jiān)測采樣規(guī)范

GBZ/T XXX.1 工作場所空氣中粉塵測定  第1部分:總粉塵濃度

GBZ/T XXX.2 工作場所空氣中粉塵測定  第2部分:呼吸性粉塵濃度

3 術(shù)語和定義

本部分采用下列術(shù)語:

游離二氧化硅(Free silica)

指結(jié)晶型的二氧化硅,,即石英。

4 焦磷酸法

4.1 原理

粉塵中的硅酸鹽及金屬氧化物能溶于加熱到245℃~250℃的焦磷酸中,,游離二氧化硅幾乎不溶,,而實現(xiàn)分離。然后稱量分離出的游離二氧化硅,,計算其在粉塵中的百分含量,。

4.2 儀器

4.2.1 采樣器:同GBZ/T XXX.1和GBZ/T XXX.2。

4.2.2 恒溫干燥箱,。

4.2.3 干燥器,,內(nèi)盛變色硅膠。

4.2.4 分析天平,,感量為0.1mg,。

4.2.5 錐形瓶,50ml,。

4.2.6 可調(diào)電爐,。

4.2.7 高溫電爐。

4.2.8 瓷坩堝或鉑坩堝,,25ml,,帶蓋。

4.2.9 坩堝鉗或鉑尖坩堝鉗,。

4.2.10 量筒,,25ml。

4.2.11 燒杯,,200ml ~400ml,。

4.2.12 瑪瑙研缽。

4.2.13 慢速定量濾紙,。

4.2.14 玻璃漏斗及其架子,。

4.2.15 溫度計,0℃~360℃,。

4.3 試劑

實驗用試劑為分析純,。

4.3.1 焦磷酸,將85%(W/W)的磷酸加熱到沸騰,,至250℃不冒泡為止,,放冷,貯存于試劑瓶中,。

4.3.2 qingfusuan,,40%。

4.3.3 硝酸銨。

4.3.4 鹽酸溶液,,0.1mol/L,。

4.4 樣品的采集

現(xiàn)場采樣按照GBZ 159執(zhí)行。

本法需要的粉塵樣品量一般應(yīng)大于0.1g,,可用直徑75mm濾膜大流量采集空氣中的粉塵,,也可在采樣點采集呼吸帶高度的新鮮沉降塵,并記錄采樣方法和樣品來源,。

4.5 測定步驟

4.5.1 將采集的粉塵樣品放在105℃±3℃的烘箱內(nèi)干燥2h,,稍冷,貯于干燥器備用,。如果粉塵粒子較大,,需用瑪瑙研缽研磨至手捻有滑感為止。

4.5.2 準確稱取0.1000g~0.2000g(G)粉塵樣品于25ml錐形瓶中,,加入15ml焦磷酸及數(shù)毫克硝酸銨,,攪拌,使樣品全部濕潤,。將錐形瓶放在可調(diào)電爐上,迅速加熱到245℃~250℃,,同時用帶有溫度計的玻璃棒不斷攪拌,,保持15min。

4.5.3 若粉塵樣品含有煤,、其他碳素及有機物,,應(yīng)放在瓷坩堝或鉑坩堝中,在800℃~900℃下灰化30min以上,,使碳及有機物*灰化,。取出冷卻后,將殘渣用焦磷酸洗入錐形瓶中,。若含有硫化礦物(如黃鐵礦,、黃銅礦、輝銅礦等),,應(yīng)加數(shù)毫克結(jié)晶硝酸銨于錐形瓶中,。再按照4.5.2加焦磷酸及數(shù)毫克硝酸銨加熱處理。

4.5.4取下錐形瓶,,在室溫下冷卻至40℃~50℃,,加50℃~80℃的蒸餾水至約40ml ~45ml,一邊加蒸餾水一邊攪拌均勻,。將錐形瓶中內(nèi)容物小心轉(zhuǎn)移入燒杯,,并用熱蒸餾水沖洗溫度計、玻璃棒和錐形瓶,,洗液倒入燒杯中,,加蒸餾水約至150ml~200ml,。取慢速定量濾紙折疊成漏斗狀,放于漏斗并用蒸餾水濕潤,。將燒杯放在電爐上煮沸內(nèi)容物,,稍靜置,待混懸物略沉降,,趁熱過濾,,濾液不超過濾紙的2/3處。過濾后,,用0.1mol鹽酸洗滌燒杯,,并移入漏斗中,將濾紙上的沉渣沖洗3~5次,,再用熱蒸餾水洗至無酸性反應(yīng)為止(用pH試紙試驗),。如用鉑坩堝時,要洗至無磷酸根反應(yīng)后再洗3次,。上述過程應(yīng)在當天完成,。

4.5.5 將有沉渣的濾紙折疊數(shù)次,放入已稱至恒量(m1)的瓷坩堝中,,在電爐上干燥,、炭化;炭化時要加蓋并留一小縫,。然后放入高溫電爐內(nèi),,在800℃~900℃灰化30min;取出,,室溫下稍冷后,,放入干燥器中冷卻1h,在分析天平上稱至恒量(m2),,并記錄,。

4.5.6 計算  按式(1)計算粉塵中游離二氧化硅的含量:

...(1)

式中:SiO2(F)——游離二氧化硅含量,%,;

m1——坩堝質(zhì)量,,g;

m2——坩堝加沉渣質(zhì)量,,g,;

G——粉塵樣品質(zhì)量,g,。

4.5.7 焦磷酸難溶物質(zhì)的處理

若粉塵中含有焦磷酸難溶的物質(zhì)時,,如碳化硅、綠柱石、電氣石,、黃玉等,,需用qingfusuan在鉑坩堝中處理。方法如下:

將帶有沉渣的濾紙放入鉑坩堝內(nèi),,如步驟4.5.5灼燒至恒量(m2),,然后加入數(shù)滴9mol/L硫酸溶液,使沉渣全部濕潤,。在通風柜內(nèi)加入5ml~10ml 40%qingfusuan,,稍加熱,使沉渣中游離二氧化硅溶解,,繼續(xù)加熱至不冒白煙為止(要防止沸騰),。再于900℃下灼燒,稱至恒量(m3),。qingfusuan處理后游離二氧化硅含量按式(2)計算:

  ...(2)

式中:SiO2(F)——游離二氧化硅含量,,%;

m2——qingfusuan處理前坩堝加沉渣(游離二氧化硅+焦磷酸難溶的物質(zhì))質(zhì)量,,g,;

m3——qingfusuan處理后坩堝加沉渣(焦磷酸難溶的物質(zhì))質(zhì)量,g,;

G——粉塵樣品質(zhì)量,,g。

4.6 注意事項

4.6.1 焦磷酸溶解硅酸鹽時溫度不得超過250℃,,否則容易形成膠狀物,。

4.6.2 酸與水混合時應(yīng)緩慢并充分攪拌,,避免形成膠狀物,。

4.6.3 樣品中含有碳酸鹽時,遇酸產(chǎn)生氣泡,,宜緩慢加熱,,以免樣品濺失。

4.6.4 用qingfusuan處理時,,必須在通風柜內(nèi)操作,,注意防止污染皮膚和吸入qingfusuan蒸氣。

4.6.5 用鉑坩堝處理樣品時,,過濾沉渣必須洗至無磷酸根反應(yīng),,否則會損壞鉑坩堝。

磷酸根檢驗方法如下:

原理:磷酸和鉬酸銨在pH4.1時,,用抗壞血酸還原成藍色,。

試劑:①乙酸鹽緩沖液(pH4.1):0.025mol乙酸鈉溶液與0.1mol乙酸溶液等體積混合,②1%抗壞血酸溶液(于4℃保存),③鉬酸銨溶液:取2.5g鉬酸銨,,溶于100ml的0.025mol硫酸中(臨用時配制),。

檢驗方法:分別將試劑②和③用①稀釋成10倍,取濾過液1ml,,加上述稀釋試劑各4.5ml,,混勻,放置20min,,若有磷酸根離子,,溶液呈藍色。

 

紅外分光光度法      本公司相關(guān)產(chǎn)品鏈接

5.1 原理

α-石英在紅外光譜中于12.5μm(800cm-1),、12.8μm(780cm-1)及14.4(694cm-1)μm處出現(xiàn)特異性強的吸收帶,,在一定范圍內(nèi),其吸光度值與α-石英質(zhì)量成線性關(guān)系,。通過測量吸光度,,進行定量測定。

5.2 儀器

5.2.1 瓷坩堝和坩堝鉗,。

5.2.2 箱式電阻爐或低溫灰化爐,。

5.2.3 分析天平,感量為0.01mg,。

5.2.4 干燥箱及干燥器,。

5.2.5 瑪瑙乳缽。

5.2.6 壓片機及錠片模具,。

5.2.7 200目粉塵篩,。

5.2.8 紅外分光光度計。以X軸橫坐標記錄900cm-1~600cm-1的譜圖,,在900cm-1處校正零點和100%,,以Y軸縱坐標表示吸光度。

5.3 試劑

5.3.1 溴化鉀,,優(yōu)級純或光譜純,,過200目篩后,用濕式法研磨,,于150℃干燥后,,貯于干燥器中備用。

5.3.2 無水乙醇,,分析純,。

5.3.3 標準α-石英塵,純度在99%以上,,粒度<5μm,。

5.4 樣品的采集

根據(jù)測定目的,,樣品的采集方法參見GBZ 159 和GBZ/T XXX.2或GBZ/T XXX.1,濾膜上采集的粉塵量大于0.1mg時,,可直接用于本法測定游離二氧化硅含量,。

5.5 測定

5.5.1 樣品處理:準確稱量采有粉塵的濾膜上粉塵的質(zhì)量(G)。然后將受塵面向內(nèi)對折3次,,放在瓷坩堝內(nèi),,置于低溫灰化爐或電阻爐(小于600℃)內(nèi)灰化,冷卻后,,放入干燥器內(nèi)待用,。稱取250mg溴化鉀和灰化后的粉塵樣品一起放入瑪瑙乳缽中研磨混勻后,連同壓片模具一起放入干燥箱(110℃±5℃)中10min,。將干燥后的混合樣品置于壓片模具中,,加壓25MPa,持續(xù)3min,,制備出的錠片作為測定樣品,。同時,取空白濾膜一張,,同樣處理,,作為空白對照樣品。

5.5.2 石英標準曲線的繪制:精確稱取不同質(zhì)量的標準α-石英塵(0.01mg ~1.00mg),,分別加入250mg溴化鉀,,置于瑪瑙乳缽中充分研磨均勻,按上述樣品制備方法做出透明的錠片,。將不同質(zhì)量的標準石英錠片置于樣品室光路中進行掃描,,以800cm-1、780cm-1及694cm-1三處的吸光度值為縱坐標,,以石英質(zhì)量(mg)為橫坐標,,繪制三條不同波長的α-石英標準曲線,并求出標準曲線的回歸方程式,。在無干擾的情況下,,一般選用800cm-1標準曲線進行定量分析,。

5.5.3 樣品測定:分別將樣品錠片與空白對照樣品錠片置于樣品室光路中進行掃描,,記錄800cm-1(或694cm-1)處的吸光度值,重復掃描測定3次,,測定樣品的吸光度均值減去空白對照樣品的吸光度均值后,,由α-石英標準曲線得樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量(m)。

5.5.4 計算  按式(3)計算粉塵中游離二氧化硅的含量:


(3)

式中:SiO2(F)——粉塵中游離二氧化硅(α-石英)的含量,,%,;

m——測得的粉塵樣品中游離二氧化硅的質(zhì)量,,mg;

G——粉塵樣品質(zhì)量,,mg,。

5.6 注意事項

5.6.1 本法的α-石英檢出量為0.01mg;相對標準差(RSD)為0.64%~1.41%,。平均回收率為96.0%~99.8%,。

5.6.2 粉塵粒度大小對測定結(jié)果有一定影響,因此,,樣品和制作標準曲線的石英塵應(yīng)充分研磨,,使其粒度小于5μm者占95%以上,方可進行分析測定,。

5.6.3 灰化溫度對煤礦塵樣品定量結(jié)果有一定影響,,若煤塵樣品中含有大量高嶺土成分,在高于600℃灰化時發(fā)生分解,,于800cm-1附近產(chǎn)生干擾,,如灰化溫度小于600℃時,可消除此干擾帶,。

5.6.4 在粉塵中若含有粘土,、云母、閃石,、長石等成分時,,可在800cm-1附近產(chǎn)生干擾,則可用694cm-1的標準曲線進行定量分析,。

5.6.5 為降低測量的隨機誤差,,實驗室溫度應(yīng)控制在18℃~24℃,相對濕度小于50%為宜,。

5.6.6 制備石英標準曲線樣品的分析條件應(yīng)與被測樣品的條件*一致,,以減少誤差。

 

6  X線衍射法

6.1 原理

當X線照射游離二氧化硅結(jié)晶時,,將產(chǎn)生X線衍射,;在一定的條件下,衍射線的強度與被照射的游離二氧化硅的質(zhì)量成正比,。利用測量衍射線強度,,對粉塵中游離二氧化硅進行定性和定量測定。

6.2 儀器

6.2.1 測塵濾膜,。

6.2.2 粉塵采樣器,。

6.2.3 濾膜切取器。

6.2.4 樣品板,。

6.2.5 分析天平,,感量為0.01mg,。

6.2.6 鑷子、直尺,、秒表,、圓規(guī)等。

6.2.7 瑪瑙乳缽或瑪瑙球磨機,。

6.2.8 X線衍射儀,。

6.3 試劑

實驗用水為雙蒸餾水。

6.3.1 鹽酸溶液,,6mol/L,。

6.3.2 氫氧化鈉溶液,100g/L,。

6.4 樣品的采集

根據(jù)測定目的,,樣品的采集方法參見GBZ 159和GBZ/T XXX.2或GBZ/T XXX.1,濾膜上采集的粉塵量大于0.1mg時,,可直接用于本法測定游離二氧化硅含量,。

6.5 測定步驟

6.5.1 樣品處理:準確稱量采有粉塵的濾膜上粉塵的質(zhì)量(G)。按旋轉(zhuǎn)樣架尺度將濾膜剪成待測樣品4~6個,。

6.5.2 標準曲線

6.5.2.1 標準α-石英粉塵制備:將高純度的α-石英晶體粉碎后,,首先用鹽酸溶液浸泡2h,除去鐵等雜質(zhì),,再用水洗凈烘干,。然后用瑪瑙乳缽或瑪瑙球磨機研磨,磨至粒度小于10μm后,,于氫氧化鈉溶液中浸泡4h,,以除去石英表面的非晶形物質(zhì),用水充分沖洗,,直到洗液呈中性(pH=7),,干燥備用?;蛴梅媳緱l要求的市售標準α-石英粉塵制備,。

6.5.2.2 標準曲線的制作:將標準α-石英粉塵在發(fā)塵室中發(fā)塵,用與工作環(huán)境采樣相同的方法,,將標準石英粉塵采集在已知質(zhì)量的濾膜上,,采集量控制在0.5mg~4.0mg之間,在此范圍內(nèi)分別采集5~6個不同質(zhì)量點,,采塵后的濾膜稱量后記下增量值,,然后從每張濾膜上取5個標樣,,標樣大小與旋轉(zhuǎn)樣臺尺寸一致,。在測定α-石英粉塵標樣前,,首先測定標準硅在(111)面網(wǎng)上的衍射強度(CPS)。然后分別測定每個標樣的衍射強度(CPS),。計算每個點5個α-石英粉塵樣的算術(shù)平均值,,以衍射強度(CPS)均值對石英質(zhì)量(mg)繪制標準曲線。

6.5.3 樣品測定

6.5.3.1 定性分析  在進行物相定量分析之前,,首先對采集的樣品進行定性分析,,以確認樣品中是否有α-石英存在。儀器操作參考條件:

 

靶:CuKα,;

掃描速度:2°/min,;

管電壓:30kV;

記錄紙速度:2cm/min,;

管電流:40mA;

發(fā)散狹縫:1°,;

量程:4000CPS;

接收狹縫:0.3mm,;

時間常數(shù):1s,;

角度測量范圍:10°≤2θ≤60°

 

物相鑒定:將待測樣品置于X線衍射儀的樣架上進行測定,將其衍射圖譜與《粉末衍射標準聯(lián)合委員會(JCPDS)》卡片中的α-石英圖譜相比較,,當其衍射圖譜與α-石英圖譜相一致時,,表明粉塵中有石英存在。

6.5.3.2 定量分析

X線衍射儀的測定條件與制作標準曲線的條件*一致,。

6.5.3.2.1 首先測定樣品(101)面網(wǎng)的衍射強度,,再測定標準硅(111)面網(wǎng)的衍射強度;測定結(jié)果按式(4)計算:

        ...(4)

式中:IB——粉塵中石英的衍射強度,,CPS,;

Ii——采塵濾膜上石英的衍射強度,CPS,;

Is——在制定石英標準曲線時,,標準硅(111)面網(wǎng)的衍射強度,CPS,;

I——在測定采塵濾膜上石英的衍射強度時,,測得的標準硅(111)面網(wǎng)衍射強度,CPS,。

如儀器配件沒有配標準硅,,可使用標準石英(101)面網(wǎng)的衍射強度(CPS)表示I值。

由計算得到的IB值(CPS),,從標準曲線查出濾膜上粉塵中石英的質(zhì)量(m),。

6.5.4  計算  粉塵中游離二氧化硅(α-石英)含量按式(5)計算:
(5)式中:SiO2(F)——粉塵中游離二氧化硅(α-石英)含量,%,;
m——濾膜上粉塵中游離二氧化硅(α-石英)的質(zhì)量,,mg;
G——粉塵樣品質(zhì)量,,mg,。將M2-M1改為G,與紅外法一致,!

6.6 注意事項

6.6.1本法測定的粉塵中游離二氧化硅系指α-石英,,其檢出限受儀器性能和被測物的結(jié)晶狀態(tài)影響較大;一般X線衍射儀中,,當濾膜采塵量在0.5mg時,,α-石英含量的檢出限可達1%。

6.6.2粉塵粒徑大小影響衍射線的強度,,粒徑在10μm以上時,,衍射強度減弱;因此制作標準曲線的粉塵粒徑應(yīng)與被測粉塵的粒徑相一致,。

6.6.3單位面積上粉塵質(zhì)量不同,,石英的X線衍射強度有很大差異。因此濾膜上采塵量一般控制在2mg~5mg范圍內(nèi)為宜,。

6.6.4當有與α-石英衍射線相干擾的物質(zhì)或影響α-石英衍射強度的物質(zhì)存在時,,應(yīng)根據(jù)實際情況進行校正。

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