電容器無論從種類或數(shù)量來說均是使用頻繁的電子元件，隨著電子材料,、工藝和使用等方面的發(fā)展,，一方面電容器朝著大容量,、高頻率的方向發(fā)展,，另一方面,，由于設(shè)備小型化發(fā)展的要求,，貼片電容器（SMD 器件）的使用越來越廣,，這就要求測量儀器能適應(yīng)這種不斷發(fā)展的需要,，而如何正確地操作使用測量儀器同樣變的越來越重要。

●電容器的頻率依賴性

所有元件都具有頻率依賴性,，有些電容器的頻率依賴較小,，而且穩(wěn)定度好，損耗也小,，

通常這種電容器可以用來做標(biāo)準(zhǔn)電容器,，如空氣電容器。而有些電容器隨頻率的改變其參數(shù)

會發(fā)生急劇的變化,，如鋁電解電容器,。

● 電容器的電平依賴性

某些電容器的參數(shù)也會隨著測試電平的變化而變化。測試電平對測試結(jié)果影響大的是陶瓷電容器特別是高K 的陶瓷電容器,，因此對此類電容器測量時應(yīng)確定該電容器應(yīng)在何測試電平的條件下進(jìn)行測量,。

●電容器損耗測量

在串聯(lián)等效電路中，電容器損耗由下式計算：

由于DUT 上的串聯(lián)等效電阻與損耗值密切相關(guān),，而測試夾具上的微小接觸電阻Ro 往往也進(jìn)入了串聯(lián)電阻的等效值之中,，實際測量的損耗包含了接觸電阻：

D = (Rs + Ro) / Xs

這將給測試帶來誤差，尤其是DUT 本身Rs 很小的時候,，例如高頻大電容,，SMD 電容。這種情況下測試時要求盡可能減小接觸電阻進(jìn)行測量,。

理論上,，D 值應(yīng)恒為正，但在極低損耗的情況下,，儀器仍可能會測出負(fù)的D 值，如-0.00001,，超低損耗一般已經(jīng)超出了儀器測量的精度范圍,，因此我們認(rèn)為這種負(fù)值顯示也是正常的。另外,，對于高精度的損耗測量,，我們建議直接在端面夾具上進(jìn)行測量，而引出的電纜線將使損耗的測量精度大大降低,，使用自動平衡電橋則可以克服電纜線帶來的附加誤差,。

● SMD 電容器的測量

隨著設(shè)備小型化要求的增強(qiáng),，SMD電容器被廣泛的得到應(yīng)用，SMD器件測量應(yīng)使用SMD測量夾具,。由于SMD 元件無引線,，因此其ESR（串聯(lián)等效電阻）很小，一般地,，對該測量應(yīng)采用并聯(lián)等效方式,，對超過1uF 的電容器（如片式電解電容器）仍推薦使用串聯(lián)等效方式。

對微小電容量的SMD 器件測量時,，對夾具開路清“0”時應(yīng)特別注意,，開路時應(yīng)將夾具

在開路清“0”時的間距調(diào)整為與SMD 器件的寬度相同，否則會引入不合適的清“0”誤差,。如間距差1mm,，其分布電容可能會有約0.02pF 的誤差。