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試驗設(shè)備標準及檢定方法

來源:寧波北侖源明儀器設(shè)備有限公司   2010年10月19日 22:39  

一、 概況
環(huán)境試驗設(shè)備設(shè)計,、生產(chǎn)的依據(jù)是環(huán)境試驗方法,隨著生產(chǎn)力的進步、國民經(jīng)濟的發(fā)展,,環(huán)境試驗方法的日臻豐富,相應(yīng)的環(huán)境試驗設(shè)備亦隨之日益增多,。為了使環(huán)境試驗?zāi)芸煽?、持續(xù)地得到實施,這就需要有*,,性能合格的試驗設(shè)備,,而要達到這一要求,就需有一個統(tǒng)一衡量試驗設(shè)備尺度即環(huán)境試驗設(shè)備標準,,以及環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定標準,。
我國的環(huán)境試驗設(shè)備標準(以下簡稱“設(shè)備標準")及電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標準(以下簡稱“方法標準")起草、發(fā)布,、實施于二十世紀八十年代中期,。為使該兩類標準能得到更好地貫徹執(zhí)行,下面將我們在貫徹實施兩類標準時的若干問題極其看法提出,,以期同行引起注意,,并求不吝賜孝,取得一致見地,,將本行業(yè)的工作做好,。

二、 環(huán)境試驗設(shè)備標準
1,、現(xiàn)行環(huán)境試驗設(shè)備標準共有九項:
GB10586-89 濕熱試驗箱 技術(shù)條件
GB10587-89 鹽霧試驗箱 技術(shù)條件
GB10588-89 長霉試驗箱 技術(shù)條件
GB10589-89 低溫試驗箱 技術(shù)條件
GB10590-89 低溫/低氣壓試驗箱 技術(shù)條件
GB10591-89 高溫/低氣壓試驗箱 技術(shù)條件
GB10592-89 高,、低溫試驗箱 技術(shù)條件
GB11158-89 高溫試驗箱 技術(shù)條件
GB11159-89 低氣壓試驗箱 技術(shù)條件
2、設(shè)備標準中的共性問題

1)適用范圍
在上述的九項標準中都明確規(guī)定了本標準適用于生產(chǎn)環(huán)境試驗設(shè)備的所有廠家,,對該標準所對應(yīng)的產(chǎn)品在作出廠檢驗,、型式檢驗、質(zhì)量監(jiān)督檢驗時作為依據(jù)。
2)適應(yīng)性
按設(shè)備標準檢測合格的產(chǎn)品,,其性能要符合相對應(yīng)的環(huán)境試驗方法標準中對試驗設(shè)備的要求,,按其檢驗要求檢測合格的產(chǎn)品方可出廠。
3)操作性
設(shè)備標準在貫徹實施過程中基本能得到貫徹執(zhí)行,。同時,,該類標準在設(shè)備制造廠也應(yīng)用較多。
4)修訂設(shè)備標準的不足之處
九項設(shè)備標準起草于上世紀八十年代,,隨著科學技術(shù)的發(fā)展,,工農(nóng)業(yè)及其他待業(yè)的發(fā)展和需求,修訂設(shè)備標準是必須的,。

3,、貫徹執(zhí)行過程中的注意事項
1)對基本環(huán)境條件的要求,綜合在一起主要有下列幾項
A)溫度:15℃~35℃
B)相對濕度:不大于85%RH
C)大氣壓強:86Kpa~106Kpa
D)熱輻射:無陽光起直射,,無熱源直接輻射
E)氣流:無強烈氣流,,需要時不可直接吹到箱體上
F)電磁場:無強烈電磁場
G)三廢:無高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)
H)冷卻水源:水溫不大于30℃,水壓控制在0.1~0.3Mpa
I)加濕水源:電阻率不低于500Ωm
J)電源:220±22V ,、380±38V,、50±0.5Hz
2)負載要求:
A)負載品種:一般可用電工、電子產(chǎn)品或其它產(chǎn)品,、零部件及絕緣材料等(鹽霧試驗除外)
B)負載條件:
-------負載總質(zhì)量:50~80Kg/m3
-------負載總體積:不大于工作室容積的1/5
-------阻擋主風道總面積:不大于主風道所處工作室截面積的1/3
-------鹽霧試驗設(shè)備:規(guī)格:50*100*(1~2)mm
-------種類:金屬
-------樣品數(shù):160塊/m2(工作室水平面面積計)

三,、 環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標準(氣候試驗設(shè)備)
1、現(xiàn)行環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標準共有六項:
GB/T5170.2----1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法溫度試驗設(shè)備
GB/T5170.5----1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法濕熱試驗設(shè)備
GB/T5170.8----1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法鹽霧試驗設(shè)備
GB/T5170.9----1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法太陽輻射試驗設(shè)備
GB/T5170.10---1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法高低溫低氣壓試驗設(shè)備
GB/T5170.11---1996電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法腐蝕氣體試驗設(shè)備
2,、方法標準的幾個共同問題
1)標準適用范圍:在六項方法標準中明確規(guī)定了該類標準是環(huán)境試驗設(shè)備在進行周期檢定時檢定項目的確定,,檢測儀器的選用,以及檢定條件,、測試點數(shù)量,、布點位置、檢定步驟,、數(shù)據(jù)處理及檢定結(jié)果等內(nèi)容的執(zhí)行依據(jù),。
2)適應(yīng)性:按方法標準檢測合格的設(shè)備,可在規(guī)定期限內(nèi)繼續(xù)進行相關(guān)的環(huán)境試驗,。
3)操作性:本類標準在環(huán)境試驗設(shè)備使用單位應(yīng)用居多,,試驗設(shè)備生產(chǎn)廠應(yīng)用為少。
3,、貫徹執(zhí)行過程中的幾個注意點:
1)各分標準使用時應(yīng)與總則一起使用,。
2)對于復(fù)合試驗設(shè)備的周期檢定要若干分標準及總則一起使用
3)檢定條件:由總則規(guī)定,其內(nèi)容與設(shè)備標準相一致,。
4)負載要求:由總則規(guī)定,,其內(nèi)容按設(shè)備標準GB11158中規(guī)定保持一致,。 
 

 

四、設(shè)備標準與檢定方法標準差異辨析

對照內(nèi)容
 
設(shè)備標準
 
方法標準
 
適用范圍
 
產(chǎn)品的出廠檢驗及型式檢驗與質(zhì)量監(jiān)督檢驗
 
試驗設(shè)備的周期檢定
 
環(huán)境條件
 

 

具有一致性
負載條件
 
有三項要求(鹽霧試驗箱例外)
 
按設(shè)備標準GB11158中的規(guī)定
 
檢驗項目
 
對生產(chǎn)好的產(chǎn)品進行綜合性能檢驗(包括標志,、包裝,、儲存)
 
按試驗方法要求對試驗設(shè)備進行檢驗
 
受檢對象
 
生產(chǎn)線上裝配、調(diào)試完成后的產(chǎn)品
 
外形,、結(jié)構(gòu),、標志完好控制系統(tǒng)無明顯缺陷、控制精度符合要求安全裝置功能正常
 
檢驗類型
 
型式檢驗,、出廠檢驗,、仲裁檢驗
 
周期檢驗
 
檢驗結(jié)果分類
 
合格,、不合格,、批合格、批不合格
 
合格,、準用,、停用
 
結(jié)果處理
 
合格出廠、不合格不準出廠批不合格,、逐臺檢驗質(zhì)量監(jiān)督檢驗,,合格續(xù)產(chǎn)不合格停產(chǎn)整頓
 
合格發(fā)合格證(或部分合格限使用范圍)
準用發(fā)準用證
停用發(fā)停用證
 

五、        設(shè)備極其參數(shù)檢定標準與試驗方法標準的對應(yīng)選擇
1,、根據(jù)受試產(chǎn)品規(guī)定的試驗方法確定環(huán)境試驗設(shè)備的種類,,現(xiàn)行設(shè)備標準是一種產(chǎn)品標準對應(yīng)一類設(shè)備,可作多種試驗的復(fù)合試驗箱需執(zhí)行多個設(shè)備標準,。
2,、根據(jù)試驗方法要求,對設(shè)備進行周期檢定時,,可選用一個或多個檢定方法標準對試驗設(shè)備進行檢定,。
3幾種常用的不同試驗方法所需設(shè)備的檢定方法標準

 

試驗方法標準

 

檢定方法標準
代號
 
名稱
 
代號
 
名稱
 
GB2423.1
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境2部分試驗方法試驗A:低溫
 
GB5170.2
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法溫度試驗設(shè)備
 
GB2423.1
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境2部分試驗方法試驗B:高溫
 
GB2423.22
 
電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程試驗N:溫度變化試驗方法
 
GB2423.3
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法試驗Ca:恒定濕熱
 
GB5170.5
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法濕熱試驗設(shè)備
 
GB2423.4
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法試驗Db:交變濕熱
 
GB2423.9
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法試驗Cb:設(shè)備用恒定濕熱
 
GB2423.16
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法試驗J:長霉
 
GB2423.17
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法試驗Ka:鹽霧
 
GB5170.8
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法鹽霧試驗設(shè)備
 
GB2423.18
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法試驗Kb:交變鹽霧
 
GB2423.19
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法 Kc:接觸點和連接件的二氧化硫試驗
 
GB5170.11
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法
腐蝕氣體試驗設(shè)備
 
GB2423.20
 
電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗2部分試驗方法 Kd:接觸點和連接件硫件氫試驗方法
 

六,、        進行環(huán)境試驗過程中的幾個注意點
1,、合理選擇設(shè)備溫濕度范圍及控制精度
2注意受試品的體積,、重量及擋風橫截對設(shè)備主性能的影響
3,、設(shè)備安置場所環(huán)境條件
4適當選擇試驗的嚴酷度
七,、        結(jié)束語
通過對環(huán)境試驗設(shè)備標準及電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設(shè)備基本參數(shù)檢定方法標準的初步分析,,兩類標準各自有其獨立性,但相互之間又具有一定的關(guān)聯(lián)性,。因此,,準確理解兩類標準的適用范圍,,熟悉兩類標準技術(shù)內(nèi)容的根本差異,是我們準確貫徹,、切實執(zhí)行兩類標準的前提,。愿我們在今后的事業(yè)中為貫徹執(zhí)行好這兩類標準而共同努力。
 

 

 

1 環(huán)境試驗設(shè)備標準對測試用負載條件

 

匯  總  表

 

負載條件名稱

 

要求或參數(shù)

 

適用標準號

 

品種

 

1,、電工,、電子產(chǎn)品或絕緣材料

 

2、其他產(chǎn)品,、零部件

 

GB10586

 

GB10588

 

GB10589

 

GB10590

 

GB10591

 

GB10592

 

GB11158

 

GB11159

 

總質(zhì)量

 

50~80Kg/m3

 

總體積

 

1/5

 

Vw(工作室容積)

 

阻擋主風道面積

 

1/3

 

Sw(該工作室截面積)

 

金屬板

 

50*100*1~2mm

 

 

GB10587

 

樣品數(shù)量

 

至少160/m2(工作室水平面面積)

 

2 我國環(huán)境試驗設(shè)備標準中設(shè)備使用基本環(huán)境條件

 

對照表

環(huán)境條件名稱
 
環(huán)境條件參數(shù)或要求
 
GB
10586
 
GB
10587
 
GB
10588
 
GB
10589
 
GB
10590
 
GB
10591
 
GB
10592
 
GB
11158
 
GB
11159
 
溫度
 
15~35
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
相對濕度
 
85%
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
大氣壓強
 
85Kpa~106Kpa
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
熱輻射
 
無陽光直射到箱體,,無熱源越冬輻射箱體
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
氣流
 
箱體周圍無強烈氣流,需用時,,不可直接吹到箱體
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
電磁場
 
周圍無強烈電磁場
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
三廢影響
 
無高深度粉塵及腐蝕性物質(zhì)(氣,、液、固體)
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
冷卻水源
 
溫度不大于30℃,,水壓為0.1~0.3Mpa
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
加濕水泵
 
電阻率不低于50Ω.M
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 
電源
 
電壓:220±22V/380±38V,,頻率:50±0.5H
 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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