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NexION 300S ICP-MS測定半導(dǎo)體級硫酸中的雜質(zhì)

閱讀:393      發(fā)布時間:2025-3-12
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前言 制造半導(dǎo)體器件包括在基板上形成一個犧牲層,。 通常,犧牲層由一個圖形化的光阻層組成,,這樣 就可以使離子注入基板,,之后再用一種濕式蝕刻 溶液來消除圖形化的光阻層。


通常情況下,,蝕刻液由硫酸(H2SO4 )和過氧化氫(H2O2 )配制而成,,也被稱為食人 魚或臭氧硫酸。由于是與其他化學(xué)物質(zhì)一起使用的,,任何金屬雜質(zhì)的引入都將會對 IC器件的可靠性產(chǎn)生不利影響,,因此需要使用的硫酸具有高純度和高質(zhì)量。SEMI標(biāo) 準(zhǔn)C44-0708對硫酸中的金屬污染物按元素和等級規(guī)定了最大允許濃度,。 由于具有快速測定各種工藝化學(xué)品中超痕量濃度(ng/L或萬億分之)待測元素的 能力,,電感耦合等離子體質(zhì)譜儀(ICP-MS)已成為了質(zhì)量控制分析工 具。然而,,在傳統(tǒng)的等離子體條件下,,往往存在氬離子與基質(zhì)成分結(jié)合產(chǎn)生多原 子干擾的情況。硫酸中的部分干擾有:32S15N+47Ti +,,32S16O2+64Zn+,,ArS+70-74 Ge+38 Ar1H+39 K+,,40 Ar +40 Ca+,,以及40 Ar 16 O+ 56 Fe+的干擾。


動態(tài)反應(yīng)池(DRC™)使用四級桿質(zhì)量過濾器建立動態(tài)帶通(DBT),,是消除目標(biāo)元 素干擾物的一種強有力的校正技術(shù),。使用非反應(yīng)氣體的碰撞池技術(shù)也被證明是一種 減少特定多原子干擾的簡單可行的方法。PerkinElmer公司的NexION® 300 ICP-MS置的通用池技術(shù)(Universal Cell Technology™)同時提供了動態(tài)反應(yīng)池和碰撞池這 兩種技術(shù),,使得能夠在一個分析方法中使用所有的三種模式,,即標(biāo)準(zhǔn)模式、碰撞模 式和反應(yīng)模式,。


本應(yīng)用報告證明了PerkinElmer公司的NexION 300 ICP-MS 去除干擾,,從而在使用高溫等離子體的條件下通過一次 分析就能夠?qū)?/span>H2SO4 中全部痕量水平的雜質(zhì)元素進行測定 的能力。


實驗條件 H2SO4 的濃度通常為98%,。在本實驗中,,我們從用戶處 獲得半導(dǎo)體級純度為98%的硫酸,并將其稀釋10倍,。標(biāo) 準(zhǔn)溶液使用濃度為10 mg/L的多元素標(biāo)準(zhǔn)(PerkinElmer Pure,,珀金埃爾默公司,,美國康涅狄格州謝爾頓) 配制。實驗使用的儀器為NexION 300S ICP-MS珀金埃爾默公司,,美國康涅狄格州謝爾頓),。儀器 參數(shù)和進樣系統(tǒng)組件如表1所示。


結(jié)果 使用標(biāo)準(zhǔn)加入法對H2SO4 樣品進行定量分析,。圖 1-3分別為Zn,、FeNi的標(biāo)注曲線,由圖可見均呈 現(xiàn)較好的線性,。這是由于選用的NH3 反應(yīng)氣和動態(tài) 帶通調(diào)諧消除了所有的多原子干擾,。

檢出限(DLs)和背景等效濃度(BECS)都使用 10% H2SO4 進行測定,從而計算出10% H2SO4 靈敏度,。檢出限(DLs)的計算由標(biāo)準(zhǔn)偏差乘以3 得到,,而背景等效濃度(BECS)則通過測定信號 強度得到?;厥章视杉訕?biāo)20 ng/L的溶液測定計算 得到,。結(jié)果總結(jié)于表2通過向NexION 300S連續(xù)進樣加標(biāo)濃度為10 ng/L 10% H2SO4 溶液10小時進行穩(wěn)定性試驗,。由圖 4和圖5可見,,儀器的穩(wěn)定性佳,,10小時以上測 試結(jié)果的RSDs < 3%,。穩(wěn)定性結(jié)果和加標(biāo)回收率 數(shù)據(jù)更證明了NexION 300S ICP-MS具有分析H2SO4 基質(zhì)中SEMI規(guī)定的所有元素的能力。


結(jié)論 NexION 300S ICP-MS在對H2SO4 ng/L水平的超痕量雜質(zhì)進行 日常定量分析時表現(xiàn)出了可靠性和適宜性,。通用池由 計算機控制進行標(biāo)準(zhǔn)模式和反應(yīng)模式的切換,,這樣就可以使 用高溫等離子體在一次進樣中對所有元素進行無干擾分析。



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