在上篇文章中，我們主要介紹了半導體行業(yè)中關于芯片生產(chǎn)需要嚴格關注空氣與純水的質(zhì)量,。然而除了環(huán)境空氣與超純水,，還有一部分是需要關注的就是化學試劑,。
在電子產(chǎn)品的生產(chǎn)過程中需要用到的試劑是電子級試劑，要求電性雜質(zhì)含量極低,，才可以控制產(chǎn)品終的質(zhì)量,。而有些半導體材料中甚至會人為加入一些特定的成分，從而其電導性能才具有可控性,，因此試劑中雜質(zhì)離子的含量,，就變得尤為重要。
那么涉及到半導體的試劑有哪些呢,？
他們的作用分別是什么呢,？
我們大致可以將其分為三類：酸（如氫氟酸、硝酸,、硫酸等）,、堿（氫氧化鉀、氫氧化鈉,、氫氧化銨等）,、溶劑（異丙醇、丙酮等）,，本篇主要給大家介紹酸,。
半導體中常用的酸
半導體設備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SEMI）對這有各種明確的標準規(guī)定（見下表，單位為ppm,，以高級別算）。
那么對于這些高純度的試劑中的雜質(zhì)離子,，我們怎么樣去測試呢,？測試過程中會遇到什么樣的問題呢？今天我們首先針對不同種類的酸,，且看賽默飛離子色譜為大家提出的一個個的解決方案,！
高純試劑——氫氟酸、磷酸中的雜質(zhì)
利用這兩種酸均為弱酸的特點,，因此可采用同一方法——柱切換進行分析,，相關標準分別為：
SEMI C28 氫氟酸中的陰離子、GBT 31369-2015,；
SEMI C36 濃磷酸中的陰離子,、GBT 28159-2011。
氫氟酸（HF）,、磷酸（H3PO4）,、乙酸（CH3COOH）均為弱酸，利用排斥柱Donnan原理,，弱酸及有機酸在排斥柱上有保留而無機陰離子沒有保留的特點,，我們采取柱切換的方式可以將以弱酸為基體的主成分切換掉,，同時無機陰離子進入到濃縮柱中進行富集。再經(jīng)過高容量色譜柱進行分離,，可以準確測定氫氟酸與濃磷酸中無機陰離子含量,，避免了高濃度基質(zhì)的干擾，且檢出限可達10ppb,。
氫氟酸中常見陰離子譜圖
濃磷酸的離子排斥色譜圖
（1. 強酸離子,；2. 磷酸根）
濃磷酸中常見陰離子譜圖
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高純試劑——濃硝酸中陰離子
弱酸的方案我們得到了解決，那么無機強酸中的陰離子怎么去解決呢,？這又面臨著新的挑戰(zhàn),，硝酸是無機強酸，柱切換的方式已然不可用,，那么這次挑戰(zhàn)得到解決有賴于我們賽默飛*的高容量色譜柱,，高容量色譜柱可以保證即使在出現(xiàn)高基體的情況下，也不會導致色譜柱飽和且不會影響痕量離子的分離度,，稀釋50倍后,，濃度差可達十萬倍，進樣分析譜圖如下,，檢出限可達1ppm,。
75%硝酸稀釋50倍進樣
高純試劑——濃硫酸中雜質(zhì)陰離子
恭喜飛飛又完成了一項挑戰(zhàn)，解決了濃硝酸中痕量陰離子的問題,，可是挑戰(zhàn)還有哦,，濃硫酸的問題又該如何解決呢？濃硫酸是二元強酸,，且保留很強,，那么賽默飛有那么多款色譜柱，總有一款適合你（濃硫酸）,，選擇合適的高容量色譜柱,，使得硫酸根離子既不會飽和色譜柱，也可以與待測離子有較好的分離度,，也可以做到直接稀釋進樣哦,。
硫酸稀釋后測試后譜圖
硫酸稀釋后加標譜圖（分別加標20、30,、50ppb）
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高純試劑——鹽酸中雜質(zhì)陰離子
強酸體系中,，還有一員大將——濃鹽酸，高容量色譜柱依然是解決該方案的首要因素,，可以很好分離高基體中的痕量物質(zhì),，濃鹽酸稀釋200倍后可直接進樣進行分析，譜圖如下：
0.5% HCl及其加標譜圖（50ppb）
這么多年以來，賽默飛離子色譜與半導體行業(yè)一起成長,，為各大半導體企業(yè)及其供應鏈上下游行業(yè)提供穩(wěn)定的技術支持與可靠的數(shù)據(jù)保證,。下面附上可實現(xiàn)上述功能的離子色譜全明星陣容。
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