下列物質(zhì)將損壞白金（坩堝和傳感器）

l  鹵素（Cl2,，F(xiàn)2,，Br2），王水

l  Li2CO3 ,，CO2釋出之前

l  PbO,，F(xiàn)eCl3

l  Be 合金（在熔點以上即開始揮發(fā)）

l  HCl與氧化性物質(zhì)（如鉻酸，錳酸鹽,，三價鐵鹽,，熔融鹽）混合

l  還原性氣氛

l  金屬和金屬蒸汽，如Pb,，Zn,，Sn，Ag,，Au,，Hg，Li,，Na,，K，Sb,，Bi,，Ni，F(xiàn)e,，steel,，As，Si

l  P, B

l  Se在320℃以上（建議在測試完成后立即冷卻并移去樣品，以防止硒的揮發(fā)）

l  金屬氧化物與還原性物質(zhì)混合,，如C,、有機化合物或H2

l  高溫下氧化物在惰性氣體中（還原反應(yīng)）

l  S（使表面粗糙、脆化）

l  較高溫度下,，堿金屬類氫氧化物,，堿金屬碳酸鹽、堿金屬硫酸鹽,、堿金屬Cyanide以及堿金屬硫Cyanide

l  KHSO4,，較高溫度下

l  碳黑或單體碳，1000℃以上

l  SiO2,，還原性條件下

l  SiC和Si3N4,，1000℃以上（元素Si的釋放）

l  HBr，KCN溶液,，較高溫度下

l  耐高溫氧化物,，1000℃以上

l  新加入：PbTe

白金（坩堝和傳感器）對下列物質(zhì)不具備抵抗力

l  KNO3與NaOH混合物，700℃,，無空氣存在情況下

l  KOH與K2S混合物,，700℃，無空氣存在情況下

l  LiCl,，600℃

l  Na2O2,，500℃，無空氣存在情況下

l  MgCl2,，Ba(NO3)2,，700℃

l  HBr，HI,，H2O2（30%）與HNO3,，100℃

l  KCl（熔融過程中的分解產(chǎn)物具有破壞性，熔點：768℃）

白金（坩堝和傳感器）對下列物質(zhì)抵抗力有限

l  KHF2,，LiF,，NaCl，900℃

l  NaOH與NaNO3的混合物,，700℃,，無空氣存在情況下

下列物質(zhì)將損壞氧化鋁

l  N2在碳的存在下：形成AlN。因此較高溫度下在氮氣氣氛中用Al2O3坩堝測試碳黑是危險的,。

l  F2：將形成AlF3與O2

l  Cl2：在700℃以上形成AlCl3

l  S：與液態(tài)硫不反應(yīng),，若氣相中存在碳，則在較高溫度下形成硫化物,。

l  H2S：在加熱情況下將形成高至3%的Al2S3

l  C：約從1400℃起將形成碳化物與Al,。

l  HF：在較高溫度下定量生成AlF3與H2O

l  CuSO4：約從1000℃起擴散滲透坩堝底部

l  含Si化合物(如MoSi2)：在惰性氣氛下約從1200℃起污染氧化鋁坩堝,；在空氣氣氛下將在接觸點發(fā)生反應(yīng)。

l  金屬氟化物：熔融后發(fā)生反應(yīng),，形成AlF6陰離子與類似于冰晶石的無機鹽。

l  SiO2玻璃：熔融后的玻璃將溶解Al2O3

l  堿金屬與堿土金屬的硫酸氫鹽

l  HCl：600℃之前無反應(yīng),，600℃后在碳的存在下反應(yīng)程度逐漸增加,。

l  B2O3或硼砂：熔體將溶解Al2O3，形成硼酸鋁與硼化鋁

l  堿金屬與堿土金屬的氧化物,，以及其含揮發(fā)性陰離子的鹽類：熔融物與氧化鋁反應(yīng)形成鋁酸鹽或復(fù)氧化物,，這對于氫氧化物、氮化物,、硝酸鹽,、碳酸鹽、過氧化物等尤為重要,。

l  CaC2：加熱后形成Al4C3

l  PbO：700℃以上發(fā)生反應(yīng),。對于更高價的鉛氧化物以及帶揮發(fā)性酸根的鉛鹽同樣如此。

l  UO3：450℃以上開始反應(yīng),，與PbO情況相似,。

l  MeIIO：Me = Fe2+，Co2+,，Ni2+ 等,，形成尖晶石，1200℃以上形成CaO,。

l  堿金屬與堿土金屬的鐵酸鹽：熔融物將溶解氧化鋁

l  LiF

l  熔融范圍在800℃～1200℃之間的鋯合金：緩慢微弱的反應(yīng)

l  某些金屬合金,，如Fe與4%的Al

l  鈦合金（*的氧氣親和性）

l  在高溫下可能與Fe-Ni合金和Mg合金反應(yīng)

下列物質(zhì)將損壞石墨

l  O2，400℃以上

l  熔融金屬,，如Fe,，Co，Ni,，Na

l  N2,，1700℃開始反應(yīng)（形成少量的Cyanide）

l  氧化物（在直接接觸情況下可能被還原）

l  水蒸氣

l  F2，Br2,，室溫下

l  S

l  Si,，1400℃（形成SiC）

l  鉻酸（含水）

l  ClSO2OH Cl-SO3H

l  SiO2：通過中間產(chǎn)物SiO形成SiC（1800℃以上得到技術(shù)意義上的SiC產(chǎn)物；也就是說,，SiO2與C之間的反應(yīng)必定在較低的溫度下即已開始進行）

l  氧化氮氣體（NO,，NO2）

l  濃縮硫酸H2SO4，在約150℃,。高濃度硫酸H2SO4,，室溫

l  稀釋硝酸HNO3,，在約90℃。高濃度HNO3,，室溫,。

l  SO3，100℃以上

l  與高氯酸HClO4混合有爆炸危險,。

l  NaOCl,，50℃以上

備注：

1．以上列表不保證羅列了所有可能對坩堝有害的物質(zhì)或反應(yīng)。

2． 所給出的各溫度主要為文獻值,。由此,，在實際的測試條件下可能在較低的溫度下就會出現(xiàn)反應(yīng)。建議對于可能有危害性的樣品,，先在其它爐體中作預(yù)試驗,。