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■ 砷化銦探測(cè)器（InAs）
———近紅外探測(cè)器  波長(zhǎng)范圍：1-3.8μm
   DInAs3800和DInAs3800-TE兩種型號(hào),，其中：◆ DInAs3800內(nèi)裝進(jìn)口常溫型探測(cè)元件,；◆ DInAs3800-TE內(nèi)裝進(jìn)口TE制冷型探測(cè)元件,。

主要技術(shù)指標(biāo)  型號(hào)/參數(shù) DInAs3800 DInAs3800-TE 光敏面直徑（mm） 2 2 波長(zhǎng)范圍（μm） 1-3.8 1-3.8 峰值響應(yīng)度（A/W） 0.8 1.5 D*（@λpeak, 1KHz）cm Hz1/2W-1 2.5×109 9.1×1012 NEP（@λpeak,1KHz）pW/Hz1/2 71 4.4 溫控器型號(hào) - ZTC-2 探測(cè)器溫度（℃） 室溫 -40 溫度穩(wěn)定度（℃） - ±0.5 信號(hào)輸出模式 電流 電流 輸出信號(hào)性 正（P） 正（P） 制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC） 推薦使用前置放大器型號(hào)：ZAMP

砷化銦探測(cè)器使用建議：
● DInAs3800和DInAs3800-TE均為電流輸出模式的光電探測(cè)器,，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前,，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZAMP（Page85做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào),，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度,；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí),，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度,；
● DInAs3800和DInAs3800-TE配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器,，故可不再需要另行選配前置放大器,；
● 制冷型DInAs3800-TE砷化銦探測(cè)器，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制,。