單點拋錨浮標警示船只浮體

浮體應(yīng)（英語：Floating body effect）是在SOI技術(shù)中實現(xiàn)的晶體管與體勢（body potential）相關(guān)的應(yīng),。晶體管在緣體層上形成個電容,。這個電容上聚集的電荷可能會產(chǎn)生負面應(yīng),，例如，開啟結(jié)構(gòu)上的寄生晶體管和關(guān)態(tài)泄漏電流（off-state leakages）,，造成高的電流消耗,，以動態(tài)隨機存取存儲器丟失信息。它也造成歷史應(yīng)（英語：history effect）,，即晶體管與之前狀態(tài)閾值電壓有關(guān)的應(yīng),。在模擬電路器件中，浮體應(yīng)被稱作扭結(jié)應(yīng)（英語：Kink effect）,。

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動態(tài)隨機存取存儲器（Dynamic Random Access Memory,，DRAM）是種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表個二進制比（bit）是1還是0,。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,，導(dǎo)致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù)，而導(dǎo)致數(shù)據(jù)毀損,。因此對于DRAM來說,，周期性地充電是個可避的要件。由于這種需要定時刷新的性,，因此被稱為“動態(tài)”存儲器,。相對來說，靜態(tài)存儲器（SRAM）只要存入數(shù)據(jù)后,，縱使不刷新也不會丟失記憶,。
與SRAM相比，DRAM的勢在于結(jié)構(gòu)簡單——每個比的數(shù)據(jù)都只需個電容跟個晶體管來理,，相比之下在SRAM上個比通常需要六個晶體管,。正因這緣故，DRAM擁有高的密度,，單位體積的容量較高因此成本較低,。但相反的，DRAM也有訪問速度較慢,，耗電量較的缺點,。

門前左右角樓為鳴金、奏樂和瞭望,，東西兩側(cè)是轅門,。整個建筑飛檐畫棟，雄偉壯觀,。其興建于1888年(光緒十四年),。占地面積近1萬平方米，"傍海修筑,，高距危巖,，下臨地,，飛甍廣廈，輪奐美焉",。其平面呈長方,，主體建筑分前后三棟，三進院落,。