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變頻抗干擾介損測(cè)試儀
  • 變頻抗干擾介損測(cè)試儀

貨物所在地:江蘇揚(yáng)州市

更新時(shí)間:2024-10-24 15:47:39

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變頻抗干擾介損測(cè)試儀,,具有CVT變比測(cè)量功能??蓽y(cè)量CVT變比,、極性和相位誤差。

概況

變頻抗干擾介損測(cè)試儀是一種新穎的測(cè)量介質(zhì)損耗角正切(tgδ)和電容值(Cx)的自動(dòng)化儀表,??梢栽诠ゎl高電壓下,現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量各種絕緣材料,、絕緣套管,、電力電纜、電容器,、互感器,、變壓器等高壓設(shè)備的介質(zhì)損耗角正切(tgδ)和電容值(Cx),。與西林電容電橋相比,具有操作簡(jiǎn)單,、自動(dòng)測(cè)量,、讀數(shù)直觀、無(wú)需換算,、精度高,、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。儀器內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)電容器和升電壓裝置,,在“內(nèi)接"方式下使用,,無(wú)需其它外接設(shè)備,,便于攜帶,。


工作原理:

在交流電壓作用下,電介質(zhì)要消耗部分電能,,這部分電能將轉(zhuǎn)變?yōu)闊崮墚a(chǎn)生損耗,。這種能量損耗叫做電介質(zhì)的損耗。當(dāng)電介質(zhì)上施加交流電壓時(shí),,電介質(zhì)中的電壓和電流間成在相角差ψ,,ψ的余角δ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角,δ的正切tgδ稱(chēng)為介質(zhì)損耗角正切,。tgδ值是用來(lái)衡量電介質(zhì)損耗的參數(shù),。
儀器測(cè)量線(xiàn)路包括一標(biāo)準(zhǔn)回路(Cn)和一被試回路(Cx),如圖1所示,。標(biāo)準(zhǔn)回路由內(nèi)置高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)電容器與測(cè)量線(xiàn)路組成,,被試回路由被試品和測(cè)量線(xiàn)路組成。測(cè)量線(xiàn)路由取樣電阻與前置放大器和A/D轉(zhuǎn)換器組成,。
通過(guò)測(cè)量電路分別測(cè)得標(biāo)準(zhǔn)回路電流與被試回路電流幅值及其相位差,,再由單片機(jī)運(yùn)用數(shù)字化實(shí)時(shí)采集方法,通過(guò)矢量運(yùn)算便可得出試品的電容值和介質(zhì)損耗正切值,。儀器內(nèi)部已經(jīng)采用了抗干擾措施,,保證在外電場(chǎng)干擾下準(zhǔn)確測(cè)量。


特點(diǎn)

1,、具備CVT的自激法測(cè)試,,一次接線(xiàn),同時(shí)測(cè)量 C1,、C2的電容和tgδ

2,、具有反接線(xiàn)低壓屏蔽功能,在CVT母線(xiàn)接地情況下,,對(duì)C11可進(jìn)行不拆線(xiàn)10kV反接線(xiàn)介損測(cè)量

3,、具有外施電壓和外加CN的測(cè)量功能

4,、儀器測(cè)量準(zhǔn)確度高,可滿(mǎn)足油介損測(cè)量要求,,因此只需配備標(biāo)準(zhǔn)油杯,,和專(zhuān)用測(cè)試線(xiàn)即可實(shí)現(xiàn)油介損測(cè)量

5、采用變頻技術(shù)來(lái)消除現(xiàn)場(chǎng)50Hz工頻干擾,,即使在強(qiáng)電磁干擾的環(huán)境下也能測(cè)得可靠的數(shù)據(jù)

6,、過(guò)流保護(hù)功能,在試品短路或擊穿時(shí)儀器不受損壞

7,、內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容和高壓電源,,便于現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試,減少現(xiàn)場(chǎng)接線(xiàn)

8,、儀器采用大屏幕液晶顯示器,,測(cè)試過(guò)程通過(guò)漢字菜單提示既直觀又便于操作


變頻抗干擾介損測(cè)試儀

技術(shù)指標(biāo)

1、環(huán)境溫度:0~40℃(液晶屏應(yīng)避免長(zhǎng)時(shí)日照)

2,、相對(duì)濕度:30%~70%

3,、供電電源:電壓:220V±10%,頻率50±1Hz

4,、外形尺寸:長(zhǎng)×寬×高=4900mm×300mm×390mm

5,、重量:約18kg

6、輸出功率:1KVA

7,、顯示分辨率:4位

8,、測(cè)量范圍:

介質(zhì)損耗(tgδ):0-50%

電容容量(Cx)和加載電壓:

2.5KV檔:≤300nF(300000pF)

3KV檔:≤200nF(200000pF)

5KV檔:≤ 76nF( 76000pF)

7.5KV檔:≤ 34nF( 34000pF)

10 KV檔:≤ 20nF( 20000pF)

9、基本測(cè)量誤差:

介質(zhì)損耗(tgδ):1%±0.07%(加載電流20μA~500mA)正接

介質(zhì)損耗(tgδ):2%±0.09%(加載電流 5μA~ 20mA)反接

電容容量( Cx ):1.5%±1.5pF

變頻抗干擾介損測(cè)試儀

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