[供應(yīng)]Plasmalab 133-牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機返回列表頁

貨物所在地：江蘇淮安市

產(chǎn)地：江蘇省淮安市清江浦區(qū)清浦工業(yè)園

更新時間：2024-11-14 16:35:36

有效期：2024年7月24日 -- 2025年11月14日

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儀器設(shè)備: 工業(yè)相機位移臺 X射線光譜儀顯微鏡光刻機單色儀控制機箱真空蒸發(fā) 刻蝕機光耦合光電源表真空鍍膜機清洗機光鑷轉(zhuǎn)移臺探針臺

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供應(yīng)簡介

艾博納牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機支持的晶圓尺寸最大為300mm（330mm基臺）RIE設(shè)置為GaN刻蝕射頻功率：600W,，13.56MHz水冷電極：10C-80C終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）帶8條氣體管線的氣體艙,。

詳情介紹

艾博納半導(dǎo)體刻蝕機全稱為：牛津儀器 RIE 半導(dǎo)體刻蝕機 Plasmalab 133,。刻蝕是半導(dǎo)體器件制造中選擇性地移除沉積層特定部分的工藝,。在半導(dǎo)體器件的整個制造過程中,，刻蝕步驟多達上百個，是半導(dǎo)體制造中常見的工藝之一,。本設(shè)備支持的晶圓尺寸最大為300mm（330mm基臺）RIE設(shè)置為GaN刻蝕射頻功率：600W,，13.56MHz水冷電極：10C-80C終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）帶8條氣體管線的氣體艙，包括以下7個質(zhì)量流量控制器（MFCs）：Ar：100sccmCl2：100sccmBCl3：100sccmN2O：200sccmCHF3：200sccmNH3：100sccmCH4：50sccm

射頻功率：600W,，13.56MHz
水冷電極：10C-80C
終點檢測：Verity光發(fā)射光譜（200-800nm）
帶8條氣體管線的氣體艙,，包括以下7個質(zhì)量流量控制器（MFCs）：
Ar：100sccm
Cl2：100sccm
BCl3：100sccm
N2O：200sccm
CHF3：200sccm
NH3：100sccm
CH4：50sccm