目錄:北京鴻瑞正達科技有限公司>>薄膜材料生長成套設(shè)備>> 4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)
產(chǎn)品簡介： 4 路質(zhì)子混氣管式 PECVD 系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進行,，利用了等離子體的活 性來促進反應(yīng),，環(huán)境溫度在 100℃-300℃,，但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解,、離解和離化,，從 而大大提高了反應(yīng)物的活性,， 這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上,， 發(fā)生 非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜,，因此這種 CVD 稱為等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）,。
產(chǎn)品型號 | 4 路質(zhì)子混氣管式 PECVD 系統(tǒng) |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下， 溫度 25℃±15℃ ,，濕度 55%Rh±10%Rh 下使用,。 1、水：不需要 2,、電： AC220V 50Hz,，必須有良好接地 3、氣：設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體,，需自備氣瓶氣源 4,、工作臺： 尺寸 1600mm×600mm×700mm ，,承重 150kg 以上 5,、通風(fēng)裝置：需要 |
主要特點 | 1,、內(nèi)爐膛表面涂有美國進口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率，同時也可以延長儀 器的使用壽命,。 2 ,、輝光放電等離子體中電子密度可達 109cm3-1012cm3。 3 ,、電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100 倍,。 4、配有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計,，可準(zhǔn)確地控制氣體流量,。 |
5、一個氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥,。 6,、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)部分,，可手動控制混合氣體的輸入。 |
7 ,、已通過 CE 認證,。 | |
技術(shù)參數(shù) | 管式爐 |
1、電源： AC220V 4KW 2,、爐管： ?50mm ,，?60mm ，?80mm 都可用 3,、溫度控制器： 30 段高精度數(shù)字可編程溫度控制器 4,、加熱區(qū)： 440mm 5、恒溫區(qū)： 150mm | |
等離子射頻電源 1,、輸入功率： AC220V 1KW 2,、輸出功率： 50W-500W 可調(diào)，±1% 3 ,、RF 頻率： 13.56MHz | |
4,、噪聲：≤55DB 5,、冷卻：風(fēng)冷 | |
真空泵和質(zhì)量流量計 1,、真空度： 10-3torr 2、波紋管： KF25 系列 3,、質(zhì)量流量計： 0-200 ,，誤差 0.02%，進氣口采用國際標(biāo)準(zhǔn)雙卡頭 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸： 管式爐 550mm×380mm×520mm ,，供氣及真空系統(tǒng) 600mm×600mm×1250mm 重量： 120kg |
可選配件 | 防腐型數(shù)字式真空顯示計 |
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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