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# 「5G 芯片可靠性驗(yàn)證」快速溫變?cè)囼?yàn)箱在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

時(shí)間:2025/2/19閱讀:35
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# 「5G 芯片可靠性驗(yàn)證」快速溫變?cè)囼?yàn)箱在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用

一,、引言


隨著 5G 技術(shù)的迅猛發(fā)展,,5G 芯片作為其核心組件,對(duì)可靠性提出了高要求,。半導(dǎo)體制造工藝復(fù)雜,,芯片在不同環(huán)境條件下的性能穩(wěn)定性關(guān)乎整個(gè) 5G 通信系統(tǒng)的成敗。快速溫變?cè)囼?yàn)箱憑借其精準(zhǔn)模擬極-端溫度環(huán)境的能力,,成為 5G 芯片可靠性驗(yàn)證關(guān)鍵設(shè)備,,為保障芯片質(zhì)量、推動(dòng) 5G 產(chǎn)業(yè)發(fā)展發(fā)揮著重要作用,。


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二,、芯片可靠性面臨的溫度挑戰(zhàn)


  1. 日常使用環(huán)境溫差大

    • 5G 終端設(shè)備(如智能手機(jī)、基站設(shè)備等)在范圍內(nèi)廣泛使用,,面臨從寒冷的極地到炎熱的沙漠等多樣化氣候環(huán)境,。芯片需在 -40℃至 +85℃甚至更寬的溫度區(qū)間內(nèi)正常工作,且要能經(jīng)受頻繁的溫度變化沖擊,,例如從室內(nèi)常溫迅速過渡到戶外高溫或低溫環(huán)境,,而不會(huì)出現(xiàn)性能衰退、失效等問題,。

  2. 芯片自身發(fā)熱與散熱不均

    • 在工作狀態(tài)下,,5G 芯片因高速的數(shù)據(jù)處理、信號(hào)傳輸?shù)热蝿?wù),,功耗較高,,會(huì)產(chǎn)生大量熱量。但由于芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)復(fù)雜,,不同區(qū)域散熱條件各異,,容易形成局部過熱現(xiàn)象。同時(shí),,當(dāng)設(shè)備從高負(fù)荷運(yùn)行轉(zhuǎn)為低負(fù)荷或待機(jī)狀態(tài)時(shí),,溫度又會(huì)快速下降,這種頻繁的自身熱循環(huán)對(duì)芯片材料,、焊點(diǎn)等部件的可靠性帶來嚴(yán)峻考驗(yàn),。

三、快速溫變?cè)囼?yàn)箱的工作原理及優(yōu)勢


  1. 工作原理

    • 基于制冷與制熱技術(shù),,快速溫變?cè)囼?yàn)箱內(nèi)部配備強(qiáng)大的制冷系統(tǒng)(如壓縮機(jī),、蒸發(fā)器、冷凝器等)和加熱系統(tǒng)(通常為電加熱絲),。通過可編程控制器(PLC)精確調(diào)控制冷制熱功率,,結(jié)合高效的空氣循環(huán)風(fēng)機(jī),使箱內(nèi)空氣溫度能夠按照預(yù)設(shè)的速率快速上升或下降,,精準(zhǔn)模擬各種復(fù)雜的溫度變化曲線,。

    • 例如,可設(shè)定從 25℃以每分鐘 10℃的速率升溫至 100℃,然后在 100℃恒溫一段時(shí)間后,,再以每分鐘 15℃的速率降溫至 -40℃,,如此循環(huán)往復(fù),以驗(yàn)證芯片在不同溫變階段的可靠性,。

  2. 優(yōu)勢

    • 精準(zhǔn)控溫:采用高精度的溫度傳感器(如熱敏電阻,、熱電偶)多點(diǎn)分布于箱內(nèi),實(shí)時(shí)監(jiān)測并反饋溫度信息至控制系統(tǒng),。配合的 PID(比例 - 積分 - 微分)控制算法,,確保箱內(nèi)溫度控制在極小的偏差范圍內(nèi),一般能達(dá)到 ±0.5℃甚至更高精度,,滿足芯片對(duì)溫度精度的苛刻要求,。

    • 快速溫變能力:區(qū)別于傳統(tǒng)的恒溫恒濕試驗(yàn)箱,快速溫變?cè)囼?yàn)箱具備強(qiáng)的升降溫速率,,高可達(dá)每分鐘數(shù)十?dāng)z氏度,,能夠高度逼真地重現(xiàn)芯片在實(shí)際使用中面臨的快速溫度切換場景,有效檢測芯片在急冷急熱環(huán)境下的性能變化,。

    • 多樣化編程功能:支持復(fù)雜的多段編程模式,,操作人員可以根據(jù)不同的芯片測試標(biāo)準(zhǔn)和需求,靈活定制各種溫度變化程序,,涵蓋升溫、降溫,、恒溫,、循環(huán)等多個(gè)環(huán)節(jié),適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)繁多的測試規(guī)范,。

四,、在 5G 芯片可靠性驗(yàn)證中的具體應(yīng)用


  1. 材料特性測試

    • 將芯片裸片或封裝后的芯片樣品置于試驗(yàn)箱內(nèi),按照設(shè)定的溫度循環(huán)程序運(yùn)行,。通過監(jiān)測芯片在不同溫度下的電學(xué)參數(shù)(如電阻,、電容、漏電流等)變化,,評(píng)估芯片制造所使用的半導(dǎo)體材料(如硅,、砷化鎵等)、封裝材料(如環(huán)氧樹脂,、陶瓷等)在溫度應(yīng)力下的穩(wěn)定性,,判斷材料是否會(huì)出現(xiàn)熱膨脹系數(shù)不匹配導(dǎo)致的開裂、分層等缺陷,。

  2. 焊點(diǎn)可靠性評(píng)估

    • 針對(duì)芯片與封裝基板之間的焊點(diǎn),,快速溫變?cè)囼?yàn)箱模擬芯片在實(shí)際使用中的溫度波動(dòng)。高溫下焊點(diǎn)材料軟化,低溫下又收縮,,經(jīng)過多個(gè)溫變周期后,,利用 X 射線檢測、金相分析等手段檢查焊點(diǎn)是否有開裂,、虛焊等失效形式,,確保芯片在長期使用過程中的電氣連接可靠性。

  3. 芯片功能完整性驗(yàn)證

    • 在試驗(yàn)箱內(nèi),,讓芯片處于不同的溫度階段,,同時(shí)通過外部測試設(shè)備向芯片輸入模擬信號(hào),監(jiān)測芯片輸出信號(hào)的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性,。例如,,驗(yàn)證 5G 芯片在低溫環(huán)境下的信號(hào)接收靈敏度、在高溫環(huán)境下的數(shù)據(jù)處理速度是否符合設(shè)計(jì)要求,,確保芯片在全溫度范圍能正常執(zhí)行其通信功能,。

五、應(yīng)用案例與成果


  1. 某半導(dǎo)體企業(yè)在研發(fā)新一代 5G 芯片過程中,,引入快速溫變?cè)囼?yàn)箱進(jìn)行可靠性驗(yàn)證,。在為期三個(gè)月的密集測試中,針對(duì)芯片的不同封裝形式,、不同功能模塊設(shè)計(jì)了多套溫變測試程序,。通過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)并解決了幾處潛在的焊點(diǎn)可靠性問題,優(yōu)化了芯片封裝材料的選型,,使得芯片在后續(xù)的量產(chǎn)階段良品率提高了 15%,,大幅降低了生產(chǎn)成本,同時(shí)確保了產(chǎn)品推向市場后的穩(wěn)定性,,提高了品牌聲譽(yù),。

  2. 在一家 5G 基站設(shè)備制造商的質(zhì)量管控環(huán)節(jié),快速溫變?cè)囼?yàn)箱作為關(guān)鍵檢測手段,,對(duì)每批次采購的 5G 芯片進(jìn)行入廠抽檢,。經(jīng)過嚴(yán)格的溫度可靠性測試,淘汰了一批在高溫環(huán)境下存在功能異常的芯片,,避免了因芯片問題導(dǎo)致的基站設(shè)備故障隱患,,保障了基站在各種氣候條件下的穩(wěn)定運(yùn)行,為 5G 網(wǎng)絡(luò)的廣泛部署奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),。

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六,、未來展望


隨著 5G 技術(shù)向更高速、更小型化,、更復(fù)雜應(yīng)用場景發(fā)展,,對(duì) 5G 芯片可靠性的要求將持續(xù)攀升。快速溫變?cè)囼?yàn)箱也將不斷進(jìn)化,,一方面提升控溫精度與溫變速率,,進(jìn)一步縮小組件在溫度試驗(yàn)中的失效概率;另一方面與人工智能,、大數(shù)據(jù)等新興技術(shù)融合,,實(shí)現(xiàn)智能化測試診斷,如自動(dòng)分析測試數(shù)據(jù),、預(yù)測芯片壽命等,,為 5G 芯片乃至整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的蓬勃發(fā)展提供更強(qiáng)大的技術(shù)支撐。


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