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高壓電源

由于高壓的波動會引起放大倍數(shù)波動高一個數(shù)量級,，因此對電壓穩(wěn)定性的要求比放大倍數(shù)穩(wěn)定性要求高一個數(shù)量級,。特別作能譜測量,，譜峰位置的穩(wěn)定性十分重要（一個高壓穩(wěn)定性為0.2‰的高壓電源,取道址為256道時,峰飄小于半道）,。

NaI單晶譜儀γ譜的生成公寓人防生物戰(zhàn)劑報警器G-N32E天道

當(dāng)γ射線的能量全部耗盡在NaI閃爍體內(nèi)時,探測器輸出的脈沖幅度與入射的γ光子能量成正比,由此可根據(jù)脈沖幅度譜來測定γ光子的能譜,。

1,、一個單核素公寓人防生物戰(zhàn)劑報警器G-N32E天道

Cs的譜的生成137Cs的662kev能譜包括三個峰和一個平臺（典型）137

A—全能峰，662kev直接反映γ射線能量,，由光電效應(yīng)及多次效應(yīng)的貢獻,；

B—康普頓坪，為散射光子逃出NaI后留下的一個能量連續(xù)的電子譜,，該坪有

個邊界,，應(yīng)在470kev左右；

C—反散射峰,，它是由于在NaI中未經(jīng)吸收穿出的γ光子,，在閃爍體后面物質(zhì)上

發(fā)生康普頓效應(yīng)，反散射光子回NaI中，通過光電效應(yīng)被記錄,，由前述,，它的能量總在

200kev左右。

D—Ba的χ射線峰,，由于Cs發(fā)生β衰變后,，Ba的激發(fā)態(tài)放出內(nèi)轉(zhuǎn)換電子，在137137137K層造成空位,，外層電子躍遷而成,。實際譜圖中，C峰和D峰可能較弱而并不明顯,。