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隨著信號(hào)上升沿時(shí)間的減小,，信號(hào)頻率的提高，電子產(chǎn)品的EMI問(wèn)題,，也來(lái)越受到電子工程師的重視,。高速pcb設(shè)計(jì)的成功，對(duì)EMI的貢獻(xiàn)越來(lái)越受到重視,，幾乎60％的EMI問(wèn)題可以通過(guò)高速PCB來(lái)控制解決,。

如上圖所示：在高速的PCB設(shè)計(jì)中,，時(shí)鐘等關(guān)鍵的高速信號(hào)線,，則需要進(jìn)行屏蔽處理，如果沒(méi)有屏蔽或只屏蔽了部分,，都是會(huì)造成EMI的泄漏,。建議屏蔽線，每1000mil,，打孔接地,。

由于PCB板的密度越來(lái)越高,，很多PCB layout工程師在走線的過(guò)程中,，很容易出現(xiàn)這種失誤，如下圖所示：

時(shí)鐘信號(hào)等高速信號(hào)網(wǎng)絡(luò),，在多層的PCB走線的時(shí)候產(chǎn)生了閉環(huán)的結(jié)果,，這樣的閉環(huán)結(jié)果將產(chǎn)生環(huán)形天線，增加EMI的輻射強(qiáng)度,。

規(guī)則二提到高速信號(hào)的閉環(huán)會(huì)造成EMI輻射，同樣的開(kāi)環(huán)同樣會(huì)造成EMI輻射,，如下圖所示：

時(shí)鐘信號(hào)等高速信號(hào)網(wǎng)絡(luò),，在多層的PCB走線的時(shí)候產(chǎn)生了開(kāi)環(huán)的結(jié)果，這樣的開(kāi)環(huán)結(jié)果將產(chǎn)生線形天線,，增加EMI的輻射強(qiáng)度,。在設(shè)計(jì)中我們也要避免。

高速信號(hào),，在層與層之間切換的時(shí)候必須保證特性阻抗的連續(xù)，否則會(huì)增加EMI的輻射,，如下圖：

也就是：同層的布線的寬度必須連續(xù),，不同層的走線阻抗必須連續(xù),。

相鄰兩層間的走線必須遵循垂直走線的原則,，否則會(huì)造成線間的串?dāng)_,，增加EMI輻射，如下圖：

相鄰的布線層遵循橫平豎垂的布線方向,，垂直的布線可以抑制線間的串?dāng)_,。

在高速PCB設(shè)計(jì)中有兩個(gè)最為重要的內(nèi)容,，就是線路板特性阻抗的控制和多負(fù)載情況下的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),。在高速的情況下，可以說(shuō)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的是否合理直接決定,，產(chǎn)品的成功還是失敗,。

如上圖所示，就是我們經(jīng)常用到的菊花鏈?zhǔn)酵負(fù)浣Y(jié)構(gòu),。這種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)一般用于幾Mhz的情況下為益,。高速的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)我們建議使用后端的星形對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu)。

所有的高速信號(hào)必須有良好的回流路徑,。盡可能的保證時(shí)鐘等高速信號(hào)的回流路徑最小。否則會(huì)極大的增加輻射,，并且輻射的大小和信號(hào)路徑和回流路徑所包圍的面積成正比,。

退耦電容的擺放的位置非常的重要,。不合理的擺放位置,，是根本起不到退耦的效果。退耦電容的擺放的原則是：靠近電源的管腳,，并且電容的電源走線和地線所包圍的面積最小,。

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