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愛安德分享半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用
半導(dǎo)體曝光裝置用于包含MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）,、FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等半導(dǎo)體元件的IC（集成電路）的制造工序中的曝光工序。
在IC制造過(guò)程中,，在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán),，并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過(guò)程中,，半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此,，它已經(jīng) .例如，在n型MOS（NMOS）的情況下,，在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬,，并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型（n+型）MOS,。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1～抗蝕劑剝離工序S6),。
其中，曝光工序(S3)使用半導(dǎo)體曝光裝置來(lái)進(jìn)行,。根據(jù)電路圖案的尺寸和半導(dǎo)體元件的精度,，使用不同的曝光設(shè)備波長(zhǎng)。
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