電子產(chǎn)品高低溫測(cè)試檢測(cè)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)及方法
電子產(chǎn)品高低溫測(cè)試檢測(cè)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)及方法
高低溫測(cè)試應(yīng)用領(lǐng)域:電子通信類:手機(jī),、射頻器,、電子通信元器件等 計(jì)算機(jī)類:電腦,、顯示屏,、主機(jī),、電腦元器件,、醫(yī)療設(shè)備等精密儀器等; 電器類:家電,、燈具,、變電器等各類家電電器設(shè)備;電動(dòng)工具,汽車原件,,尼龍制品等各種行業(yè),。
高低溫試驗(yàn)方法:
先將箱溫調(diào)至 25 ℃±3 ℃,并保持此值,,相對(duì)濕度調(diào)至 45%~75%進(jìn)行2 h~6 h 穩(wěn)定溫度處理,。在最后1 h 內(nèi),將箱內(nèi)相對(duì)濕度提高至不低于95%,,溫度仍保持25 ℃±3 ℃,。
穩(wěn)定階段之后循環(huán)開始,使箱溫在2.5 h~3 h 內(nèi)由25 ℃±3 ℃連續(xù)上升到 55 ℃±2 ℃,這期間除最后15 min 內(nèi)相對(duì)濕度不低于90%外,,升溫階段相對(duì)濕度都不應(yīng)低于95%,,以使試品表面產(chǎn)生凝露,但不得在大型試驗(yàn)樣品上產(chǎn)生過量凝露,。然后在溫度為55 ℃±2℃的高溫高濕環(huán)境下保持到從循環(huán)開始算起12 h±0.5 h 止,。這一階段的相對(duì)濕度,除最初和最后的15 min內(nèi)不低于90%外,,均應(yīng)為(93±3)%,。
然后在 3 h~6 h 內(nèi),將箱溫由55 ℃±2 ℃降至 25 ℃±3℃,。最初1.5 h的降溫速率為10℃/h,,這期間的相對(duì)濕度除最初的15 min 內(nèi)不低于90%外,其他時(shí)間均不低于95%,。
降溫之后,,溫度保持 25 ℃±3 ℃,相對(duì)濕度不低于 95%,,從循環(huán)開始算起24 h 為一周期,。
高低溫測(cè)試檢測(cè)項(xiàng)目及標(biāo)準(zhǔn):
1. 高溫試驗(yàn)
高溫試驗(yàn)是用來確定產(chǎn)品在高溫氣候環(huán)境條件下儲(chǔ)存、運(yùn)輸,、使用的適應(yīng)性,。試驗(yàn)的嚴(yán)苛程度取決于高溫的溫度和曝露持續(xù)時(shí)間。
參考的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2423.2,、IEC 60068-2-2,、IEIA 364、MIL-STD-810F等,。
2. 低溫試驗(yàn)
低溫試驗(yàn)是用來確定產(chǎn)品在低溫氣候環(huán)境條件下儲(chǔ)存,、運(yùn)輸、使用的適應(yīng)性,。試驗(yàn)的嚴(yán)苛程度取決于低溫的溫度和曝露持續(xù)時(shí)間。
參考的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2423.1,、IEC 60068-2-1,、EIA 364、MIL-STD-810F等,。
3. 溫度沖擊試驗(yàn)
溫度沖擊試驗(yàn)是確定產(chǎn)品在溫度急劇變化的氣候環(huán)境下儲(chǔ)存,、運(yùn)輸、使用的適應(yīng)性,。試驗(yàn)的嚴(yán)苛程度取決于高/低溫,、駐留時(shí)間、循環(huán)數(shù)。
參考的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):IEC60068-2-14,、GB2423.22,、GJB150.5等
4. 快速溫變?cè)囼?yàn)
快速溫變?cè)囼?yàn)是用來確定產(chǎn)品在高溫、低溫快速或緩慢變化的氣候環(huán)境下的儲(chǔ)存,、運(yùn)輸,、使用的適應(yīng)性。
試驗(yàn)過程是以常溫→低溫→低溫停留→高溫→高溫停留→常溫作為一個(gè)循環(huán),,溫度循環(huán)試驗(yàn)的嚴(yán)苛程度是以高/低溫度范圍,、停留時(shí)間以及循環(huán)數(shù)來決定的。
參考的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2423.34,、IEC 60068-2-38,、JB150.5等。
5.交變濕熱試驗(yàn)
高低溫交變濕熱試驗(yàn)是航空,、汽車,、家電、科研等領(lǐng)域的測(cè)試項(xiàng)目,,用于測(cè)試和確定電工,、電子及其他產(chǎn)品及材料進(jìn)行高溫、低溫,、交變濕熱度或恒定試驗(yàn)的溫度環(huán)境變化后的參數(shù)及性能,。測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn):GB/T 2423.1、GB/T 2423.2,、GB/T 2423.3,、GB/T 2423.4。
值得注意的是IC芯片高低溫測(cè)試是模擬環(huán)境的試驗(yàn)箱,,在使用時(shí),,試驗(yàn)箱內(nèi)可能會(huì)有各種較端的環(huán)境,例如較低溫,、高溫高壓,、高溫高濕等特殊條件。在半導(dǎo)體芯片高低溫測(cè)試運(yùn)行中途,,若沒有非常必要打開試驗(yàn)箱門,,請(qǐng)勿打開試驗(yàn)線門,如果須要使用中途打開試驗(yàn)箱門,,那么請(qǐng)一定做好相關(guān)的防護(hù)措施,,用正確的方法打開試驗(yàn)箱門。