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產(chǎn)地類別	國產(chǎn)	價格區(qū)間	10萬-20萬
應(yīng)用領(lǐng)域	化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥,綜合

反應(yīng)釜加熱控溫機化工用冷熱一體機

無錫冠亞冷熱一體機典型應(yīng)用于：

高壓反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制,、

雙層反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制,、微通道反應(yīng)器冷熱源恒溫控制；

小型恒溫控制系統(tǒng),、蒸飽系統(tǒng)控溫,、材料低溫高溫老化測試、

組合化學冷源熱源恒溫控制,、半導體設(shè)備冷卻加熱,、真空室制冷加熱恒溫控制

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型號

SUNDI-125

SUNDI-125W

SUNDI-135

SUNDI-135W

SUNDI-155

SUNDI-155W

SUNDI-175

SUNDI-175W

SUNDI-1A10

SUNDI-1A10W

SUNDI-1A15

SUNDI-1A15W

介質(zhì)溫度范圍

-10℃～+200℃

控制系統(tǒng)

前饋PID ,無模型自建樹算法，PLC控制器

溫控模式選擇

物料溫度控制與設(shè)備出口溫度控制模式可自由選擇

溫差控制

設(shè)備出口溫度與反應(yīng)物料溫度的溫差可控制,、可設(shè)定

程序編輯

可編制5條程序,，每條程序可編制40段步驟

通信協(xié)議

MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口

外接入溫度反饋

PT100或4～20mA或通信給定（默認PT100)

溫度反饋

設(shè)備導熱介質(zhì) 溫度、出口溫度,、反應(yīng)器物料溫度（外接溫度傳感器）三點溫度

導熱介質(zhì)溫控精度

±0.5℃

反應(yīng)物料溫控精度

±1℃

加熱功率 kW

2.5

3.5

5.5

7.5

制冷量 kW

200℃

2.5

3.5

5.5

7.5

20℃

2.5

3.5

5.5

7.5

-5℃

1.5

2.1

3.3

4.2

流量壓力 max

L/min bar

2.5

壓縮機

海立

艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機

膨脹閥

丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥

蒸發(fā)器

丹佛斯/高力板式換熱器

操作面板

7英寸彩色觸摸屏,，溫度曲線顯示、記錄

安全防護

具有自我診斷功能,；冷凍機過載保護,；高壓壓力開關(guān)，過載繼電器,、熱保護裝置等多種安全保障功能,。

密閉循環(huán)系統(tǒng)

整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng)，高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,，系統(tǒng)在運行中不會因為高溫使壓力上升,，低溫自動補充導熱介質(zhì)。

制冷劑

R-404A/R507C

接口尺寸

G1/2

G3/4

水冷型 W

溫度 20度

600L/H

1.5bar~4bar

G3/8

800L/H

1.5bar~4bar

G1/2

1000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1200L/H

1.5bar~4bar

G3/4

1600L/H

1.5bar~4bar

G3/4

2000L/H

1.5bar~4bar

G3/4

外型尺寸(水）cm

45*65*120

50*85*130

55*100*175

70*100*175

外形尺寸 (風）cm

45*65*120

50*85*130

55*100*175

70*100*175

隔爆尺寸(風) cm

45*110*130

55*120*170

正壓防爆(水）cm

110*95*195

120*110*195

常規(guī)重量kg

115

165

185

235

280

300

電源 380V 50HZ

AC 220V 50HZ 3.6kW

5.6kW

7.5kW

10kW

13kW

20kW

選配風冷尺寸cm

50*68*145

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　　在現(xiàn)代半導體行業(yè)中,，冷熱循環(huán)試驗機通過準確控制溫度環(huán)境,，為半導體制造過程中的多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)提供必要的溫度保障，從而確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能,。反應(yīng)釜加熱控溫機化工用冷熱一體機

　　一,、冷熱循環(huán)試驗機的基本工作原理

　　冷熱循環(huán)試驗機是一種集制冷和加熱功能于一體的設(shè)備，能夠提供穩(wěn)定的高溫和低溫環(huán)境,，滿足半導體制造過程中復雜多變的溫度需求,，為半導體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和測試提供了可靠的保障,。

　　二,、冷熱循環(huán)試驗機在半導體制程中的應(yīng)用

　　1. 薄膜生長

　　在半導體制程中，冷熱循環(huán)試驗機能夠為薄膜生長提供所需的準確溫度環(huán)境,，促進材料的化學反應(yīng),，從而生長出高質(zhì)量的薄膜。通過準確控制溫度,，可以優(yōu)化薄膜的生長條件,，提高薄膜的均勻性和致密性，進而提升半導體器件的整體性能,。

　　2. 熱處理

　　半導體材料在制程過程中需要進行多種熱處理,，如退火、氧化等,。這些過程對溫度的要求非常嚴格,，稍有偏差就可能導致材料性能下降或器件失效。冷熱循環(huán)試驗機能夠提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境,，確保熱處理過程的順利進行,。例如，在氧化過程中,，通過準確控制溫度,，可以形成致密的二氧化硅層，有效保護晶圓表面,，防止化學雜質(zhì)和漏電流的影響,。

　　3. 摻雜工藝

　　摻雜是半導體制程中的環(huán)節(jié)之一，通過向材料中引入特定的雜質(zhì)來改變其電學性質(zhì),。冷熱循環(huán)試驗機能夠為摻雜工藝提供準確的溫度控制,，確保雜質(zhì)能夠均勻地分布在材料中,，從而獲得理想的摻雜效果。準確的溫度控制可以避免摻雜不均勻?qū)е碌钠骷阅懿▌?，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性,。反應(yīng)釜加熱控溫機化工用冷熱一體機

　　4. 清洗與刻蝕

　　在半導體制程中，清洗和刻蝕是去除表面污物和不需要材料的步驟,。冷熱循環(huán)試驗機能夠為這些工藝提供適當?shù)臏囟拳h(huán)境,，提高清洗和刻蝕的效果。適當?shù)臏囟瓤梢源龠M清洗劑和刻蝕劑的化學反應(yīng),，加速污物和不需要材料的去除,，從而保證半導體器件的清潔度和精度。

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