晶圓制造過程控溫Chillerr在晶圓制造中承擔(dān)關(guān)鍵溫控功能,，其應(yīng)用覆蓋光刻,、刻蝕、薄膜沉積等核心工藝環(huán)節(jié),。以下是具體應(yīng)用案例與技術(shù)細(xì)節(jié)分析：
一,、光刻工藝溫度控制
1.光刻膠恒溫管理：晶圓廠采用Chiller為ArF光刻機(jī)提供冷卻，通過維持光刻膠溫度在23±0.1℃,，使光源的曝光精度提升,。
2.鏡頭熱變形補(bǔ)償：在EUV光刻機(jī)中，晶圓制造過程控溫Chiller通過雙循環(huán)系統(tǒng)（-30℃冷水+40℃熱油）同步冷卻光學(xué)模塊,，將鏡頭熱膨脹系數(shù)控制,，實(shí)現(xiàn)節(jié)點(diǎn)套刻精度提升。
二,、刻蝕工藝動(dòng)態(tài)控溫
1.等離子體刻蝕溫度優(yōu)化：某存儲(chǔ)芯片廠在3D刻蝕中,，使用Chiller將反應(yīng)腔溫度穩(wěn)定在-20℃至80℃可調(diào)范圍，使刻蝕均勻性提升,。
2.濕法刻蝕液溫控：在硅槽刻蝕工藝中,，晶圓制造過程控溫Chiller維持氫氟酸混合液溫度在25±0.3℃,，刻蝕速率標(biāo)準(zhǔn)差下降。
三,、薄膜沉積工藝溫控
1.ALD原子層沉積：芯片制造中,，晶圓制造過程控溫Chiller為ALD設(shè)備提供40℃恒溫環(huán)境，使高介電薄膜厚度偏差更小,。
2.CVD反應(yīng)腔冷卻：在SiN薄膜沉積中,，采用雙級(jí)壓縮Chiller，將反應(yīng)腔壁溫控制在80±1℃,，薄膜應(yīng)力均勻性提升?！?/span>
四,、清洗與離子注入工藝
1.超純水冷卻系統(tǒng)：在晶圓單片清洗機(jī)中，晶圓制造過程控溫Chiller維持超純水溫度在22±0.2℃,，減少DI水表面張力波動(dòng),，使顆粒殘留降至。
2.離子注入機(jī)靶材冷卻：采用-40℃低溫Chiller冷卻硅靶材,，使硼離子注入深度偏差優(yōu)化,。
晶圓制造過程控溫Chiller的技術(shù)迭代正推動(dòng)晶圓制造向更好的方向發(fā)展，成為半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程中的突破點(diǎn)之一,。
