　　芯片的質(zhì)量主要取決于市場(chǎng)、性能和可靠性因素,。在芯片開(kāi)發(fā)的早期階段,，需要對(duì)市場(chǎng)進(jìn)行充分的研究，以定義滿足客戶需求的規(guī)格,；其次是性能,，IC設(shè)計(jì)工程師設(shè)計(jì)的電路需要通過(guò)設(shè)計(jì)模擬、電路驗(yàn)證,、實(shí)驗(yàn)室樣品評(píng)估和FT,，認(rèn)為性能滿足早期定義的要求；然后是可靠性,，因?yàn)闇y(cè)試芯片只能確?？蛻裟骋淮蔚玫綐悠罚孕枰M(jìn)行一系列的應(yīng)力測(cè)試,，模擬一些嚴(yán)格的使用條件對(duì)芯片的影響,，以評(píng)估芯片的壽命和可能的質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)。

　　大多數(shù)半導(dǎo)體器件的壽命在正常使用下可超過(guò)很多年,。但我們不能等到若干年后再研究器件,；我們?cè)黾邮┘拥膽?yīng)力。施加的應(yīng)力可增強(qiáng)或加快潛在的故障機(jī)制,，幫助找出根本原因,，并幫助采取措施防止故障模式。

　　二,、芯片行業(yè)常見(jiàn)的測(cè)試以及實(shí)驗(yàn)

　　1,、加速測(cè)試：在半導(dǎo)體器件中，常見(jiàn)的一些加速因子為溫度,、濕度,、電壓和電流。在大多數(shù)情況下,，加速測(cè)試不改變故障的物理特性,，但會(huì)改變觀察時(shí)間。加速條件和正常使用條件之間的變化稱為“降額"。高加速測(cè)試是基于資質(zhì)認(rèn)證測(cè)試的部分,。

　　2,、溫度循環(huán)：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)，溫度循環(huán)讓部件經(jīng)受苛刻高溫和低溫之間的轉(zhuǎn)換,。進(jìn)行該測(cè)試時(shí),，將部件反復(fù)暴露于這些條件下經(jīng)過(guò)預(yù)定的循環(huán)次數(shù)。

　　3,、高溫工作壽命：用于確定高溫工作條件下的器件可靠性,。該測(cè)試通常根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行。

　　4,、溫濕度偏壓高加速應(yīng)力測(cè)試：根據(jù)標(biāo)準(zhǔn),，器件經(jīng)受高溫高濕條件，同時(shí)處于偏壓之下,，其目標(biāo)是讓器件加速腐蝕,。

　　5、熱壓器/無(wú)偏壓：熱壓器和無(wú)偏壓用于確定高溫高濕條件下的器件可靠性,。它用于加速腐蝕,。不過(guò)，與這些測(cè)試不同,，不會(huì)對(duì)部件施加偏壓,。

　　6、高溫貯存：用于確定器件在高溫下的長(zhǎng)期可靠性,，器件在測(cè)試期間不處于運(yùn)行條件下,。

　　7、靜電放電：靜電荷是靜置時(shí)的非平衡電荷,。通常情況下,，它是由絕緣體表面相互摩擦或分離產(chǎn)生；一個(gè)表面獲得電子,，而另一個(gè)表面失去電子,。其結(jié)果是稱為靜電荷的不平衡的電氣狀況。

　　當(dāng)靜電荷從一個(gè)表面移到另一個(gè)表面時(shí),，它便成為靜電放電 ,，并以微型閃電的形式在兩個(gè)表面之間移動(dòng)。當(dāng)靜電荷移動(dòng)時(shí),，就形成了電流,，因此可以損害或破壞氧化層、金屬層和結(jié),。

　　三,、芯片高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)

高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)：適用于芯片,、微電子器件、集成電路,、光通訊（如：收發(fā)器 Transceiver 高低溫測(cè)試,、SFP 光模塊高低溫測(cè)試等）等特性分析、高低溫溫變測(cè)試,、溫度沖擊測(cè)試,、失效分析等可靠性試驗(yàn)。

高低溫循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)在芯片研發(fā)測(cè)試中的應(yīng)用介紹

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