微流控芯片溫度控制主要運用在芯片行業(yè)中，那么，對于微流控芯片溫度控制中的一些專業(yè)術(shù)語,，我們需要了解清楚，才能更有效的運行微流控芯片溫度控制裝置,。

　　微流控芯片溫度控制中CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本?？梢愿苯拥闹?/span>Wafer 的良率,。FT是把壞的chip挑出來；檢驗封裝的良率?，F(xiàn)在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了,；減少成本,。CP對整片Wafer的每個Die來測試

　　而FT則對封裝好的Chip來測試。CP Pass 才會去封裝,。然后FT,，確保封裝后也Pass。WAT是Wafer AcceptanceTest,，對專門的測試圖形（test key）的測試,，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定。

　　微流控芯片溫度控制CP是wafer level的chip probing,，是整個wafer工藝,，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數(shù)的測試,，如vt（閾值電壓）,，Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓）,，Igss（柵源漏電流）,，Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會很高,。

　　微流控芯片溫度控制FT是packaged chip level的Final Test,，主要是對于這個（CPpassed）IC或Device芯片應用方面的測試，有些甚至是待機測試,；CP 測試對Memory來說還有一個非常重要的作用,，那就是通過MRA計算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來,，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升,。

　　對于微流控芯片溫度控制測試項來說，有些測試項在CP時會進行測試,，在FT時就不用再次進行測試了,，節(jié)省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進行測試（不同的設計公司會有不同的要求）一般來說,，CP測試的項目比較多,，比較全；FT測的項目比較少,，但都是關鍵項目,，條件嚴格,。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）,。在測試方面,，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問題,。FT相對來說簡單一點,。還有一點，memory測試的CP會更難,，因為要做redundancy analysis,，寫程序很麻煩。CP在整個制程中算是半成品測試,，目的有2個,，1個是監(jiān)控前道工藝良率，另一個是降低后道成本（避免封裝過多的壞芯片）,，其能夠測試的項比FT要少些,。簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限）,，這項只能在封裝后的FT測,。不過許多項CP測試后FT的時候就可以免掉不測了（可以提率），所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多,。

　　微流控芯片溫度控制中的專業(yè)術(shù)語可能大多數(shù)人都不是很懂,，但還是建議用戶多多了解相關專業(yè)知識更好的運行微流控芯片溫度控制。(本文來源網(wǎng)絡,，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除,，謝謝)