隨著電子芯片的不斷發(fā)展，其測試的結(jié)果以及準(zhǔn)確性也不斷提高,，所以,，對于微流控芯片測溫流程還是需要了解清楚才能更好的運(yùn)行微流控芯片測溫設(shè)備。

　　因?yàn)槲⒘骺匦酒瑴y溫準(zhǔn)確性要求的提高,，以及減少測試時(shí)間降低測試成本的壓力,，傳統(tǒng)的采用測試模式調(diào)節(jié)芯片參數(shù)的缺點(diǎn)變得明顯，當(dāng)芯片在各站點(diǎn)進(jìn)行測試時(shí),，每個(gè)站點(diǎn)均需開啟測試模式,，進(jìn)行參數(shù)校準(zhǔn),，造成測試時(shí)間的浪費(fèi)；其次,，通過測試模式進(jìn)行參數(shù)調(diào)節(jié)受芯片掉電的影響,，需要嚴(yán)格控制芯片上電及掉電的順序；各站點(diǎn)的測試溫度不同,，受測試溫度的影響,，達(dá)到同一參數(shù)目標(biāo)值的調(diào)節(jié)代碼存在不同的可能性，當(dāng)采用其中一站的調(diào)節(jié)代碼進(jìn)行鐳射對產(chǎn)品的失效率有一定的影響,，這種影響受芯片制造工藝的制約,，存在不可控性。

　　微流控芯片測溫時(shí),，芯片起測時(shí),，芯片內(nèi)部的各項(xiàng)參數(shù)均是默認(rèn)值。受微電子制造工藝的影響,，即使在相同的默認(rèn)值下,，芯片的各項(xiàng)參數(shù)也處在不同的水平線上。而微小的參數(shù)差異將導(dǎo)致芯片間性能的差異,，必須對所有的參數(shù)按照設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行優(yōu)化校準(zhǔn),，才能保證芯片的良好性能。因此,，芯片起測后,，先要對芯片各項(xiàng)參數(shù)的目標(biāo)代碼進(jìn)行尋找。

　　芯片的各站點(diǎn)測試的溫度不同,，受溫度的影響,，各參數(shù)的目標(biāo)代碼存在不同的可能性。當(dāng)采用電編程熔絲在測試站點(diǎn)固化參數(shù)值后,，各站點(diǎn)均在該相同的固化代碼下進(jìn)行測量,，即使存在參數(shù)值的偏差，也能確保測試的準(zhǔn)確性,，提升了產(chǎn)品性能,。 芯片參數(shù)僅需要一次性固化，有效的避免了傳統(tǒng)方法下多次寫入造成的測試時(shí)間浪費(fèi)的,，并且在測試的過程當(dāng)中固化芯片參數(shù),，可以省略后續(xù)鐳射機(jī)臺的使用，縮短了測試周期,。

微流控芯片測溫測試結(jié)果有利于各個(gè)芯片的結(jié)果準(zhǔn)確性，調(diào)整芯片的各項(xiàng)參數(shù),，及時(shí)有效的降低企業(yè)運(yùn)行成本,。

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