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　　JSM-IT800 場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡特性

　　JSM-IT800整合了我們用于從高分辨率成像到快速元素分析的“浸沒式肖特基Plus場(chǎng)發(fā)射電子槍"、創(chuàng)新的電子光學(xué)控制系統(tǒng)“Neo Engine"以及無縫GUI系統(tǒng)“SEM Center",，該系統(tǒng)采用一體化JEOL X射線能量色散譜儀(EDS)作為通用平臺(tái),，進(jìn)行快速元素分析。

　　JSM-IT800允許物鏡作為一個(gè)更換模塊,，提供不同的版本以滿足各種用戶需求,。JSM-IT800有五種版本，提供不同的物鏡：混合型物鏡(HL),，這是一種通用FE-SEM,；超級(jí)混合物鏡（SHL/SHLs，具有不同功能的兩種版本）,，可實(shí)現(xiàn)更高分辨率的觀察和分析,；以及新開發(fā)的半浸沒式物鏡（i/is，具有不同功能的版本）,，適用于納米材料,、化學(xué)、新材料,、半導(dǎo)體器件的觀察和分析,。

　　此外，JSM-IT800還可以配備新型場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡(SBED)和多功能背散射電子探測(cè)器(VBED),。SBED支持以高響應(yīng)性獲取圖像,，即使在低加速電壓下也能產(chǎn)生清晰的成分襯度，而VBED可以幫助獲取3D,、形貌和成分襯度的圖像,。因此，JSM-IT800可以幫助用戶獲取豐富多樣德信息并解決測(cè)量中的問題,。

　　■JSM-IT800熱場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡視頻介紹

　　◆點(diǎn)擊下面按鈕,，開始播放◆

　　1.浸沒式肖特基Plus場(chǎng)發(fā)射電子槍集成的浸沒式肖特基Plus電子槍和低像差聚光透鏡可實(shí)現(xiàn)高亮度。即使低加速電壓下也能獲得充足的探針電流(100nA 5kv),這可幫助用戶在對(duì)SEM參數(shù)進(jìn)行微小調(diào)整的情況下,，進(jìn)行高分辨觀察,、高速元素面分析、EBSD分析,、軟X射線分析,。

　　2.Neo Engine（New Electron Optical Engine）配備本公司電子光學(xué)技術(shù)精華的新一代電子光學(xué)控制系統(tǒng)，可在調(diào)整各種參數(shù)的同時(shí)進(jìn)行穩(wěn)定的觀察,。此外,，該系統(tǒng)還具有增強(qiáng)的自動(dòng)功能，更易于使用,。

　　AFS ACB

　　樣品：碳基納米錫粒子

　　入射電壓：15kV,，WD：2mm，觀察模式：BD,，檢測(cè)器：UED,，倍率：x200,000。

　　3.SEM Center/EDS一體化操作導(dǎo)航“SEM Center"與本公司生產(chǎn)的EDS進(jìn)行了全面集成,，更易于操作,。此外，還配備了Smile Navi（可選）,，可以幫助新手了解如何操作SEM,，LIVE-AI(Live Image Visual Enhancer-AI)(可選)，可輕松查看實(shí)時(shí)圖像,；及SMILE VIEWTM Lab,，用于快速生成報(bào)告。

　　4.LIVE-AI Filter利用AI功能,，整合LIVE-AI Filter以實(shí)現(xiàn)更高質(zhì)量的實(shí)時(shí)圖像,。與圖像集成處理不同,，這樣可以顯示無殘留圖像的無縫移動(dòng)實(shí)時(shí)圖像,。這一功能對(duì)于快速搜索觀察區(qū)域,、聚焦和像散調(diào)整非常有效。

　　實(shí)時(shí)圖像比較：

　　樣品：螞蟻外骨骼,，入射電壓：0.5kV,，SED檢測(cè)器：

　　樣品：鐵銹，入射電壓：1kV,，SED檢測(cè)器

　　5.HL/HLs（Hybrid Lens）,、SHL/SHLs（Super Hybrid Lens）、i/is（Semi-in-Lens）

　　JSM-IT800系列了提供多種物鏡可供選擇,，以滿足用戶的多種需求,。

　　HL版本和SHL版本（包括SHLs版本）配備了電磁/靜電場(chǎng)疊加物鏡,。可以對(duì)從金屬到納米材料的各種樣本進(jìn)行高分辨率觀察和分析,，特別適用于磁性材料的觀察和分析,，例如EBSD分析。

　　i版本和is版本都配備了半浸沒式物鏡,，非常適合對(duì)傾斜和橫截面樣本進(jìn)行高分辨率觀察和分析，這是半導(dǎo)體器件故障分析的要素,。此外,，它還適用于使用高位透鏡內(nèi)電子探測(cè)器(UID)進(jìn)行觀察。

　　6.高位檢測(cè)器UHD（Upper Hybrid Detector）

　　SHL物鏡里標(biāo)配高位檢測(cè)器,，可高效檢測(cè)樣本中的電子,，從而獲得高S/N的圖像。

　　SHL觀察舉例

　　1.氧化鋁顆粒二次電子像

　　入射電壓0.5kV,，檢測(cè)器：UHD

　　可以觀察顆粒表面的階梯結(jié)構(gòu),，能清楚地看到納米尺度的階梯。

　　2.鋁勃姆石和纖維素納米纖維CNF

　　樣本：IC芯片橫截面（表面蝕刻,，鋨鍍層）

　　入射電壓：5.0kV（無BD模式）,，SHL觀察模式，探測(cè)器：UHD,、UED（BSE模式）

　　HL觀察舉例

　　i/is version觀察舉例

　　1.光催化顆粒二次電子像

　　JSM-IT800（i）UED檢測(cè)器樣品提供：東京大學(xué)特聘教授堂免一成這種光催化劑使水分解反應(yīng)的量子效率接近100%,。高分辨率SE圖像清楚地顯示：尺寸小于10 nm的助催化劑顆粒優(yōu)先沉積在立方顆粒的{100}晶面上，以促進(jìn)析氫和析氧反應(yīng),。

　　參考文獻(xiàn)：T.Takata et.al.,"Photocatalytic water splitting with a quantum efficiency of almost unity,"Nature,581,411-414,2020.

　　2.半導(dǎo)體器件（SRAM）內(nèi)部組成像,、電位襯度像、凹凸像

　　觀察條件：入射電壓1kV,，WD8mm,，觀察模式SIL，檢測(cè)器UED,、UID,、SED，3種信號(hào)同時(shí)獲取

　　7.新型背散射電子檢測(cè)器

　　閃爍體背散射電子檢測(cè)器（SBED,、選配件）響應(yīng)性能*,，適用于低加速電壓下材料襯度像的采集。多用途背散射電子檢測(cè)器（VBED,、選配件）適用于3D,、凹凸等特色圖像的采集。

　　SBED觀察例

　　VBED觀察例

　　VBED中不同方位的半導(dǎo)體元件接受不同角度的背散射電子,。位于內(nèi)側(cè)的元件接受的電子主要反映樣品的成分信息,，外側(cè)的主要反映其表面凹凸信息,，且使用內(nèi)側(cè)半導(dǎo)體元件還能觀察處于AI鍍層深處的熒光物質(zhì)。