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快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,，構(gòu)成P-I-N硅片,。由于基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小,，不僅大大減小了trr值,，還降...

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型,、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,，反向恢復(fù)電荷很小,，不僅大大減小了trr值，還降...

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下）,，工藝上多采用摻金措施,，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu),。其正向壓降高于普通二極管（1-...

快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好,、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源,、PWM脈寬調(diào)制器,、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管,、...

快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好,、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源,、PWM脈寬調(diào)制器,、變頻器等電子電路中,，作為高頻整流二極管、...

快恢復(fù)二極管（簡(jiǎn)稱FRD）是一種具有開(kāi)關(guān)特性好,、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,，主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器,、變頻器等電子電路中,，作為高頻整流二極管、...

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備,，如果超過(guò)此功率,，因元件開(kāi)關(guān)損可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)...

MOS管導(dǎo)通特性,，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān),，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性,，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或...

MOS管導(dǎo)通特性,，導(dǎo)通的意義是作為開(kāi)關(guān),，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合。NMOS的特性,，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通,，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)），只需柵極電壓抵達(dá)4V或...

IGBT是第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車,、UPS,、開(kāi)關(guān)電源等。問(wèn)世有十年多歷史...

IGBT是第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中,。例電動(dòng)汽車,、UPS、開(kāi)關(guān)電源等,。問(wèn)世有十年多歷史...

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注意事項(xiàng)：測(cè)正向?qū)▔航禃r(shí),，必須使用R×1檔,。若用R×1k檔，因測(cè)試電流太小,，遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流,，故測(cè)出的VF值將明顯偏低。在上面例子...

超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進(jìn)一步減小,，使其trr可低至幾十納秒,。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,，可分成單管,、對(duì)管...

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西門(mén)康可控硅模塊體積小、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好,、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可簡(jiǎn)化,。西門(mén)康可控硅模塊