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IGBT,絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT...

SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝,，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子,。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計(jì)，可用于20kW至500kW的逆變器,。通過多...

可控硅從外形主要有螺旋式、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多,。可控硅有三個(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的...

英飛凌Infineon的晶閘管/二極管模塊提供不同封裝形式,，如20mm、34mm,、50mm,、60mm、70mm底板寬,。采用不同的連接技術(shù),，有焊接、壓接模塊可供選...

德國英飛凌可控硅模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為 TT 雙可控硅串聯(lián),、 DD 雙二極管串聯(lián) ,、 TZ 單可控硅模塊等7種，具體見產(chǎn)品詳情,?？捎糜趲缀跛邢辔豢刂苹?..

晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,。晶閘管在工作過程中,，它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門極G和陰極K與控制...

SKKH系列全新西門康可控硅模塊功率二極管模塊晶閘管 ,。體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可...

德國Semikron塞米控公司的可控硅二極管模塊按其內(nèi)部管芯連接方式可分為SKET單可控硅模塊,、SKKE單二極管模塊,、SKKT雙可控硅串聯(lián)模塊等18中?？煽毓鑳?yōu)...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module),。最早是在1970年由西門康公司先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝...

歐標(biāo)方體系列熔斷器分為：DIN 43 653,； DIN 43 620,； 平端式（公制/美制）；法式,；美式,。美式690V-1300V 巴斯曼快速熔斷器電子元器件中...

熔斷器是一種過電流保護(hù)器，主要由熔體和熔管以及外加填料等部分組成,。使用時(shí),，將熔斷器串聯(lián)于被保護(hù)電路中，當(dāng)被保護(hù)電路的電流超過規(guī)定值,，并經(jīng)過一定時(shí)間后,，由熔體自身...

巴斯曼熔斷器觸動開關(guān)40-1000A快速現(xiàn)貨直供DIN 43 620 系列產(chǎn)品可根據(jù)實(shí)際需求選配微型開關(guān)指示器。額定電壓690V/700V,；額定電流40-100...

美國伊頓巴斯曼高壓快速熔斷器保險(xiǎn)絲型號全 方體系列熔斷器產(chǎn)品特點(diǎn)是：1）焦耳積分放通量最?。?）運(yùn)行溫度低,；3）功率損耗?。籅USSMANN 方體熔斷器均通過I...

快速熔斷器主要用于半導(dǎo)體整流元件或整流裝置的短路保護(hù),。由于半導(dǎo)體元件的過載能力很低,。只能在極短時(shí)間內(nèi)承受較大的過載電流，因此要求短路保護(hù)具有快速熔斷的能力,。美國...

方體系列熔斷器具有:焦耳積分放通量最小,、運(yùn)行溫度低、功率損耗小的特點(diǎn)，BUSSMANN 方體熔斷器均通過IEC 60269（第4部分標(biāo)準(zhǔn)測試）,。該標(biāo)準(zhǔn)要求測試電...

BUSSMANN巴斯曼快速熔斷器底座開關(guān)保險(xiǎn)絲 可選型號：170H0069,、170H0235、170H0236,、170H0237,、170H0238、170H10...

Bussmann 是電路保護(hù)裝置生產(chǎn)商,，其設(shè)備可保護(hù)電氣,、電子和汽車系統(tǒng)免受電路過載影響。公司供應(yīng)超過41,，000種保險(xiǎn)絲,，為業(yè)界樹立了電路保護(hù)標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品涵蓋從...

西門康可控硅/晶閘管模塊配置了各類單管和雙管拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),，憑借高達(dá)2200V的阻斷電壓,，可用于幾乎所有相位控制或整流器。它體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線...

IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊,。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1,。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻...

在電動汽車的“三電"方面,，TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動電機(jī),，其中每一相的驅(qū)動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯...