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除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,一般在200Ω~600Ω之間...
除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外,,用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗(指SBD施加額定本振功率時對特定中頻所呈現(xiàn)的阻抗,,一般在200Ω~600Ω之間...
肖特基(Schottky)二極管的最大特點是正向壓降 VF 比較小。在同樣電流的情況下,,它的正向壓降要小許多,。另外它的恢復(fù)時間短。它也有一些缺點:耐壓比較低,漏...
肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,,像使用硅及金屬為材料的肖特基二極體,,其反向偏壓額定耐壓最高只到 50V,而反向漏電流值為正溫度特性,,容易...
典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片,,在上面形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層,。用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的...
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不...
橋式整流是對二極管半波整流的一種改進,。橋式整流器對輸入正弦波的利用效率比半波整流高一倍,。橋式整流是交流電轉(zhuǎn)換成直流電的第一個步驟。 需要特別指出的是,,二極管作為...
橋式整流器利用四個二極管,,兩兩對接。輸入正弦波的正半部分是兩只管導(dǎo)通,,得到正的輸出,;輸入正弦波的負(fù)半部分時,另兩只管導(dǎo)通,,由于這兩只管是反接的,,所以輸出還是得到...
橋式整流器是由多只整流二極管作橋式連接,外用絕緣塑料封裝而成,,大功率橋式整流器在絕緣層外添加金屬殼包封,,增強散熱。橋式整流器品種多,,性能優(yōu)良,,整流效率高,穩(wěn)定性...
橋式整流即橋式整流器,,英文 BRIDGE RECTIFIERS,,也叫做整流橋堆,是利用二極管的單向?qū)ㄐ赃M行整流的常用的電路,,常用來將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?。艾賽?..
快恢復(fù)二極管與肖特基二極管相比,其耐壓值要高得多,。它主要用作高速整流元件,,在開關(guān)電源和逆變電源中作整流一極管,以降低關(guān)斷損耗,,提高效率和減小噪聲,。三社快恢復(fù)二極...
快速恢復(fù)二極管也常用普通二極管的圖形符號來表示,,用文字說明或在型號上予以區(qū)別??焖倩謴?fù)二極管與普通二極管相似,,但制造工藝與普通一極管有所不同。在靠近PN結(jié)處的摻...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小,,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式,。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,,可分成單管、對管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小,,使其trr可低至幾十納秒,。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,,可分成單管,、對管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小,使其trr可低至幾十納秒,。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式,。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,可分成單管,、對管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小,,使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式,。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,,可分成單管、對管...
超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷進一步減小,,使其trr可低至幾十納秒,。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看,,可分成單管,、對管...
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,它是在P型,、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,,反向恢復(fù)電荷很小,,不僅大大減小了trr值,還降...
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,,它是在P型,、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,,反向恢復(fù)電荷很小,,不僅大大減小了trr值,還降...
快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同,,它是在P型,、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,構(gòu)成P-I-N硅片,。由于基區(qū)很薄,,反向恢復(fù)電荷很小,不僅大大減小了trr值,,還降...
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