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IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中,。例電動汽車、UPS,、開關(guān)電源等,。問世有十年多歷史...
MOS管導(dǎo)通特性，導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),，相當(dāng)于開關(guān)閉合,。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,，適宜用于源極接地時的情況（低端驅(qū)動）,，只需柵極電壓抵達(dá)4V或...
MOS場效應(yīng)晶體管通常簡稱為場效應(yīng)管，是一種應(yīng)用場效應(yīng)原理工作的半導(dǎo)體器件,。和普通雙極型晶體管相比擬,，場效應(yīng)管具有輸入阻抗高、噪聲低,、動態(tài)范圍大,、功耗小、易于集...
MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導(dǎo)體(Semiconductor)場效應(yīng)晶體管,，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導(dǎo)體,。MOS...
MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即金屬氧化物半導(dǎo)體型場效...
MOS具有以下特點：開關(guān)速度快,、高頻率性能好,、輸入阻抗高、驅(qū)動功率小,、熱穩(wěn)定性優(yōu)良,、無二次擊穿問題、全工作區(qū)寬,、工作線性度高等,。其最重要的有點就是能夠減少體積大...
mos管在電路中一般用作電子開關(guān)，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路,，漏極原封不動地接負(fù)載,，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓,，都能夠接通和關(guān)斷...
SKiiP 的關(guān)鍵特性:集成驅(qū)動,、功率模塊和散熱器、集成溫度測量,、集成精準(zhǔn)的電流傳感器,、集成直流母線監(jiān)測,、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...
SKiiP產(chǎn)品特點是：4合1：功率IPM驅(qū)動器,、功率半導(dǎo)體,、高精度電流傳感器和高性能冷卻風(fēng)冷或水冷（HPC）；采用了燒結(jié)技術(shù),，功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...
SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風(fēng)力發(fā)電機的特定要求,。除了風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用外，SKiiP模塊還可用于電梯,、太陽能和軌道交通應(yīng)用——事實上,，動力強勁且安全可靠的I...
SKiiP IPM產(chǎn)品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設(shè)計樹立了一個基準(zhǔn)。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,，結(jié)合靈活的冷卻選項,，如風(fēng)冷和水冷卻或定制的散...
得益于銀燒結(jié)和高性能冷卻器技術(shù)，SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性,。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,，燒結(jié)技術(shù)延長了工作壽命，提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性,。SK...
IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期,， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時間,。td(...
賽米控提供SEMITRANS,、SEMiX、SKiM,、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,，支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓,。這些IGBT模...
IGBT動態(tài)特性是 ：IGBT 在開通過程中,，大部分時間是作為MOSFET 來運行的，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期,， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加...
IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU",，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),，在軌道交通、智能電網(wǎng),、航空航天,、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣,。I...
西門康IGBT驅(qū)動板 包括三大類：Driver驅(qū)動板、Driver Core驅(qū)動芯,、Adaptor Board適配板,，適于驅(qū)動600V、1200V,、1700V三...
IGBT,絕緣柵雙極型功率管,，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GT...
SEMITRANS是一種穩(wěn)健的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，配備銅底板和用于電源連接的螺絲端子,。SEMITRANS封裝采用低電感設(shè)計,，可用于20kW至500kW的逆變器。通過多...
可控硅從外形主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的...
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