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可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件,。實際上，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,，實現(xiàn)...

可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備，如果超過此功率,，因元件開關損可控硅的優(yōu)點很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,；反應極快，在微秒級內...

IGBT發(fā)展趨向是高耐壓,、大電流,、高速度、低壓降,、高可靠,、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應用,，簡化其主電路,，減少使用器件，提高可靠性,，降低制造成本,，簡化...

IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中,。例電動汽車、UPS,、開關電源等,。問世有十年多歷史...

MOS管導通特性，導通的意義是作為開關,，相當于開關閉合,。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就會導通,，適宜用于源極接地時的情況（低端驅動）,，只需柵極電壓抵達4V或...

MOS場效應晶體管通常簡稱為場效應管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件,。和普通雙極型晶體管相比擬,，場效應管具有輸入阻抗高,、噪聲低、動態(tài)范圍大,、功耗小,、易于集...

MOS管是金屬(Metal)—氧化物(Oxide)—半導體(Semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(Insulator)—半導體,。MOS...

MOS管的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),，即金屬氧化物半導體型場效...

MOS具有以下特點：開關速度快、高頻率性能好,、輸入阻抗高,、驅動功率小、熱穩(wěn)定性優(yōu)良,、無二次擊穿問題,、全工作區(qū)寬、工作線性度高等,。其最重要的有點就是能夠減少體積大...

mos管在電路中一般用作電子開關,，在開關電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載,，叫開路漏極,，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關斷...

SKiiP 的關鍵特性:集成驅動,、功率模塊和散熱器,、集成溫度測量、集成精準的電流傳感器,、集成直流母線監(jiān)測,、SKiiP4包含可配置和讀取的CAN總線、100%免焊...

SKiiP產品特點是：4合1：功率IPM驅動器,、功率半導體,、高精度電流傳感器和高性能冷卻風冷或水冷（HPC）；采用了燒結技術,，功率循環(huán)能力提高了2-3倍(SKi...

SKiiP*功率范圍0.5至6MW的風力發(fā)電機的特定要求,。除了風力發(fā)電應用外，SKiiP模塊還可用于電梯,、太陽能和軌道交通應用——事實上,，動力強勁且安全可靠的I...

SKiiP IPM產品系列為高性能和穩(wěn)健的逆變器設計樹立了一個基準。SKiiP 3和SKiiP 4都具有高功率密度,，結合靈活的冷卻選項,，如風冷和水冷卻或定制的散...

得益于銀燒結和高性能冷卻器技術，SKiiP提高了對苛刻的電源循環(huán)條件的可靠性。與傳統(tǒng)的焊接方法相比,，燒結技術延長了工作壽命,，提高了對主動和被動熱循環(huán)的彈性。SK...

IGBT 在開通過程中,，大部分時間是作為MOSFET 來運行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加了一段延遲時間,。td(...

賽米控提供SEMITRANS、SEMiX,、SKiM,、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊，支持不同的拓撲結構,、額定電流和電壓,。這些IGBT模...

IGBT動態(tài)特性是 ：IGBT 在開通過程中，大部分時間是作為MOSFET 來運行的,，只是在漏源電壓Uds 下降過程后期， PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,，又增加...

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，俗稱電力電子裝置的“CPU"，作為國家戰(zhàn)略性新興產業(yè),，在軌道交通,、智能電網(wǎng)、航空航天,、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣,。I...

西門康IGBT驅動板 包括三大類：Driver驅動板、Driver Core驅動芯,、Adaptor Board適配板,，適于驅動600V、1200V,、1700V三...