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艾賽斯模塊總代IGBT模塊功率模塊半導(dǎo)體模塊，IGBT是第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,，即dc/ac變換中。例...

SKKE系列西門康模塊功率半導(dǎo)體電子元器件,，SEMISTACK CLASSIC產(chǎn)品系列設(shè)計(jì)用于工業(yè)整流器和交流控制器的快速集成,。每個(gè)功率組件都已明確規(guī)格,，以便嵌...

艾賽斯MOS管模塊在導(dǎo)通和截止的時(shí)候,，MOS兩端的電壓有一個(gè)下降的過程,，流過的電流有一個(gè)上升的過程，在這段時(shí)間內(nèi),，MOS管的損失時(shí)電壓和電流的乘積,，叫做開關(guān)損失...

SK100WT08/12/16西門康模塊 整流橋 整流器。整流橋又叫橋堆,，由2個(gè)或者是4個(gè)二極管構(gòu)成的整流器件,，這種橋堆主要包含半橋與全橋兩類，半橋又可以分為正...

MOS晶體管模塊艾賽斯IXYS,，IXYS成立于1983年,是一家總部位于德國并在美國納斯達(dá)上市的世界著名半導(dǎo)體生產(chǎn)商,，公司致力于提高效率,降低能耗的功率半導(dǎo)體產(chǎn)...

英飛凌模塊單開關(guān) IGBT模塊3300V 1500A，IHV B 3300 V 1500 A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHST...

英飛凌INFINEON整流橋模塊,，英飛凌是半導(dǎo)體科技公司,，致力于打造一個(gè)更加便利、安全和環(huán)保的世界,。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案，實(shí)現(xiàn)高效的能源管理,、智能出行以...

英飛凌INFINEON二極管模塊,，英飛凌是半導(dǎo)體科技公司，致力于打造一個(gè)更加便利,、安全和環(huán)保的世界,。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案，實(shí)現(xiàn)高效的能源管理,、智能出行以...

晶閘管模塊英飛凌INFINEON,，英飛凌是半導(dǎo)體科技公司，致力于打造一個(gè)更加便利,、安全和環(huán)保的世界,。我們提供全面的半導(dǎo)體解決方案，實(shí)現(xiàn)高效的能源管理,、智能出行以...

整流二極管(rectifier diode)一種用于將交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姷陌雽?dǎo)體器件,。二極管最重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分?，電流只能從二極管的正極流入,，...

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通二極管不同，它是在P型,、N型硅材料中間增加了基區(qū)I,，構(gòu)成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,，反向恢復(fù)電荷很小,，不僅大大減小了trr值，還降...

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下）,，工藝上多采用摻金措施,，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu),。其正向壓降高于普通二極管（1-...

快恢復(fù)二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)與普通PN結(jié)二極管不同,，它屬于PIN結(jié)型二極管，即在P型硅材料與N型硅材料中間增加了基區(qū)I,，構(gòu)成PIN硅片,。因基區(qū)很薄，反向恢復(fù)電荷很小，...

快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好,、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管,，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器,、變頻器等電子電路中,，作為高頻整流二極管、...

可控硅是可控硅整流元件的簡稱,，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。實(shí)際上，可控硅的功用不僅是整流,，它還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)...

可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此功率,，因元件開關(guān)損可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)...

IGBT發(fā)展趨向是高耐壓、大電流,、高速度,、低壓降、高可靠,、低成本為目標(biāo)的,，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路,，減少使用器件,，提高可靠性，降低制造成本,，簡化...

IGBT是第三代功率模塊,，工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中,。例電動(dòng)汽車,、UPS、開關(guān)電源等,。問世有十年多歷史...

在供電系統(tǒng)中,，MOS管的主要作用的是穩(wěn)壓。MOS管芯片在制作完成之后,，需要給MOSFET芯片加上一個(gè)外殼,，即MOS管封裝,。MOSFET芯片的外殼具有支撐、保護(hù),、...

MOS管導(dǎo)通特性,，導(dǎo)通的意義是作為開關(guān)，相當(dāng)于開關(guān)閉合,。NMOS的特性,，Vgs大于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適宜用于源極接地時(shí)的情況（低端驅(qū)動(dòng)）,，只需柵極電壓抵達(dá)4V或...