功率半導(dǎo)體是一種能夠在高電壓和高電流下工作的微電子元器件,，廣泛應(yīng)用于工業(yè),、交通運輸、醫(yī)療,、家電等各個領(lǐng)域,。

功率半導(dǎo)體主要的生產(chǎn)工藝及流程如下。

1. 晶圓加工

晶圓加工是制造功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)步驟,。晶圓是由硅或碳化硅材料制成,，并具有平坦表面，晶圓加工包括切割,、拋光,、清洗和蝕刻等步驟。 

其中,，切割過程主要是將大型晶體切割成小晶體,，以提高晶片產(chǎn)量。拋光過程是為了去除晶圓表面的缺陷和污染物,，使其表面更加平整,。

清洗過程則是為了去除表面殘留的化學(xué)物質(zhì)和微粒。最后,，在蝕刻過程中,，使用化學(xué)液體對晶圓進行腐蝕，形成所需的結(jié)構(gòu)和圖案,。

2. 氧化物形成

氧化層是功率半導(dǎo)體器件中重要的一層結(jié)構(gòu),。它的主要作用是提供電絕緣和防止材料氧化。

在制造過程中,，首先需要在晶圓表面形成氧化層,。通常是將晶圓暴露在氧化爐的高溫環(huán)境下，并注入硅烷（SiH?）和氧氣等在晶圓表面反應(yīng)生成二氧化硅（SiO?）,。

3. 物理氣相沉積

物理氣相沉積（PVD）利用等離子體技術(shù),，在晶圓表面沉積薄膜的過程。其利用受到粒子束轟擊時物質(zhì)表面原子濺射等現(xiàn)象,，從而實現(xiàn)從源物質(zhì)（靶材）到產(chǎn)品芯片上的可控的轉(zhuǎn)移,。

此工藝主要用于肖特基金屬、正面金屬和背面金屬的沉積。濺射沉積可以使用多種材料,，如金屬,、氧化鋁等。

4. 光刻工藝

光刻工藝是采用感光膠薄膜作為圖形轉(zhuǎn)移媒介的微電子制造工藝,。其基本原理是利用光線將感光膠薄膜刻畫成所需的圖形,，然后以這種圖形為刻蝕掩模，在硅或碳化硅基片上刻蝕出該圖形,。

5. 離子注入

離子注入是集成電路制造的主要工藝之一，通過將離子束加速到一定能量范圍（一般在keV量級）,，然后注入固體材料表層內(nèi)，從而改變材料表層物理性質(zhì),。

在集成電路工藝中,，固體材料通常是硅或碳化硅。主流工藝選擇將鋁（AL）作為P型摻雜,，氮（N）作為N型摻雜,。

完成離子注入后，產(chǎn)品片會進入高溫激活爐中并在1700℃的工藝溫度下激活,，以修復(fù)晶格損傷,。

6. 金屬化和封裝

金屬化和封裝是制造功率半導(dǎo)體器件的最后兩個工藝步驟。

正面金屬化是指在芯片表面鍍上一層金屬膜,，形成二極管的正極,，一般在4μm以上。背面金屬化一般選擇鈦,、鎳,、銀作為三層背面金屬，

主要是為了增加元件柔軟性,，降低芯片的熱阻抗,，以進一步提高性能，厚度在10μm以內(nèi),。隨后,，元器件將被封裝在適當(dāng)?shù)耐鈿ぶ校源_保器件的可靠性和穩(wěn)定性,。