菲尼克斯冗余模塊2320173具有監(jiān)控功能

半導體中的雜質(zhì)對電阻率的影響非常大。半導體中摻入微量雜質(zhì)時,，雜質(zhì)原子附近的周期勢場受到干擾并形成附加的束縛狀態(tài),，在禁帶中產(chǎn)加的雜質(zhì)能級。例如四價元素鍺或硅晶體中摻入五價元素磷,、砷,、銻等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子作為晶格的一分子,，其五個價電子中有四個與周圍的鍺（或硅）原子形成共價結(jié)合,，多余的一個電子被束縛于雜質(zhì)原子附近，產(chǎn)生類氫能級,。雜質(zhì)能級位于禁帶上方靠近導帶底附近,。雜質(zhì)能級上的電子很易激發(fā)到導帶成為電子載流子。這種能提供電子載流子的雜質(zhì)稱為施主,，相應能級稱為施主能級,。施主能級上的電子躍遷到導帶所需能量比從價帶激發(fā)到導帶所需能量小得多（圖2）。在鍺或硅晶體中摻入微量三價元素硼,、鋁,、鎵等雜質(zhì)原子時，雜質(zhì)原子與周圍四個鍺（或硅）原子形成共價結(jié)合時尚缺少一個電子，因而存在一個空位,，與此空位相應的能量狀態(tài)就是雜質(zhì)能級,，通常位于禁帶下方靠近價帶處。價帶中的電子很易激發(fā)到雜質(zhì)能級上填補這個空位,，使雜質(zhì)原子成為負離子,。價帶中由于缺少一個電子而形成一個空穴載流子。這種能提供空穴的雜質(zhì)稱為受主雜質(zhì),。存在受主雜質(zhì)時,，在價帶中形成一個空穴載流子所需能量比本征半導體情形要小得多。半導體摻雜后其電阻率大大下降,。加熱或光照產(chǎn)生的熱激發(fā)或光激發(fā)都會使自由載流子數(shù)增加而導致電阻率減小,，半導體熱敏電阻和光敏電阻就是根據(jù)此原理制成的。

菲尼克斯冗余模塊2320173具有監(jiān)控功能