菲尼克斯電源MINI-SYS-PS-240AC/24DC/1.5

P型半導體的導電特性：它是靠空穴導電,，摻入的雜質越多,，多子（空穴）的濃度就越高，導電性能也就越強,。

N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷）,，使之取代晶格中硅原子的位置，形成N型半導體,。

多子：N型半導體中,，多子為自由電子。

少子：N型半導體中,，少子為空穴,。

施子原子：雜質原子可以提供電子，稱施子原子,。

N型半導體的導電特性：摻入的雜質越多,，多子（自由電子）的濃度就越高，導電性能也就越強,。

結論：

多子的濃度決定于雜質濃度,。

少子的濃度決定于溫度。

PN結的形成：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,，在它們的交界面就形成PN結,。

PN結的形成過程：如圖所示，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上,，在無外電場和其它激發(fā)作用下,，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡,，形成PN結,。

擴散運動：物質總是從濃度高的地方向濃度低的地方運動，這種由于濃度差而產生的運動稱為擴散運動,。

空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復合,，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降,，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū),，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動,，稱為空間電荷區(qū),。

電場形成：空間電荷區(qū)形成內電場。

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