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當前位置:> 供求商機> EMG SV1-10/8/120/6 --EMG SV1-10/8/120/6 伺服閥 貨多 全新
廈門元航機械設(shè)備有限公司 沈
173-06-0188 00
霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化,,磁場越強,,電壓越高,磁場越弱,,電壓越低,。霍爾電壓值很小,,通常只有幾個毫伏,,但經(jīng)集成電路中的放大器放大,就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號,。若使霍爾集成電路起傳感作用,,需要用機械的方法來改變磁場強度。下圖所示的方法是用一個轉(zhuǎn)動的葉輪作為控制磁通量的開關(guān),,當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時,,磁場偏離集成片,霍爾電壓消失,。這樣,,霍爾集成電路的輸出電壓的變化
EMG電動缸LLS 675/02
EMG伺服閥SV1-10/32/315-6
EMG伺服閥SV1-10/8/315/6 SV1-10/16/120/6
EMG伺服閥SV1-10/48/315-6
EMG伺服閥SV1-10/16/315-6
EMG傳感器KLW 300.012
EMG傳感器KLW 150.012
EMG傳感器KLW 225.012
EMG傳感器KLW 360.012
EMG傳感器KLW150.012
EMG傳感器KLW225.012
EMG傳感器KLW300.012
EMG傳感器KLW450.012
EMG傳感器KLW600.012
SV1-10/8/315/6 伺服閥 EMG
SV1-10/48/315/6 伺服閥 EMG
SV1-10/32/100/6 伺服閥 EMG
SV1-10/8/120/6 伺服閥 EMG
SV1-10/4/120/6 伺服閥 EMG
SV2-16/125/315/1/1/01伺服閥EMG
HFE400/10H濾芯EMG
KLM300/012位移傳感器EMG
LLS675/02 LICHTBAND對中整流器EMG
LIC1075/11光發(fā)射器EMG
EVK2.12 電路處理板EMG
BK11.02 電源EMG
MCU16.1 處理器EMG
VKI3-11-200/1600/750/M/E/W/A/EMG
LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器EMG
LID2-800.2C 對中光源發(fā)射器EMG
DMC2000-B3-160-SMC002-DCS電動執(zhí)行器EMG
KLW300.012位移傳感器EMG
LIC2.01.1電路板EMG
利用激光技術(shù)進行測量的傳感器。它由激光器,、激光檢測器和測量電路組成,。激光傳感器是新型測量儀表,它的優(yōu)點是能實現(xiàn)無接觸遠距離測量,,速度快,,精度高,量程大,,抗光,、電*力強等。
EMG推動桿EB1250-60IIW5T
EMG推動桿EB800-60II
EMG推動桿EB220-50/2IIW5T
EMG推動桿EB300-50IIW5T
EMG發(fā)射光源L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG制動器ED121/6 2LL5 551-1
EMG光電探頭EVK2-CP/800.71L/R
EMG放大器EVB03/235351
EMG對中控制SMI 2.11.1/2358100134300
EMG電路板SMI 2.11.3/235990
EMG泵DMC 249-A-40
EMG泵DMC 249-A-50
EMG泵DMC 30 A-80
EMG泵DPMC 59-V-8
EMG位置傳感器LWH-0300
EMG電動執(zhí)行器DMCR59-B1-10
EMG伺服閥SV1-10/32/315/6
EMG伺服閥SV1-10/32/315/8
EMG伺服閥SV1-10/48/315/8EMG推動桿EB1250-60IIW5T
EMG推動桿EB800-60II
EMG推動桿EB220-50/2IIW5T
EMG推動桿EB300-50IIW5T
EMG發(fā)射光源L1C770/01-24VDC/3.0A
EMG制動器ED121/6 2LL5 551-1
EMG光電探頭EVK2-CP/800.71L/R
EMG放大器EVB03/235351
EMG對中控制SMI 2.11.1/2358100134300
EMG電路板SMI 2.11.3/235990
EMG泵DMC 249-A-40
EMG泵DMC 249-A-50
EMG泵DMC 30 A-80
EMG泵DPMC 59-V-8
EMG位置傳感器LWH-0300
EMG電動執(zhí)行器DMCR59-B1-10
EMG伺服閥SV1-10/32/315/6
EMG伺服閥SV1-10/32/315/8
EMG伺服閥SV1-10/48/315/8
EMG伺服閥SV2-10/64/210/6
EMG 攝像頭 LS13.01
霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場傳感器,,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動化技術(shù),、檢測技術(shù)及信息處理等方面,。霍爾效應(yīng)是研究半導體材料性能的基本方法,。通過霍爾效應(yīng)實驗測定的霍爾系數(shù),,能夠判斷半導體材料的導電類型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù),。
霍爾電壓隨磁場強度的變化而變化,,磁場越強,,電壓越高,,磁場越弱,電壓越低,?;魻栯妷褐岛苄。ǔV挥袔讉€毫伏,,但經(jīng)集成電路中的放大器放大,,就能使該電壓放大到足以輸出較強的信號。若使霍爾集成電路起傳感作用,,需要用機械的方法來改變磁場強度,。下圖所示的方法是用一個轉(zhuǎn)動的葉輪作為控制磁通量的開關(guān),當葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時
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