濺射比蒸鍍和工作真空低一個數(shù)量級,所以膜層的含氣量要比蒸鍍高。
蒸鍍不適用于高溶點(diǎn)材料,如鉬,鎢,。因?yàn)槿茳c(diǎn)高,蒸發(fā)太慢,而濺射的速度比蒸鍍快很多,。
濺射不適用于低硬度材料,如非金屬材料。
濺射不適用于非導(dǎo)電材料,。
蒸鍍不能控制厚度,而濺射可以用時間控制厚度,。
蒸鍍不適應(yīng)大規(guī)模的生產(chǎn)。
蒸鍍的電子動能比濺射小很多,雖然含氣量少,但是膜層易脫落,。
濺射的膜均勻,蒸鍍的膜中心點(diǎn)厚,四周薄,。
在國內(nèi)蒸鍍工藝比濺射工藝成熟。
真空蒸鍍,，簡稱蒸鍍,，是指在真空條件下，采用一定的加熱蒸發(fā)方式蒸發(fā)鍍膜材料（或稱膜料）并使之氣化,，粒子飛至基片表面凝聚成膜的工藝方法,。蒸鍍是使用較早、用途較廣泛的氣相沉積技術(shù),，具有成膜方法簡單,、薄膜純度和致密性高、膜結(jié)構(gòu)和性能等優(yōu)點(diǎn),。
蒸鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)粒子→氣態(tài)粒子快速從蒸發(fā)源向基片表面輸送→氣態(tài)粒子附著在基片表面形核,、長大成固體薄膜→薄膜原子重構(gòu)或產(chǎn)生化學(xué)鍵合。
將基片放入真空室內(nèi),，以電阻,、電子束、激光等方法加熱膜料,，使膜料蒸發(fā)或升華,，氣化為具有一定能量（0.1～0.3eV）的粒子（原子、分子或原子團(tuán)）,。氣態(tài)粒子以基本無碰撞的直線運(yùn)動飛速傳送至基片,，到達(dá)基片表面的粒子一部分被反射，另一部分吸附在基片上并發(fā)生表面擴(kuò)散,，沉積原子之間產(chǎn)生二維碰撞,，形成簇團(tuán),，有的可能在表面短時停留后又蒸發(fā)。粒子簇團(tuán)不斷地與擴(kuò)散粒子相碰撞,，或吸附單粒子,，或放出單粒子。此過程反復(fù)進(jìn)行,，當(dāng)聚集的粒子數(shù)超過某一臨界值時就變?yōu)榉€(wěn)定的核,，再繼續(xù)吸附擴(kuò)散粒子而逐步長大，最終通過相鄰穩(wěn)定核的接觸,、合并,，形成連續(xù)薄膜。膜方法簡單,、薄膜純度和致密性高,、膜結(jié)構(gòu)和性能等優(yōu)點(diǎn)。
3
立即詢價
您提交后,，專屬客服將第一時間為您服務(wù)