蒸發(fā)鍍膜儀是利用物理或化學(xué)方法將材料從固體或液體狀態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài),,然后在真空環(huán)境中沉積到基片上形成薄膜的設(shè)備,。這種技術(shù)廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體,、光學(xué)、電子,、磁性材料等領(lǐng)域,,用于制備各種功能薄膜。
蒸發(fā)鍍膜儀的原理主要包括以下幾個(gè)方面:
1.真空原理:工作需要在高真空環(huán)境下進(jìn)行,,以減少氣體分子對(duì)蒸發(fā)材料的阻礙和對(duì)薄膜質(zhì)量的影響,。真空環(huán)境可以通過機(jī)械泵、分子泵等設(shè)備實(shí)現(xiàn),。在真空條件下,,氣體分子的數(shù)量大大減少,有利于材料的蒸發(fā)和薄膜的生長(zhǎng),。
2.蒸發(fā)原理:蒸發(fā)是指物質(zhì)從液態(tài)或固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的過程,。通常采用加熱的方式使材料蒸發(fā)。加熱方式有電阻加熱,、電子束加熱、激光加熱等,。當(dāng)材料被加熱到一定溫度時(shí),,其表面原子或分子獲得足夠的能量,克服表面束縛力,,逃逸到真空環(huán)境中,,形成蒸汽。
3.沉積原理:蒸發(fā)出來的材料在真空環(huán)境中向四周擴(kuò)散,,遇到冷卻的基片時(shí),,材料原子或分子失去能量,凝聚在基片表面,,形成薄膜,。沉積過程可以分為物理沉積和化學(xué)沉積。物理沉積是指材料原子或分子直接凝聚在基片表面,,形成薄膜,;化學(xué)沉積是指材料原子或分子與基片表面的原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成化合物薄膜,。
4.薄膜生長(zhǎng)原理:薄膜的生長(zhǎng)過程可以分為三個(gè)階段:成核,、生長(zhǎng)和合并。首先,,蒸發(fā)出來的材料原子或分子在基片表面形成孤立的島狀結(jié)構(gòu),,稱為成核。隨著沉積過程的進(jìn)行,,這些島狀結(jié)構(gòu)逐漸長(zhǎng)大,,形成連續(xù)的薄膜,。,不同島狀結(jié)構(gòu)之間的間隙被填充,,形成均勻,、致密的薄膜。
5.控制原理:蒸發(fā)鍍膜儀需要對(duì)蒸發(fā)速率,、薄膜厚度,、薄膜均勻性等參數(shù)進(jìn)行準(zhǔn)確控制。蒸發(fā)速率可以通過調(diào)節(jié)加熱功率來實(shí)現(xiàn),;薄膜厚度可以通過測(cè)量薄膜的反射率,、透射率等光學(xué)性質(zhì)來實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè);薄膜均勻性可以通過旋轉(zhuǎn)基片,、調(diào)整蒸發(fā)源位置等方式來改善,。
總之,蒸發(fā)鍍膜儀利用真空,、蒸發(fā),、沉積等原理,通過加熱使材料蒸發(fā)并沉積到基片上形成薄膜的設(shè)備,,具有操作簡(jiǎn)便,、成膜速度快、薄膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn),。
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