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光子橋接激光鍵合在激光退火和激光鉆孔的應(yīng)用

閱讀:1363      發(fā)布時(shí)間:2023-2-7
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光子橋接優(yōu)勢(shì):
1、實(shí)現(xiàn)硅基光電芯片網(wǎng)絡(luò)之間低損耗連接,;
2,、實(shí)現(xiàn)硅基光子芯片網(wǎng)絡(luò)連接自動(dòng)化,提升連接效率,;
3,、提升每毫米芯片尺度連接密度,提升硅基光子芯片集成度,;
4,、實(shí)現(xiàn)三維空間硅基光子芯片間自由連接。
光子橋接激光鍵合方式具有無(wú)需壓力,、無(wú)高溫殘余應(yīng)力,、無(wú)需強(qiáng)電場(chǎng)干擾等諸多優(yōu)勢(shì)。
激光退火: 
激光退火技術(shù)主要用于修復(fù)半導(dǎo)體材料,,尤其是硅,。傳統(tǒng)的加熱退火技術(shù)是把整個(gè)晶圓放在真空爐中,在一定的溫度(一般是300-1200℃)下退火10-60min,。這種退火方式并不能完全消除缺陷,,高溫卻導(dǎo)致材料性能下降,摻雜物質(zhì)析出等問(wèn)題,。因此從上世紀(jì)末開(kāi)始,,激光退火的研究就變得十分活躍,發(fā)展出毫秒級(jí)脈沖激光退火,、納秒級(jí)脈沖激光退火和高頻Q開(kāi)關(guān)脈沖激光退火等多種激光退火方法,。近些年來(lái),激光退火已在國(guó)內(nèi)外取得了一些成熟的應(yīng)用,。激光退火主要優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在: 
(1)加熱時(shí)間短,,能夠獲得高濃度的摻雜層,; 
(2)加熱局限于局部表層,不會(huì)影響周?chē)奈锢硇阅埽?nbsp;
(3)能夠能到半球形的很深的接觸區(qū),; 
(4)由于激光束可以整形到非常細(xì),,為微區(qū)薄層退火提供了可能。
激光鉆孔: 
激光鉆孔廣泛用于金屬,、PCB,、玻璃面板等領(lǐng)域的鉆孔。

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