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介質(zhì)擊穿電場強度試驗儀

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更新時間:2023-08-04 09:05:01瀏覽次數(shù):818

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產(chǎn)品簡介

擊穿電壓 50KV 價格區(qū)間 5萬-10萬
應(yīng)用領(lǐng)域 化工,石油,航天,汽車,電氣
介質(zhì)擊穿電場強度試驗儀①擊穿前的強電場 ,,符合玻爾定律: I = I0 eAU 或弗蘭克爾定律: I = I0 eB U
②擊穿場強高,擊穿電場范圍較窄108~109V/m
③在均勻電場中,,電擊穿發(fā)生時的電場強度直到厚度為 0.1u-1u范圍都與厚度無關(guān),。
④擊穿場強與周圍媒質(zhì)溫度無關(guān)

詳細介紹

介質(zhì)擊穿電場強度試驗儀-ZJC-150kV

一、主要技術(shù)指標:

1,、輸入電壓:AC220V 50Hz 

2,、輸出電壓:AC0150kVDC0150kV

3,、輸出功率:15kVA

4,、測量范圍:AC15150kVDC15150kV

5,、測量誤差: 1

6,、升壓速率: 0.01kV/s5kV/s

7、耐壓時間:08H

8,、漏電流: 130 mA可由計算機軟件自由進行設(shè)定

9,、電源 :交流220V±10%的單相交流電壓和50Hz±1%的頻率

10、試驗環(huán)境溫度:15 30℃,,相對濕度:085%能夠穩(wěn)定運行,。

11、外形尺寸長×寬×高:1980mm×1220 mm×1750mm(參考)

12,、設(shè)備自重:350Kg(參考)

13,、接地要求儀器需要單獨接地,接地附合國家標準要求,金屬棒深埋地下至少要1.5米以下


二,、結(jié)構(gòu)原理及性能特點:

1,、主要由:升壓系統(tǒng)(高壓變壓器)、測量系統(tǒng),、A/D轉(zhuǎn)換器,、放電系統(tǒng)、電極,、油箱,、電極定位架、計算機數(shù)據(jù)處理系統(tǒng),、軟件等組成,;

2、計算機---A/D轉(zhuǎn)換器---測量控制系統(tǒng)---調(diào)壓裝置----升壓變壓器-----試樣,;

3,、高壓變壓器主要產(chǎn)生試樣所需的直流電壓;

4,、調(diào)壓器用于調(diào)節(jié)升壓變壓器輸入端電壓以產(chǎn)生高壓所需的輸入電壓,;

5、電壓測量主要是從高壓變壓器測量端測量,,高壓變壓器測量端和高壓端是線性的,;

6、放電系統(tǒng)在試驗做完以后放電,,以免產(chǎn)生放電對人身的危害,;

固體介質(zhì)的擊穿的介紹:

1   

介質(zhì)擊穿

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Ub 為擊穿電壓(擊穿電場Eb=Ub/d d為介質(zhì)厚度)


•     擊穿的分類

? 本征擊穿(Intrinsic Breakdown):電擊穿

? 非本征擊穿:熱擊穿(Thermal Breakdown

? 放電擊穿(Discharge Breakdown

     介質(zhì)擊穿兩種情況

? 發(fā)生久性變化(或叫不可逆變化):如固體介質(zhì)擊穿,。

? 發(fā)生可恢復(fù)性變化:介質(zhì)在電場的作用下被擊穿,,把外電 場撤除后,介質(zhì)又恢復(fù)其絕緣性能,,如氣體。

? “自愈現(xiàn)象"(Self-Healing),,如金屬化紙介電容器 ,。


     固體介質(zhì)擊穿的一般規(guī)律

1. 固體介質(zhì)的擊穿電場大于液體和氣體介質(zhì)

Eb (氣體) =3×106V/m

Eb (液體) =107~108V/m

Eb (固體) =108~109V/m

2. 固體介質(zhì)擊穿是破壞性的

3. 擊穿的發(fā)展過程

? 介電性能的破壞:絕緣變成導(dǎo)體(電擊穿)

? 介質(zhì)本身的破壞:有明顯的擊穿通道(熱擊穿、機械擊 穿)

4. 擊穿與實驗條件有關(guān):

電極形狀,、媒質(zhì),、散熱條件、電壓類型,、加壓時間,、厚度

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電擊穿的特點

①擊穿前的強電場 ,符合玻爾定律: I = I0 eAU   或弗蘭克爾定律: I = I0 eB   U

②擊穿場強高,擊穿電場范圍較窄108~109V/m       

③在均勻電場中,,電擊穿發(fā)生時的電場強度直到厚度為 0.1u-1u范圍都與厚度無關(guān),。                        

④擊穿場強與周圍媒質(zhì)溫度無關(guān)                     

⑤擊穿場強與加壓時間無關(guān)

電擊穿必須滿足:

電導(dǎo)率γ 小、tgδ小,、散熱條件好,,無氣隙、無邊緣放電

熱擊穿的特點

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電擊穿和熱擊穿的判斷

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熱擊穿電壓比電擊穿電壓較低


固體介質(zhì)的熱擊穿理論

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兩點結(jié)論:

?熱擊穿電壓Ub與溫度T密切有關(guān),,和電阻率ρ與溫度 的關(guān)系相同,,只是指數(shù)減半,logUb的斜率差不多為  logρ斜率的一半,;

?熱擊穿電壓Ub與溝道長度d成正比,,但實驗未證實。

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概念:電擊穿為固體介質(zhì)的本征擊穿,。

產(chǎn)生原因:電子過程——電子碰撞電離

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近代關(guān)于固體介質(zhì)電擊穿的理論,。

按照擊穿發(fā)生的判定條件,電擊穿理論分為兩大類:

1. 以碰撞電離開始作為擊穿判據(jù),,這類理論為碰撞電 離理論,,或稱本征電擊穿理論;

2. 以電離開始后,,電子倍增到一定數(shù)值,,足以破壞介 質(zhì)絕緣狀態(tài)作為擊穿判據(jù),這類理論稱為“雪崩"擊穿 理論,。


碰撞電離理論

單位時間內(nèi),,電子從電場獲得能量為A,同時與晶格碰撞  失去能量為B,。晶格波能量是量子化?ω的,,電子與晶格波

的交換能應(yīng)為其整數(shù)倍n?ω。

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平衡狀態(tài):

當電場提高使平衡狀態(tài)破壞時A>B,,碰撞電離立即發(fā)生,。 由上式確定碰撞電離開始發(fā)生的起始場強,并作為介質(zhì)擊 穿場強,。


希伯爾低能判據(jù)

A與B在數(shù)值上有三種情形:

?當電場較弱時,,A<B,電子將損失能量達到其穩(wěn)定值,;    ?A=B時,,為平衡狀態(tài),對應(yīng)電子的最大能量,,臨界能量 ξc ?A>B時,,電子將不斷從電場中獲得能量,。

image.png

EH為希伯爾場強,或臨界擊穿場強,。

電場要使具有這樣小能量以上的所有電子加速才能導(dǎo)致

擊穿,,故稱為慢電子擊穿理論。


①當電場E很低時,,A(E1)與B相交于兩點,,電子能量ξ1< ξ<ξ2的電子,由于損耗大于獲得,,將不斷損失其能量 直至降低到ξ1而建立平衡時為止,。若ξ<ξ1,則A>B電 子能量增加,,直至ξ=ξ1達到平衡,,電導(dǎo)的穩(wěn)定狀態(tài)不 會破壞,電強度也不致破壞,。

②當電場E很高時,,在任何情形下總是A(E2)>B,肯定發(fā) 生擊穿,。

③當電場為某一臨界場強EH時,,A(EH)曲線與B曲線相切, 切點對應(yīng)于B=f2 (ξ)為最大值處,,此時平衡關(guān)系成立,,


即A(EH ,ξc ) = B(T0 ,ξc )

弗洛里赫高能判據(jù)

晶體電擊穿是一些高能量的快電子碰撞電離引起,而不需要 所有的慢電子參與,,電場只需加速部分高能量(接近晶格電離能)的電子即可使晶體擊穿,。

image.png


有兩種可能情況:

ξ′ >  ξ3  > Wi                    ①如此大能量的電子數(shù)極少,且速度快,、碰撞頻繁,、自由程短,不易積累能量,,電子崩不易形成,。

ξ2  <  ξ′ < Wi                   ②由于A>B,電子在電場作用下被加速而能量增至Wi,,產(chǎn)生 碰撞電離并導(dǎo)致?lián)舸?。處于ξ<Wi狀態(tài)的電子,存在時間   長,,在經(jīng)過較長的自由行程后,積累足夠大的能量,,易形成 電子崩,,使電強度破壞達到擊穿,,因此只要能量ξ稍小于Wi 的電子被加速,就能導(dǎo)致?lián)舸?/span>

碰撞電離理論

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堿鹵晶體擊穿場強的計算值與實驗值

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?希伯爾電場充分但不必要:欲加速幾乎全部電子,,所需 的電場強度自然偏高,。

?弗洛里赫電場必要但不充分,計算出的電場自然偏低,。

雪崩"電擊穿理論

1)碰撞電離雪崩擊穿

 

Seitz理論:一個電子從陰極出發(fā),,經(jīng)過約40次碰撞 電離,介質(zhì)材料即被破壞,,又稱為40繁代理論",。

設(shè)電場強度E=108V/m,電子遷移率μ≈10-4m2/V · s,, 擴散系數(shù)D≈10-4m2/s,。

t=1μ s內(nèi),電子運動長度為1cm,,崩頭的擴散半徑

約為

image.png


在該圓柱體中原子數(shù)為

πr2 × 10?2 × 1029  ≈ 1017

設(shè)破壞晶格原子所需能量約為10eV,,即破壞圓柱體內(nèi)所有 原子所需能量為:1018eV。

每個電子經(jīng)過1cm從電場中獲得的能量約為106eV,,故只要

有1012個電子就破壞介質(zhì)晶格,。碰撞電離過程中電子數(shù)以



2 α增加

2α = 1012

α = 40

隧道擊穿

由于隧道效應(yīng)使介質(zhì)中電流增   大,介質(zhì)失去絕緣性能的現(xiàn)象稱 為隧道擊穿,。

隧道電流為:

image.png


A,、B為與電極-介質(zhì)間功函數(shù)有 關(guān)的常數(shù),與溫度關(guān)系不大,。   這個公式給出,,從電極進入介質(zhì) 導(dǎo)帶的隧道電流的密度與場強的 關(guān)系。

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電極至介質(zhì)隧道電流密度:

① 在強電場時隧道電流隨場強的增大而迅速增大,,因 而必將導(dǎo)致介質(zhì)失去絕緣性能,。

② 福蘭茲提出用隧道電流導(dǎo)致介質(zhì)溫升達到一定溫度 (臨界溫度Tc)作為介質(zhì)隧道擊穿的判據(jù)。

③ 隧道電流與禁帶寬度有密切關(guān)系,,禁帶狹窄時,,較 低場強下就有很大的隧道電流。


機械擊穿

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局部放電引起的擊穿

在工程上要制取一種連續(xù)均勻的固體介質(zhì)材料是困難的,, 通常固體介質(zhì)中含有氣隙,,以下兩種形式:             

1)電極與介質(zhì)層之間留有氣隙                     

2)介質(zhì)內(nèi)部存在氣隙或氣泡

在外施電壓作用下,當擊穿場強較低的氣體(氣隙或氣泡)中的局部電場強度達到氣體的擊穿場強時,,這部分氣 體開始放電,,使介質(zhì)發(fā)生不貫穿電極的局部擊穿,這種現(xiàn) 象被稱為局部放電擊穿,。

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