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頻率對PA/PVDF共混材料介電常數(shù)的影響：

圖2-18是PA/PVDF共混體系介電常數(shù)e隨頻率的變化關(guān)系，圖2-18(a),  (b)和(c)分別對應(yīng)PA6/PVDF, PA66/PVDF和PAl l/PVDF共混物,。從圖中可以看到,，隨著電場頻率的增加,，PA/PVDF共混體系的介電常數(shù)。變化不大,，表現(xiàn)了很好的頻率穩(wěn)定性,。將PA與PVDF按不同體積比熔融共混后，隨著頻率的增加,，各體積配比的PA/PVDF共混物的介電常數(shù)均隨著頻率的增加而下降,，但基本呈現(xiàn)頻率穩(wěn)定性。選取一定頻率(如103Hz時)比較可以發(fā)現(xiàn),，PA6/PVDF共混材料的介電常數(shù)位于7.1 }9.9之間,，PA66/PVDF共混材料的介電常數(shù)位于6.314.2之間以及PA 11 /PVDF共混材料的介電常數(shù)位于7.711.9之間，其中PA66/PVDF和PA11/PVDF共混物的介電常數(shù)相對于純聚合物PVDF (E=9.7)來講已有了較明顯的提高,。這就說明在共混物中,，*形成氫鍵PA66和PA11中的極性酞胺基團偶極子與PVDF中的極性基團一((CFz)_偶極子可以協(xié)同取向，使共混物具有較高的的介電常數(shù),。

頻率對PA/PVDF共混材料介電損耗的影響：

    圖2-19是PA/PVDF共混體系介電損耗tans隨頻率的變化曲線,，圖2-19(a),偽)和((c)分別對應(yīng)PA6/PVDF, PA66/PVDF和PAll/PVDF共混物。從圖中可以看到,，隨著電場頻率的增加,，PA/PVDF共混體系的介電損耗tans整體變化不大，尤其在低頻區(qū)(1護}1 OSHz)表現(xiàn)了優(yōu)異的頻率穩(wěn)定性,。從圖2-19可以看出,，將PA與PVDF按不同體積比熔融共混后,，隨著頻率的增加,，各體積配比的PA/PVDF共混物的介電損耗均隨著頻率的增加而增加，但比純PVDF的增加速度慢,。

    在一定頻率下,，對三種PA/PVDF共混物的介電損耗進行比較,，可以看到，在低頻區(qū)((f< 1 OSHz)內(nèi),，PA/PVDF共混物介電損耗tans均小于0.10,，各體積比之間相差不大:在高頻區(qū)(如106Hz)時，隨著共混體系中PA所占體積含量的增多,，PAIPVDF共混物的介電損耗均不斷下降,，這是由于高頻區(qū)PA比PVDF擁有較低的介電損耗，極性酞胺基團可促使CF:在高頻時取向,，降低共混物的熱量損耗,。這就說明將PA與PVDF熔融共混，PA與PVDF相互作用,，使PA/PVDF共混體系中極性偶極子更易于取向,，從而降低了共混物的介電損耗。

    綜上所述,，將三種不同的PA分別與PVDF進行熔融共混后,，不但可以在一定程度提高PA/PVDF共混物的介電常數(shù)，同時可以降低共混物的介電損耗,，尤其PA66/PVDF共混物和PA11/PVDF共混物表現(xiàn)出較好的介電性能,。然而，結(jié)合上節(jié)對三種PA/PVDF共混材料進行熱性能分析的結(jié)果,，可以得知,，PA66的熔點(Tm 223.2 0C)較高，在與PVDF(T} 163.40C)進行熔融共混時則需要很高的加工溫度,，在升溫過程中可能會對聚合物晶型產(chǎn)生破壞而不利于制備,，然而PA 11的熔點與PVDF更為接近，同時考慮到PA聚合物分子結(jié)構(gòu)的相似性,，我們選取PA 11做為聚合物PA的代表來研究其與PVDF共混對其他性能的影響,。