高頻Q表測(cè)定材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值實(shí)驗(yàn)?zāi)康呐c原理
介質(zhì)損耗和介電常數(shù)測(cè)量實(shí)驗(yàn)
介電特性是電介質(zhì)材料極其重要的性質(zhì),。在實(shí)際應(yīng)用中,電介質(zhì)材料的介電系數(shù)和介質(zhì)損耗是非常重要的參數(shù),。例如,,制造電容器的材料要求介電系數(shù)盡量大,而介質(zhì)損耗盡量小,。相反地,,制造儀表絕緣器件的材料則要求介電系數(shù)和介質(zhì)損耗都盡量小。而在某些特殊情況下,,則要求材料的介質(zhì)損耗較大,。所以,通過(guò)測(cè)定介電常數(shù)(e)及介質(zhì)損耗角正切(tgd),,可進(jìn)一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,,為提高材料的性能提供依據(jù)。
一,、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/span>
1,、探討介質(zhì)極化與介電常數(shù)、介質(zhì)損耗的關(guān)系,;
2,、了解高頻Q表的工作原理;
3,、掌握室溫下用高頻Q表測(cè)定材料的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切值,。
二、實(shí)驗(yàn)原理
按照物質(zhì)電結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn),,任何物質(zhì)都是由不同的電荷構(gòu)成,,而在電介質(zhì)中存在原子、分子和離子等,。當(dāng)固體電介質(zhì)置于電場(chǎng)中后會(huì)顯示出一定的極性,,這個(gè)過(guò)程稱為極化。對(duì)不同的材料,、溫度和頻率,,各種極化過(guò)程的影響不同。
1,、介電常數(shù)(e):某一電介質(zhì)(如硅酸鹽,、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量Cx與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量Co之比值,被稱為該電介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù),。
式中:Cx —電容器兩極板充滿介質(zhì)時(shí)的電容,;
Co —電容器兩極板為真空時(shí)的電容;
e —電容量增加的倍數(shù),,即相對(duì)介電常數(shù)
介電常數(shù)的大小表示該介質(zhì)中空間電荷互相作用減弱的程度,。作為高頻絕緣材料,,e要小,特別是用于高壓絕緣時(shí),。在制造高電容器時(shí),,則要求e要大,特別是小型電容器,。
在絕緣技術(shù)中,,特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時(shí),都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù),。此外,,由于介電常數(shù)取決于極化,而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運(yùn)動(dòng)的形式,。所以,,通過(guò)介電常數(shù)隨電場(chǎng)強(qiáng)度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究,,還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu),。
2.介電損耗(tgd):指電介質(zhì)材料在外電場(chǎng)作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場(chǎng)作用下,,介質(zhì)沒(méi)有周期性損耗,,基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗;在交流電場(chǎng)作用下,,介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外,,還有各種交流損耗。由于電場(chǎng)的頻繁轉(zhuǎn)向,,電介質(zhì)中的損耗要比直流電場(chǎng)作用時(shí)大許多(有時(shí)達(dá)到幾千倍),,因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。
在工程中,,常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tgd來(lái)表示,。tgd是絕緣體的無(wú)效消耗的能量對(duì)有效輸入的比例,它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比,,是衡量材料損耗程度的物理量,。
式中:ω —電源角頻率;
R —并聯(lián)等效交流電阻,;
C —并聯(lián)等效交流電容器
凡是體積電阻率小的,其介電損耗就大,。介質(zhì)損耗對(duì)于用在高壓裝置,、高頻設(shè)備,特別是用在高壓,、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義,,介質(zhì)損耗過(guò)大,,不僅降低整機(jī)的性能,甚至?xí)斐山^緣材料的熱擊穿,。
3,、Q值:tgd的倒數(shù)稱為品質(zhì)因素,或稱Q值,。Q值大,,介電損失小,說(shuō)明品質(zhì)好,。所以在選用電介質(zhì)前,,必須首先測(cè)定它們的e和tgd。而這兩者的測(cè)定是分不開(kāi)的,。
通常測(cè)量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種:交流電橋法和Q表測(cè)量法,,其中Q表測(cè)量法在測(cè)量時(shí)由于操作與計(jì)算比較簡(jiǎn)便而廣泛采用。本實(shí)驗(yàn)主要采用的是Q表測(cè)量法,。
4,、陶瓷介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測(cè)試儀:它由穩(wěn)壓電源、高頻信號(hào)發(fā)生器,、定位電壓表CBl,、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標(biāo)準(zhǔn)可調(diào)電容器等組成(圖2),。工作原理如下:高頻信導(dǎo)發(fā)生器的輸出信號(hào),,通過(guò)低阻抗耦合線圈將信號(hào)饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號(hào)幅度的調(diào)節(jié)是通過(guò)控制振蕩器的簾柵極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn),。當(dāng)調(diào)節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時(shí),,Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當(dāng)Vi調(diào)節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后,,可以使測(cè)量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度,,即可直接的讀出Q值,而不必計(jì)算,。另外,,電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是:如果直接測(cè)量Vi必須增加大量電子組件才能測(cè)量出高頻低電壓信號(hào),成本較高,。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達(dá)到同樣的目的,。
經(jīng)推導(dǎo)(1) 介電常數(shù):
(1)
式中:C1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的電容量;
C2—樣品測(cè)試的電容量,;
d—試樣的厚度(cm),;
Φ—試樣的直徑(cm);
(2) 介質(zhì)損耗角正切:
(2)
式中:Q1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的Q值;
Q2—樣品測(cè)試的Q值,;
(3) Q值:
(3)
三,、實(shí)驗(yàn)儀器及設(shè)備
1、儀器設(shè)備:
(1) Q表測(cè)試儀,、電感箱,、樣品夾具等;
(2) 千分游標(biāo)卡尺,;
2,、樣品要求:圓形片:厚度2±0.5mm,直徑為Φ38±1mm,。
四,、實(shí)驗(yàn)步驟
1、本儀器適用于110V/220V,,50Hz交流電,,使用前要檢查電壓情況,以保證測(cè)試條件的穩(wěn)定,。
2,、開(kāi)機(jī)預(yù)熱15分鐘,使儀器恢復(fù)正常狀態(tài)后才能開(kāi)始測(cè)試,。
3,、按部件標(biāo)準(zhǔn)制備好的測(cè)試樣品,兩面用特種鉛筆或?qū)щ娿y漿涂覆,,使樣品兩面都各自導(dǎo)電,,但南面之間不能導(dǎo)通,備用,。
4,、選擇適當(dāng)?shù)妮o助線圈插入電感接線柱。根據(jù)需要選擇振蕩器頻率,,調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振,。假定諧振時(shí)電容為C1,品質(zhì)因素為Q1,。
5,、將被測(cè)樣品接在Cx接線柱上。
6,、再調(diào)節(jié)測(cè)試電路電容器使電路諧振,,這時(shí)電容為C2,可以直接讀出Q2,。
7,、用游標(biāo)卡尺量出試樣的直徑Φ和厚度d(分別在不同位置測(cè)得兩個(gè)數(shù)據(jù),再取其平均值)。