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陶瓷材料的介電性能講解(介電常數(shù)介質(zhì)損耗儀)

閱讀:17346        發(fā)布時(shí)間:2022-4-13

陶瓷材料的介電性能講解(介電常數(shù)介質(zhì)損耗儀)

介電陶瓷材料是指電阻率大于108?.m的陶瓷材料,,能承受較強(qiáng)的電場而不被擊穿。它具有較高的介電常數(shù),、較低的介質(zhì)損耗和適當(dāng)?shù)慕殡姵?shù)溫度系數(shù),。用于各類電容器,。

一、極化和介電常數(shù)

       電介質(zhì)是指能在電場中極化的材料,。

      電介質(zhì)在電場作用下產(chǎn)生感應(yīng)電荷的現(xiàn)象叫極化,。

      在平板電容器中,其電容量C與平板的面積S,、板間距離d的關(guān)系,,即

                     C=εS/d, 式中ε為靜態(tài)介電常數(shù),顯然ε代表了板間電介質(zhì)的性能。

           當(dāng)帶有電介質(zhì)的電容C與無電介質(zhì)(真空)的電容Co之比稱為電介質(zhì)的相對介電常數(shù)εr,。

二,、電介質(zhì)的介電損耗

        電介質(zhì)在外電場作用下,其內(nèi)部會(huì)有發(fā)熱現(xiàn)象,,這說明有部分電能已轉(zhuǎn)化為熱能耗散掉,,這種介質(zhì)內(nèi)的能量損耗稱為介質(zhì)損耗。常用tgδ表示,,其值越大,,能量損耗也越大。 δ稱介電損耗角,,其物理意義是指在交變電場下電位移D與電場強(qiáng)度E的相位差,。

        tgδ是所有應(yīng)用于交變電場中電介質(zhì)的重要的品質(zhì)指標(biāo)之一。介質(zhì)損耗越小越好,。

          相對介電常數(shù)和介電損耗是電子陶瓷材料中的一個(gè)重要參數(shù),不同用途的陶瓷,對它們有不同的要求.

三,、介電陶瓷電容器

         陶瓷電容器以其體積小、容量大,、結(jié)構(gòu)簡單,、優(yōu)良的高頻特性、品種繁多,、價(jià)格低廉,,便于批量生產(chǎn)而廣泛應(yīng)用于家用電器、通信設(shè)備,、工業(yè)儀器等領(lǐng)域,,是目前飛速發(fā)展的電子技術(shù)的基礎(chǔ)之一。

         用于制造陶瓷電容器的介電陶瓷,,對材料有以下要求:

(1)介電常數(shù)應(yīng)盡可能高,;

(2)在高頻、高溫,、高壓及其他惡劣環(huán)境下,,陶瓷電容器性能穩(wěn)定可靠;

(3)介質(zhì)損耗要??;

(4)比體積電阻率高于1010Ω.m(絕緣電阻率通常大于 1010Ω.m ),可保證在高溫下工作;

(5)具有較高的介電強(qiáng)度,陶瓷電容器在高壓和高功率條件下,往往由于擊穿而不能工作,因此必須提高電容器的耐壓特性。

四,、陶瓷電容器的分類和特征

(1)非鐵電電容器陶瓷(Ⅰ型),,其特點(diǎn)是高頻損耗小,介電常數(shù)隨溫度變化而呈線性變化,,又稱熱補(bǔ)償電容器陶瓷,;

(2)鐵電電容器陶瓷(Ⅱ型),,其特點(diǎn)是介電常數(shù)隨溫度變化而呈非線性變化,而且介電常數(shù)很高,,又稱高介電常數(shù)陶瓷,;

(3)反鐵電電容器陶瓷(Ⅲ型),其特點(diǎn)是儲(chǔ)能密度高,,儲(chǔ)能釋放充分,,可用于儲(chǔ)能電容器

(4)半導(dǎo)體電容器陶瓷(Ⅳ型)

五、介電陶瓷材料及應(yīng)用

1,、溫度補(bǔ)償電容器用介電陶瓷

     主要用于高頻振蕩電路中作為補(bǔ)償電容介質(zhì),,在性能上要求具有穩(wěn)定的電容溫度系數(shù)和低的介質(zhì)損耗。其性能見表3-2,。

      以CaTiO3為例:具有較高的介電常數(shù)和負(fù)溫度系數(shù),,可以制成小型高容量的高頻陶瓷電容器。常見的配方為:

CaTiO3:99%,,ZrO2:1%,;燒結(jié)溫度為1360℃±20℃

工藝要求:采用氧化氣氛燒結(jié);不易采用濕磨,;燒結(jié)溫度和時(shí)間控制好,,防止開裂。

除CaTiO3外,材料體系還有: MgTiO3, SrTiO3

MgTiO3-SrTiO3, CaTiO3-SrTiO3-Bi2O3-TiO2,

CaTiO3-La2O3-TiO2, BaTiO3-Nd2O3-TiO2,

CaTiO3-La2O3-Bi2O3TiO2, 

BaTiO3-SrTiO3-La2O3-TiO2,

2,、熱穩(wěn)定型電容器陶瓷材料

        分為高頻熱穩(wěn)定電容器陶瓷和微波介電陶瓷,。

(1)高頻熱穩(wěn)定電容器陶瓷

        其主要特點(diǎn)是介電常數(shù)的溫度系數(shù)的絕對值很小,有的甚至接近于零,。

如:MgTiO3瓷,,,介電損耗低,溫度系數(shù)的絕對值小,且原料豐富,成本低,但燒結(jié)溫度較高(~1450℃),,難以控制,。

典型配方為:菱鎂礦71%、TiO2 24%,、蘇州土3%,、膨潤土2%,CaF2 0.45%

(2)微波介電陶瓷

        微波介電陶瓷主要用于制作微波電路元件,,在微波濾波器中用作介質(zhì)諧振器,。評價(jià)微波介電陶瓷材料的主要參數(shù)是介電常數(shù)、品質(zhì)因素和諧振頻率溫度系數(shù),。

         要求具有以下性能:適當(dāng)大小的介電常數(shù),,且值穩(wěn)定;介電損耗??;有適當(dāng)?shù)慕殡姵?shù)溫度系數(shù),;熱膨脹系數(shù)小。

其研究體系有:MgO-CaO-TiO2

                         MgO-La2O3-TiO2

                         ZrO2-SnO2-TiO2

                         Ba(Zn1/3Ta2/3)O3-Ba(Zn1/3Nb2/3)O3

                        Ba(Ni1/3Ta2/3)O3-Ba(Zr0.04Zn0.32Nb0.64)O3 

微波陶瓷材料的研究進(jìn)展:

(1)新材料系統(tǒng)相圖的研究,,晶體結(jié)構(gòu)和微波介電性能的關(guān)系的研究,,化合物形成的機(jī)理及動(dòng)力學(xué)研究;

(2)材料摻雜改性技術(shù)的研究

(3)材料制備工藝技術(shù)的研究

(4)低燒材料的開發(fā)研究

(5)工程化生產(chǎn)技術(shù)研究

(6)器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),、性能的優(yōu)化及測試技術(shù)的研究

(7)器件多層片式化的技術(shù)

(3)高介電常數(shù)電容器用陶瓷(新型電容器陶瓷材料)

   分為:高溫?zé)Y(jié)型(1300℃以上)、中溫?zé)Y(jié)型(1000~1250℃),、低溫?zé)Y(jié)型(低于900℃)

A,、低溫?zé)Y(jié)型:

     典型的體系有:Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-Bi2O3

                Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3-Pb(Cd1/2W1/2)O3

      PMN是系統(tǒng)中的主晶相,是復(fù)合鈣鈦礦型的鐵電體,其居里溫度為-15℃。居里溫度的介電常數(shù)為12600,,室溫的介電常數(shù)為8500,,常溫的tgδ<100×10-4。在不同頻率的弱電場作用下,,介電常數(shù)與tgδ隨溫度的變化而變化,,隨著頻率的增加,居里點(diǎn)向高溫方向移動(dòng),,同時(shí)介電常數(shù)下降,,而tgδ增大。

雖然PMN具有高的介電常數(shù),,tgδ也較小,,成瓷溫度在1050~1100℃,可用來制作低溫?zé)Y(jié)獨(dú)石電容器,。但缺點(diǎn)是居里溫度和負(fù)溫?fù)p耗較大,。為此,通常使用PbTiO3做為移峰劑,。

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由于PbTiO3的加入沒有改變燒成溫度,,顯然不能與銀電極配合,因此需要引入助熔劑,,使瓷料燒成溫度降至900℃,,通常加入Bi2O3作為助熔劑。 Bi2O3的熔點(diǎn)為820℃,,以便與MgO,、PbO形成低共熔物,在低溫下出現(xiàn)液相,,降低瓷料的燒結(jié)溫度,。

      典型的配方為:

     0.96Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.14PbTiO3-0.04Bi2O3


Pb(Mg1/3Nb2/3)O3的合成:

一步合成法:

PbO+MgO+Nb2O5                       Pb(Mg1/3Nb2/3)O3

                                                               +Pb3Nb4O13 (焦綠石相)

采用的措施:

二次合成法:

 MgO+ Nb2O5     1000℃   MgNb2O6


MgNb2O6+ 3 PbO               Pb(Mg1/3Nb2/3)O3


CMO法的固相反應(yīng)機(jī)理是:

3PbO + 2Nb2O5          P b3Nb4O13(P3N2)   (550℃~750℃)


P3N2 +1/3MgO + PbO + PT       PMN-PT  + P3N2(800℃~900℃)

添加BaTiO3、PbTiO3等添加劑:

       BaTiO3(BT):6—7

       SrTiO3(ST): 9—10

       PbTiO3(PT):30—40

       PbZrO3(PZ):55—60

熔鹽法:

MSS法中固態(tài)反應(yīng)機(jī)理是:

3PbO + Nb2O5           Pb3Nb2O8(P3N)      (~550℃)

P3N(Pb2Nb4/3O16/3)+ 2/3MgO        Pb2Nb4/3Mg2/3O6

                                                       (~650℃)

2P3N             P3N2 +3PbO                   (~650℃)

Pb2Nb4/3Mg2/3O6 + PT            PMN-PT          (~700℃)

1/6P3N2 + 1/3MgO + 1/2PbO + PT          PMN-PT 

                                                                 (~800℃)

            

            用MSS法制備PMN-PT陶瓷時(shí),,主要形成了一個(gè)富Pb的,、缺B位,、不穩(wěn)定的焦綠石相P3N,Mg2+很容易占據(jù)Nb5+的空位形成立方焦綠石相Pb2Nb4/3Mg2/3O6,,而

     Pb(Mg1/3Nb2/3)O3是立方鈣鈦礦結(jié)構(gòu),,因此,很容易發(fā)生轉(zhuǎn)變,。 

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關(guān)鍵詞:陶瓷材料介電常數(shù)介質(zhì)損耗儀  介電性能測試儀 介電常數(shù)測試儀 介質(zhì)損耗因數(shù)測試儀

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