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半導體芯片的冷熱沖擊試驗

時間：2023/1/17閱讀：782
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芯片主要組成物質是硅，內部結構有4大部分：傳感器,，分立器件,，集成電路，光電器件,。集成電路屬于半導體芯片中很重要的一部分,，它把數量龐大的晶體管集中到一個小的金屬片上。芯片做得越小,，內部的晶體管數量越多,，耗能，電容效應,，開關頻率越小,，性能更好。
溫度的改變對半導體的導電能力,、極限電壓,、極限電流以及開關特性等都有很大的影響。半導體芯片上的元器件分布很密,，元器件之間空間非常小,，當溫度過高時，元器件體積發(fā)生膨脹,、擠壓,，半導體芯片可能因為擠壓產生裂紋報廢。若溫度太高,，集成電路在工作的時候過熱激發(fā)高能載流子會增大晶體管被擊穿短路的概率,；晶體管性能隨溫度會發(fā)生變化，高溫會使部分電路因為性能變化無法正常工作,；高溫提高電遷移導致導線工作壽命下降,。如果溫度過低，往往會造成芯片在額定工作電壓下無法打開其內部的半導體開關,，導致其不能正常工作,。
所以，芯片在生產過程中,，需要對其進行冷熱沖擊試驗,。一般情況下,，民用芯片的正常工作溫度范圍是 0℃-70℃，軍*芯片性能更高,，正常工作溫度范圍是 -55℃-125℃,。以上溫度范圍都是芯片工作下的溫度范圍，當芯片不工作時,，可以承受超過 200℃ 的焊接溫度,。



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