本研究中，研究團隊利用離子切片技術(shù),，成功地驗證了在硅基底上制備高光學(xué)品質(zhì)鐵石榴石磁光薄膜的可行性,，并展示了其在片上光隔離器中的潛在應(yīng)用,。研究團隊采用釔鐵石榴石(YIG)晶體，摻鉍鐵石榴石(BIG)和新開發(fā)的YIG陶瓷作為基材,，分別探究了115 keV能量和2E16劑量He+離子注入下的離子與缺陷分布,，并通過起泡實驗證明了YIG陶瓷與單晶材料通過離子切片技術(shù)實現(xiàn)百納米級薄膜制備的可行性。與單晶相比,，YIG陶瓷具有生產(chǎn)成本更低、生長周期更短和具備大尺寸制備潛力等優(yōu)勢,，更適合基于離子切片實現(xiàn)大面積磁光薄膜制備和異質(zhì)集成,。
在1.55 μm近紅外通訊波段，YIG陶瓷展現(xiàn)出優(yōu)異的磁光性能,。研究顯示,，其法拉第旋轉(zhuǎn)角達到175°/cm，非互易相移(NRPS)為282.90 rad/m,?；谶@一材料特性，研究團隊設(shè)計了一個基于馬赫-曾德干涉儀(MZI)結(jié)構(gòu)的片上光隔離器,。研究結(jié)果表明,，該隔離器在1.55 μm波長下表現(xiàn)出插入損耗僅為2.78 dB，隔離帶寬達到83 nm,。
圖1. He離子注入后的BIG,、YIG晶體和YIG陶瓷在不同溫度下退火的表面變化的光學(xué)顯微鏡圖像。
圖2. NRPS 波導(dǎo)截面尺寸和Hx在1.55 μm(a)和2.1 μm(b)處的分布,，以及仿真計算得到的隔離器在1.55 μm(c)和2.1 μm(d)波長下的傳輸特性,。
此外，隨著光通信對更高帶寬需求的增長,，中紅外波段(2.1 μm)也逐漸成為研究熱點,。在這一波段，YIG陶瓷表現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢,。其法拉第旋轉(zhuǎn)角為114°/cm,，雖然低于1.55 μm波段，但其光吸收顯著降低,，且非互易相移(NRPS)仍然達到199.53 rad/m,。基于此,，研究團隊設(shè)計的片上光隔離器在2.1μm波段的插入損耗進一步降低至僅0.35 dB,，隔離帶寬則增加至84 nm。這些性能的提升得益于YIG陶瓷在中紅外波段極低的吸收系數(shù)(α = 0.053 cm?1)及其磁光系數(shù)在色散關(guān)系中的穩(wěn)定性,。
這項研究充分驗證了YIG陶瓷在1.55 μm近紅外和2.1 μm片上光隔離器應(yīng)用中的可行性,，以及通過離子切片技術(shù)實現(xiàn)大尺寸硅基磁光薄膜制備的重要價值,，展現(xiàn)出YIG陶瓷和離子切片技術(shù)在中紅外通信和傳感領(lǐng)域應(yīng)用的巨大潛力。
參考來源：上海光學(xué)精密機械研究所
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