硅光子學(xué)是一項快速發(fā)展的技術(shù)，有望改變通信,、計算和感知世界的方式,。然而，缺少高度可擴展的,、原生互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)集成光源是阻礙廣泛應(yīng)用的主要因素之一,。盡管在硅上混合與異質(zhì)集成III–V族光源,，取得了相當(dāng)大的進展,，但通過直接外延III–V族材料的單片集成,，仍然是具有成本效益較高的片上光源。
近日,，比利時微電子研究中心 (imec) Yannick De Koninck, Charles Caer, Didit Yudistira,，Bernardette Kunert & Joris Van Campenhout等，在Nature上發(fā)文,，報道了基于一種全新的集成方法,，即納米脊工程，在CMOS試驗生產(chǎn)線上,，在300-mm Si(001)晶圓上,，制造了電驅(qū)動砷化鎵(GaAs)基激光二極管。具有嵌入式p-i-n二極管和InGaAs量子阱的GaAs納米脊波導(dǎo),，在晶圓規(guī)模上高質(zhì)量生長,。
GaAs nano-ridge laser diodes fully fabricated in a 300-mm CMOS pilot line. 在300-mm CMOS導(dǎo)引線中，制造GaAs納米脊激光二極管,。
圖1,、片上GaAs NR激光器的晶圓級集成© 2025 Springer Nature
圖2、具有片上光電探測器的GaAs NR激光測試單元,，用于片級表征© 2025 Springer Nature
圖3,、單面切割GaAs NR激光器的模級測量© 2025 Springer Nature
圖4.蝕刻面GaAs NR激光器的片上測量© 2025 Springer Nature
圖5、蝕刻面GaAs NR激光器的全晶圓尺度測量© 2025 Springer Nature
在晶圓上的300多個器件中,，演示了波長約為1.020nm室溫連續(xù)波激光,，閾值電流低至5mA，輸出功率超過1mW,，激光線寬低至46MHz,，激光器工作溫度高達(dá)55°C。這些結(jié)果表明了,，在硅光子學(xué)平臺中的單片集成激光二極管,，III–V/Si納米脊工程概念的應(yīng)用潛力，有望應(yīng)用在光學(xué)傳感,、互連等領(lǐng)域的成本敏感且高容量應(yīng)用,。
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