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PIN型光電探測器

InGaAs（銦鎵砷）是探測器的材料類型,，不同的材料響應(yīng)的光波段不同,。下面列出幾種常見材料的典型工作波段。

硅：400~1100nm

銦鎵砷：800~1700nm

砷化銦：2.15~3.5um

碲鎘汞：2~12um

砷化稼：500~850nm               

它的工作波長是800~1700nm,，表明該探測器只對800~1700nm的光有響應(yīng),，這要求您所要探測的光必須在該范圍內(nèi),，否則就需要更換其他波段的材料。

工作帶寬,，它表明了該款探測器能響應(yīng)的光功率變化頻率,。

以第一款為例（InGaAs單元探測器 100MHz-筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司,MCT探測器,半導(dǎo)體激光二極管,中紅外QCL激光器,光纖放大器,光電探測器 (microphotons.cn)）它的帶寬是100MHz，那么它就可以響應(yīng)光在100MHz以內(nèi)的調(diào)制信號,，如果有大于100MHz的調(diào)制成分,，那幾乎會(huì)全丟失，這在頻域上會(huì)更好理解,。如果您探測的光是緩慢變化甚至是恒定的,，沒有高動(dòng)態(tài)響應(yīng)的需求，那這個(gè)參數(shù)就不需要考慮了,。

響應(yīng)度是描述探測器靈敏度的參量,。

它代表探測器輸出信號和輸入信號的關(guān)系，一般分為電壓響應(yīng)度RV和電流響應(yīng)度RI,。

如果產(chǎn)品沒有明確寫出，看單位即可,。比如本文例舉的這個(gè)產(chǎn)品,，響應(yīng)度0.95A/W@1550nm，明顯就是電流響應(yīng)度,。

它表明輸入的光功率和響應(yīng)光電流的比值,，至于為什么要專門表明是1550nm下的響應(yīng)度，那是因?yàn)轫憫?yīng)度本身就是波長的函數(shù),，需要選擇一個(gè)波長去比較,。

跨阻增益

表示該款探測器還會(huì)對產(chǎn)生的光電流進(jìn)行跨阻放大，從而變成電壓信號,，單位是V/A,。

飽和光功率表示該款探測器能響應(yīng)的最大功率

超過這個(gè)光功率值后，探測器的輸出信號不再隨著輸入光功率的變大而變大,，不再滿足之前定義的響應(yīng)度了,。以PD-100M-A為例，它的飽和光功率是140uW,，響應(yīng)度是0.95A/W,，相乘得到飽和光電流是133uA，然后經(jīng)過30kV/A的跨阻增益,，最終輸出的飽和電壓是3.99V,。

NEP，用于表示探測器最小可探測的功率,。

因?yàn)樗械奶綔y器都是存在本底噪聲的,，如果您輸入的光功率十分微弱,，引發(fā)的光電流全被淹沒在噪聲里面，那么這個(gè)光功率認(rèn)為是沒有探測到?，F(xiàn)在想象這么一種情況,，我們逐漸增加輸入光功率，直到激發(fā)的電信號正好和噪聲齊平,，再高一點(diǎn),，就會(huì)超出本底噪聲顯現(xiàn)出來了。這個(gè)功率值,，我們就定義為探測器的噪聲等效功率（Noise Equivalent Power,NEP）,。

問

現(xiàn)在我們看到PD-100M-A的NEP參數(shù)，5pW/sqrt(Hz),。噪聲等效功率的單位不應(yīng)該是功率嗎,？

問

為什么會(huì)除以sqrt(Hz)?

答

實(shí)際上這里的NEP是歸一化的，它將原來的NEP再除以帶寬的平方根,，才得到這個(gè)歸一化的NEP,。所以我們直接將5pW/sqrt(Hz)×sqrt(100MHz)，得到50nW,，才是該探測器能探測到的最小光功率值,。

輸出耦合方式，分為DC耦合和AC耦合兩種,。

DC耦合可以理解為原始電壓信號直接輸出,，AC耦合額外添加了直流電壓信號的過濾，只輸出交流信號,。

剩下的一些通用器件參數(shù),，本文不再贅述。

產(chǎn)品圖片	產(chǎn)品名稱	產(chǎn)品鏈接
	銦鎵砷 InGaAs 單元探測器 PD系列 800~1700nm	http://www.microphotons,。,。ｃｎ/?a=cp3&id=212
	銦鎵砷 InGaAs 高速放大型光電探測器 PDA系列 800-1700nm	http://www.microphotons。,。ｃｎ/?a=cp3&id=827
	碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 帶光浸式光伏探測器的可編程紅外探測模塊 2-12μm/2.5-7μm	?http://www.microphotons,。。ｃｎ/?a=cp3&id=562?
	碲鎘汞 MCT(HgCdTe) 熱電冷卻光電導(dǎo) 中紅外光電導(dǎo)探測器 2.0-15um	http://www.microphotons,。,。ｃｎ/?a=cp3&id=266
	美國 EOT 高速光電探測器(InGaAs/Si/GaAs) 830/1300/2000nm	?http://www.microphotons。,。ｃｎ/?a=cp3&id=534?