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半導(dǎo)體（SEMI）附膜晶圓應(yīng)力檢測的應(yīng)用
工藝介紹
在高溫環(huán)境中，由于化學(xué)氣相沉積（CVD）的涂層與晶圓的膨脹率不同,，容易產(chǎn)生局部形變，形變則會產(chǎn)生應(yīng)力,，在多層的反復(fù)加工中應(yīng)力會越來越大,，最終導(dǎo)致晶圓損壞報廢。
因此化學(xué)氣相沉積（CVD）鍍膜的細(xì)分工位通常使用激光退火的方式來消除應(yīng)力,，最后通過應(yīng)力檢測機確認(rèn)消除效果,，以此形成應(yīng)力把控的閉環(huán)。
設(shè)備前端模塊（EFEM）將晶圓送入測量腔內(nèi),，隨后晶圓經(jīng)翻轉(zhuǎn)運輸至干涉儀的測量視野范圍中檢測形變量,，通過應(yīng)力計算判定退火品質(zhì)后，再翻轉(zhuǎn)運輸至設(shè)備前端模塊（EFEM）進行OK/NG的分類,。
課題
1,、如何精準(zhǔn)地采集實時溫度
目前時域中常見的濾波方式，平均值（AVE）方式穩(wěn)定性好,，可抗干擾差,；中位值（MED）方式抗干擾好，可穩(wěn)定性差,，在輸入干擾較大的情況下,，用以上任意一種濾波難以精準(zhǔn)獲取到實時的溫度值。
2,、如何快速響應(yīng)細(xì)微的溫度變化趨勢,？
解決方案
1、經(jīng)驗分布統(tǒng)計+專業(yè)的建模計算,，推算批量數(shù)據(jù)
通過有限的溫度采樣值,，例如中心的基準(zhǔn)溫度值、變化趨勢、判定區(qū)間,，并使用大數(shù)據(jù)仿真確定了更為合適的RMS濾波算法,，最后經(jīng)過經(jīng)驗分布函數(shù)推算/模擬出大量的實時溫度數(shù)據(jù)。
2,、通過數(shù)學(xué)期望算法,，實時估算基準(zhǔn)值
首先建立數(shù)學(xué)期望模型，然后采集開始檢測的溫度值（過濾后）,，最后通過一系列的推算,，在動態(tài)測量中預(yù)估出基準(zhǔn)溫度值。
