18165318972
當前位置：西安昊然生物科技有限公司>>昊然生物>>晶體>> In2GaBi2S6晶體,，拓撲材料
| 供貨周期 | 一周 | 應用領域 | 化工 |
|---|
In2GaBi2S6晶體,，拓撲材料
材料名稱：In2GaBi2S6晶體
性質分類：拓撲材料，半導體
禁帶寬度：1.8 eV
合成方法：CVT
剝離難易程度：易
保存注意事項：晶體穩(wěn)定,，不需要特殊保存
研磨成粉末測試XRD
In2GaBi2S6晶體,，拓撲材料
In2GaBi2S6是由銦（In）,、鎵（Ga）、鉍（Bi）和硫（S）元素組成的化合物,。這種化合物可能具有晶體結構和性質,。
由于其組合和結構，In2GaBi2S6可能表現(xiàn)出一些電學,、光學或磁學性質,。這些性質可能使其在半導體、光電器件或其他電子學應用中具有潛在應用價值,。
然而,，對于In2GaBi2S6的詳細性質和潛在應用，其晶體結構和電學性質,，可能還需要更深入的研究和實驗來全面了解,。這類新型材料的探索對于未來電子學和光電子學的發(fā)展具有一定的意義。
相關產品：
Sb16Te3晶體
Sb2Te2Se晶體
Sb2TeSe2晶體
Sb2Te晶體
SbTe晶體
Si2CuP3晶體
SiTe2晶體
Sn2Te晶體
SnBi2Te4晶體
SnBi4Te7晶體
SnPS3晶體
SnPSe3晶體
Ta2Ni2Te2晶體
Ta2NiS5晶體
Ta2NiSe5晶體
Ta2NiTe5晶體
以上資料來自西安昊然生物小編JMY 2023.12.15.
以上文中提到的產品僅用于科研,，不能用于人體及其他用途,。
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
以上信息由企業(yè)自行提供，信息內容的真實性,、準確性和合法性由相關企業(yè)負責,，化工儀器網對此不承擔任何保證責任。
溫馨提示：為規(guī)避購買風險,，建議您在購買產品前務必確認供應商資質及產品質量,。
化工儀器網