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GeBi2Te4晶體,，拓撲絕緣體,，紅外材料GeBi2Te4是一種由鍺（Ge）、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物,，屬于鉍碲族化合物,。這種化合物屬于拓撲絕緣體...

GaGeTe晶體,，拓撲絕緣體,，半導(dǎo)體GaGeTe是由鎵（Ga）、鍺（Ge）和碲（Te）元素組成的化合物,。這種化合物可能具有半導(dǎo)體或者拓撲絕緣體的性質(zhì),，具體取決于...

CuInS2晶體，拓撲材料CuInS2是一種由銅（Cu）,、銦（In）和硫（S）元素組成的化合物,，屬于硫化物材料。這種化合物具有半導(dǎo)體性質(zhì),，通常呈現(xiàn)為多晶體或薄膜...

CuInP2Se6晶體,，拓撲材料，半導(dǎo)體CuInP2Se6是一種由銅（Cu）,、銦（In）,、磷（P）、硒（Se）元素組成的化合物,，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,。這...

CuBi3PbS6晶體，拓撲絕緣體CuBi3PbS6是一種由銅（Cu）,、鉍（Bi）,、鉛（Pb）和硫（S）元素組成的化合物，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,。這種化合...

Cu3SbS3晶體,，拓撲絕緣體Cu3SbS3是一種由銅（Cu）,、銻（Sb）和硫（S）元素組成的化合物，通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,。這種化合物屬于半導(dǎo)體材料的一...

碘化鉻晶體，CrI3碘化鉻（Chromium iodide）是由鉻（Chromium,，Cr）和碘（Iodine,，I）元素形成的化合物。它有幾種不同的物種,，如Cr...

CrBi4Te7晶體,，拓撲材料CrBi4Te7是由鉻（Cr）,、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于多鐵材料的一種,。

CrBi2Te4晶體,，拓撲材料CrBi2Te4是由鉻（Cr）,、鉍（Bi）和碲（Te）元素組成的化合物，屬于拓撲絕緣體的一種,。這種化合物在研究中引起了一定的關(guān)注,，...

拓撲絕緣體,，CrTe2晶體CrTe2是由鉻（Cr）和碲（Te）元素組成的化合物，通常呈現(xiàn)出層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料,。這種化合物屬于過渡金屬碲化物,，具有一定的磁性和電學(xué)...

Cr2Si2Te6晶體， CrSiTe3,，磁性拓撲絕緣體Cr2Si2Te6在自旋電子學(xué)和磁性存儲方面有著一定的研究價值,。它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性，這使得它...

二硫化三鉻晶體,，Cr2S3Cr2S3呈現(xiàn)出不同的晶體結(jié)構(gòu),，如六方晶系或三方晶系。它是一種過渡金屬硫化物，具有一定的磁性和光學(xué)性質(zhì),。Cr2S3具有磁性,，在研究磁學(xué)...

Cr2Ge2Te6晶體,， CrGeTe3,，磁性拓撲絕緣體Cr2Ge2Te6在自旋電子學(xué)領(lǐng)域有一定的應(yīng)用潛力，因為它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性,。它還可能用于存儲...

銀銦磷硒晶體,，AgInP2Se6AgInP2Se6是一種二維層狀結(jié)構(gòu)材料，具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性能,，這使得它在光電子學(xué)中具有潛在的應(yīng)用價值,，尤其是在光學(xué)調(diào)制器、...

碲化銀晶體 Ag2Te碲化銀化學(xué)式Ag2Te,。分子量 343.34?；疑⒎较稻w或粉末,。熔點955℃，相對密度8.5,。制法：在高溫下（以使過剩的碲揮發(fā)）和氫氣...

CoBi4Se7晶體，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研,，不能用于人體

CoBi4Te7晶體,，磁性拓撲絕緣體合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研,，不能用于人體

CoBi2Te4晶體,，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途：僅用于科研，不能用于人體

Co2Bi2Te5晶體，拓撲材料合成方法：CVT尺寸：10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途：僅用于科研，不能用于人體

CdPS3晶體，拓撲材料晶體大?。?～10 mm純度：99%表征方法：EDS,，SEM，Raman禁帶寬度：1.7eV用途：僅用于科研,，不能用于人體