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哈默納科電機(jī)CSG-32-160-GH-F0KAB

光刻膠涂覆后,，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有邊緣的光刻膠一般涂布不均勻，不能中“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置,。

軟烘的目的是去掉光刻膠中的溶劑,、增強(qiáng)光刻膠的粘附性、釋放旋轉(zhuǎn)涂膠產(chǎn)生的內(nèi)應(yīng)力,、改善線寬控制,、防止光刻膠粘附到其他器件上,。軟烘在真空熱板上進(jìn)行

真空吸盤可繞Z軸旋轉(zhuǎn),，噴嘴可沿X、Y,、Z移動(dòng),，圍繞Z旋轉(zhuǎn)。噴嘴沿硅片徑向分滴光刻膠,，這樣光刻膠就可以均勻噴涂在硅片表面上,。光刻膠涂覆后，在硅片邊緣的正反兩面都會(huì)有光刻膠的堆積,。邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,，不能得而且容易發(fā)生剝離（Peeling）而影響其它部分的圖形。所以需要去除,。“背面EBR”裝置為邊緣光刻膠的去除裝置,。

哈默納科電機(jī)CSG-32-160-GH-F0KAB光刻膠最基本的組成是有機(jī)溶劑中的一種聚合物溶液。光刻膠的物理特性包括分辨率,、對(duì)比度,、對(duì)敏感度、對(duì)粘滯性,、粘附性,、抗蝕性、表面張力,、存儲(chǔ)與傳送特性,、玷污和顆粒控制等,。光刻膠主要有兩個(gè)作用：將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上,，在后續(xù)工藝中保護(hù)下面的材料,。光刻膠適合于旋轉(zhuǎn)涂膠的，硅片會(huì)持續(xù)旋轉(zhuǎn)涂膠直到硅片表面形了成一層薄膜,。光刻膠涂覆方法的四個(gè)基本步驟分別為滴膠,、旋轉(zhuǎn)鋪開、旋轉(zhuǎn)甩掉多余膠,、溶劑揮發(fā),。

       硅片上光刻膠涂膠的厚度和均勻性是非常關(guān)鍵的質(zhì)量參數(shù)。光刻膠涂覆過程中主要技術(shù)參數(shù)為：滴膠量,，約1~3CC,；成膜厚度約1微米左右，厚度變化20-50?,。硅片吸附在真空吸盤上,，